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國產RISCV芯片取得突破發展 性能可媲美ARM架構芯片

要長高 ? 來源: 柏銘科技 ? 作者: 柏銘科技 ? 2022-04-19 14:36 ? 次閱讀

據悉北京開源芯片研究院已經成立,它將運營開源高性能 RISC-V 處理器核心“香山”,此前“香山”由中科院計算技術研究所推進,據它公布的數據顯示,RISC-V架構可以落后工藝開發出性能媲美ARM架構的芯片,此舉對于ARM來說是重大打擊。

據悉中科院計算所開發的第一代核心“雁棲湖”在去年7月流片,采用28納米工藝生產,以性能測試軟件SPEC CPU2006得出它的性能達到了10納米工藝生產的驍龍835水平,如此性能讓人震驚。

這體現了RISC-V架構的優越性,可以落后工藝生產出性能更強的芯片,此舉對于中國芯片來說非常重要,因為臺積電目前量產的工藝為5納米,而國內最先進的工藝為14納米,據悉該公司計劃下一代核心“南湖”的目標是以14納米工藝生產,性能方面接近當前的驍龍8G1。

RISC-V為一個全新的架構,它的設計初衷就是以落后的工藝生產出性能更強的芯片,同時保持較低的功耗,如今北京開芯研究院研發的香山核心證明了這一點。

隨北京開芯的成立,它將正式向國內芯片企業授權開發芯片,幫助國內企業以更低的成本開發性能強大的芯片,從而在ARM之外開辟一條全新的道路。

在2019年之前,中國芯片行業大多以ARM架構開發芯片,然而2019年華為的遭遇卻說明ARM這家英國公司同樣深受美國的影響,它有不少技術來源于美國,因此不得不遵從美國的要求。中國臺灣的臺積電同樣因受美國的影響而自2020年9月15日起無法再為華為代工生產芯片。

為此國產芯片就必須真正的自主研發,即是芯片架構、芯片制造工藝都得采用自主研發技術。目前國內最先進的芯片制造工藝也僅為14nm工藝,正在推進7nm工藝的量產,然而臺積電和三星已在推進3nm工藝的量產,基于現有芯片制造工藝的現實,就得在芯片設計方面想辦法,這個時候RISC-V架構就獲得了國產芯片的青睞。

2018年中國RISC-V產業聯盟正式成立,不過由于RISC-V架構缺乏生態,因此國產芯片并未對RISC-V投入太多的資源,如今國產芯片不得面對現實開始對RISC-V架構加大投入,北京開芯的技術進展為國產芯片指明了方向。

北京開芯的計劃,對于ARM來說無疑是重大的打擊,此前國內已在RISC-V架構方面取得了重大進展,阿里巴巴的平頭哥研發的RISC-V架構芯片玄鐵系列已出貨數十億顆,如今RISC-V架構在北京開芯的推進下進一步打破性能天花板,同時將向國內芯片企業開放,可以進一步完善生態,如此RISC-V架構未來有望在國內市場與ARM抗衡,掌握更多芯片話語權。

RISC-V架構的發展不僅獲得了中國芯片產業的支持,在全球市場也獲得了Intel的支持,Intel在去年曾試圖收購開發RISC-V架構的SiFive公司,原因在于Intel如今也面臨ARM的挑戰,Intel不得不開發RISC-V架構迎戰ARM,如此RISC-V陣營可望迅速擴大,從而在全球市場終結ARM在移動芯片市場的壟斷地位。

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