大部分的教材都會(huì)告訴你長長的一段話：

MOS管全稱金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，屬于絕緣柵極場效晶體管，以硅片為秤體，利用擴(kuò)散工藝制作.......有N溝道和P溝道兩個(gè)型。不僅如此，它還有兩個(gè)兄弟，分別是結(jié)型場效應(yīng)管以及晶體場效應(yīng)管.......

面對(duì)這么大一段話，我不知道你有沒有搞明白，反正我大學(xué)里是完全沒有搞明白，學(xué)了一個(gè)學(xué)期就學(xué)了個(gè)寂寞。

本文拋開教科書上的裹腳布，從應(yīng)用層面出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見也是最容易使用的一種：增強(qiáng)型NMOS管，簡稱NMOS。當(dāng)你熟悉了這個(gè)NMOS的使用之后呢，再回過頭去看這個(gè)教材上的內(nèi)容，我相信就會(huì)有不同的體會(huì)了。

NMOS的用法 首先來看這么一張簡單的圖，如下，我們可以用手去控制這個(gè)開關(guān)的開合，以此來控制這個(gè)燈光的亮滅。

那如果我們想要用Arduino或者單片機(jī)去控制這個(gè)燈泡的話呢，就需要使用MOS管來替換掉這個(gè)開關(guān)了。為了更加符合我們工程的實(shí)際使用習(xí)慣呢，我們需要把這張圖稍微轉(zhuǎn)換一下，就像如下圖這樣子。

那這兩張圖是完全等價(jià)的，我們可以看到MOS管是有三個(gè)端口，也就是有三個(gè)引腳，分別是gate，drain和source。只要記住他們分別簡稱g、d、s就可以，如下圖。

我們把單片機(jī)的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當(dāng)然別忘了供電。當(dāng)這個(gè)單片機(jī)的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開關(guān)，指示燈光就會(huì)被打開;那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開關(guān)被松開了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡單。

那如果我們不停的切換這個(gè)開關(guān)，那燈光就會(huì)閃爍。如果切換的這個(gè)速度再快一點(diǎn)，因?yàn)槿搜鄣囊曈X暫留效應(yīng)，燈光就不閃爍了。此時(shí)我們還能通過調(diào)節(jié)這個(gè)開關(guān)的時(shí)間來調(diào)光，這就是所謂的PWM波調(diào)光，以上就是MOS管最經(jīng)典的用法，它實(shí)現(xiàn)了單片機(jī)的IO口控制一個(gè)功率器件。當(dāng)然你完全可以把燈泡替換成其他的器件。器件比如說像水泵、電機(jī)、電磁鐵這樣的東西。MOS管實(shí)現(xiàn)的小玩意，點(diǎn)擊觀看：用MOSFET實(shí)現(xiàn)的小玩意兒。

如何選擇NMOS 明白了NMOS的用法之后呢，我們來看一下要如何選擇一個(gè)合適的NMOS，也就是NMOS是如何選型的。

那對(duì)于一個(gè)初學(xué)者來說，有四個(gè)比較重要的參數(shù)需要來關(guān)注一下。第一個(gè)是封裝，第二個(gè)是vgsth，第三個(gè)是Rdson上，第四個(gè)是Cgs。

封裝比較簡單，它指的就是一個(gè)MOS管這個(gè)外形和尺寸的種類也有很多。一般來說封裝越大，它能承受的電流也就越大。為了搞明白另外三個(gè)參數(shù)呢，我們先要來介紹一下NMOS的等效模型，如下圖。

MOS其實(shí)可以看成是一個(gè)由電壓控制的電阻。這個(gè)電壓指的是g、s兩端的電壓差，電阻指的是d、s之間的電阻。這個(gè)電阻的大小呢，它會(huì)隨著g、s電壓的變化而產(chǎn)生變化。當(dāng)然它們不是線性對(duì)應(yīng)的關(guān)系，實(shí)際的關(guān)系差不多像這樣的，橫坐標(biāo)是g、s電壓差。Rds與Vgs關(guān)系圖，如下。

縱坐標(biāo)是電阻的值，當(dāng)g、s的電壓小于一個(gè)特定值的時(shí)候呢，電阻基本上是無窮大的。然后這個(gè)電壓值大于這個(gè)特定值的時(shí)候，電阻就接近于零，至于說等于這個(gè)值的時(shí)候會(huì)怎么樣，我們先不用管這個(gè)臨界的電壓值，我們稱之為vgsth，也就是打開MOS管需要的g、s電壓，這是每一個(gè)MOS管的固有屬性，我們可以在MOS管的數(shù)據(jù)手冊(cè)里面找到它，如下。

顯然vgsth一定要小于這個(gè)高電平的電壓值，否則的話就沒有辦法被正常的打開。所以在你選擇這個(gè)MOS管的時(shí)候，如果你的高電平是對(duì)應(yīng)的5V，那么選3V左右的vgsth是比較合適的。太小的話會(huì)因?yàn)楦蓴_而誤觸發(fā)，太大的話又打不開這個(gè)MOS管。

接下來我們?cè)賮砜纯碞MOS的第二個(gè)重要參數(shù)Rdson，剛才有提到NMOS被完全打開的時(shí)候，它的電阻接近于零。但是無論多小，它總歸是有一個(gè)電阻值的，這就是所謂的Rdson。它指的是NMOS被完全打開之后，d、s之間的電阻值。同樣的你也可以在數(shù)據(jù)手冊(cè)上找到它。這個(gè)電阻值當(dāng)然是越小越好。越小的話呢，它分壓分的少，而且發(fā)熱也相對(duì)比較低。但實(shí)際情況一般Rdson越小，這個(gè)NMOS的價(jià)格就越高，而且一般對(duì)應(yīng)的體積也會(huì)比較大。所以還是要量力而行，選擇恰好合適。

最后說一下Cgs，這個(gè)是比較容易被忽視的一個(gè)參數(shù)，它指的是g跟s之間的寄生電容。所有的NMOS都有，這是一個(gè)制造工藝的問題，沒有辦法被避免。

那它會(huì)影響到NMOS打開速度，因?yàn)榧虞d到gate端的電壓，首先要給這個(gè)電容先充電，這就導(dǎo)致了g、s的電壓并不能一下子到達(dá)給定的一個(gè)數(shù)值。

它有一個(gè)爬升的過程。當(dāng)然因?yàn)镃gs比較小，所以一般情況下我們感覺不到它的存在。但是當(dāng)我們把這個(gè)時(shí)間刻度放大的時(shí)候，我們就可以發(fā)現(xiàn)這個(gè)上升的過程了。對(duì)于這個(gè)高速的PWM波控制場景是致命的。當(dāng)PWM波的周期接近于這個(gè)爬升時(shí)間時(shí)，這個(gè)波形就會(huì)失真。一般來說Cgs大小和Rdson是成反比的關(guān)系。Rdson越小，Cgs就越大。所以大家要注意平衡他們之間的關(guān)系。

以上就是關(guān)于NMOS需要初步掌握的知識(shí)了。

原文標(biāo)題：扔掉教科書，談?wù)凪OS管的實(shí)際用法

文章出處：【微信公眾號(hào)：硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯：湯梓紅