4月15日，廣東省人民政府網(wǎng)發(fā)布了《廣東省人民政府關(guān)于頒發(fā)2021年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)的通報(bào)》，國(guó)星光電及下屬國(guó)星半導(dǎo)體憑借“照明通信LED外延芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目榮獲“2021年度廣東省科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)”，也標(biāo)志著國(guó)星光電在LED芯片領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新和成果轉(zhuǎn)化再上新臺(tái)階。

“照明通信LED外延芯片關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用”項(xiàng)目突破寬禁帶半導(dǎo)體器件寄生電容高的技術(shù)瓶頸，開(kāi)發(fā)了高低溫量子阱結(jié)合生長(zhǎng)技術(shù)以及階梯型Si摻雜超晶格應(yīng)力釋放層結(jié)構(gòu)，降低量子阱內(nèi)應(yīng)力，減少寄生電容效應(yīng)，提高量子阱復(fù)合速率，提高光通信芯片的響應(yīng)速度和頻率。

在照明芯片方面采用新型Ag結(jié)構(gòu)復(fù)合反射電極體系，突破現(xiàn)有倒裝LED芯片的亮度限制，進(jìn)一步提高倒裝芯片的取光效率。在可靠性方面設(shè)計(jì)了一種疊對(duì)式鈍化結(jié)構(gòu)，提升芯片的絕緣效果，大幅提高了大功率倒裝芯片的可靠性；同時(shí)引入平衡型電極體系，一方面降低封裝空洞率，提高芯片和基板之間的焊接強(qiáng)度，另一方面提高電流擴(kuò)散的均勻性，實(shí)現(xiàn)熱量均勻分散，保證在高溫大電流注入的情況下芯片依然具有很好的耐受性，提高了芯片在應(yīng)用過(guò)程中的耐沖擊性能力，整體項(xiàng)目技術(shù)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。

目前，項(xiàng)目部分技術(shù)已實(shí)現(xiàn)成果有效轉(zhuǎn)化，相關(guān)產(chǎn)品憑借其大功率、高亮度、高光效等優(yōu)勢(shì)，提高了車(chē)用照明產(chǎn)品的質(zhì)量及可靠性，廣受市場(chǎng)好評(píng)；同時(shí)，相關(guān)產(chǎn)品正逐漸向手機(jī)閃光燈、場(chǎng)館照明、舞臺(tái)燈、投影儀、車(chē)載HUD等高附加值領(lǐng)域擴(kuò)大應(yīng)用，市場(chǎng)前景廣闊。

近年來(lái)，在廣晟集團(tuán)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略引領(lǐng)下，國(guó)星光電創(chuàng)新實(shí)力顯著提升，綜合競(jìng)爭(zhēng)力日益增強(qiáng)，榮膺國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)、國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)等多項(xiàng)國(guó)家級(jí)、省級(jí)大獎(jiǎng)，并入選國(guó)資委“科改示范企業(yè)”名單。

未來(lái)，國(guó)星光電將繼續(xù)深入貫徹落實(shí)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，圍繞“五新”改革發(fā)展總思路，用好“科改示范企業(yè)”政策優(yōu)勢(shì)，自覺(jué)履行高水平科技自立自強(qiáng)的使命擔(dān)當(dāng)，堅(jiān)持面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)，著力提升基礎(chǔ)研究水平，聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，加速科技成果產(chǎn)業(yè)化，為廣晟集團(tuán)奮進(jìn)世界500強(qiáng)注入強(qiáng)勁動(dòng)能，為加快建設(shè)更高水平的科技創(chuàng)新強(qiáng)省，為我國(guó)建設(shè)世界科技強(qiáng)國(guó)作出新的更大貢獻(xiàn)！