現(xiàn)在很多現(xiàn)代的NAND閃存設備都采用了一種新型的架構,將接口、控制器和存儲芯片集成到一個普通的陶瓷層中。我們稱之為一體結構封裝。
直到最近,所有的存儲卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一個非常簡單的“經(jīng)典”結構,其中包含了獨立的部分——一個控制器、一個PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內(nèi)存芯片。
在這種情況下,恢復的整個過程非常簡單——我們只是解焊了內(nèi)存芯片,用PC-3000 FLASH直接讀取它,并與普通USB閃存驅(qū)動器做了同樣的準備。





一個好的光學顯微鏡,x2, x4, x8變焦;
USB烙鐵與非常薄的烙鐵頭,很尖的烙鐵頭;
雙面膠帶;
液體活性劑;
BGA助焊劑;
熱風槍(例如- Lukey 702);
松香;
木制牙簽;
酒精(75%以上純度);
直徑0.1毫米的銅線,漆包線;
首飾級砂紙(1000、2000、2500末(數(shù)值越大,沙子越小);
BGA錫球為0.3 mm的;
鑷子;
鋒利的手術刀;
圖紙與引腳分配方案;
PC-3000 Flash 線路板適配器;
當所有的設備都準備好進行焊接時,我們就可以開始生產(chǎn)了。首先,我們使用我們的一體FLASH設備。在我們的例子中,它是小的microSD卡。我們需要用雙面膠把這張卡片固定在桌子上。




要繼續(xù)使用整塊,我們需要焊接3組觸點:
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數(shù)據(jù)I / O觸點:D0, D1, D2, D3, D4, D5, D6, D7;
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指令觸點:ALE, RE, R/B, CE, CLE, WE;
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電源觸點:VCC,GND.




























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