芯片制造四大基本工藝包括：芯片設(shè)計、FPGA驗證、晶圓光刻顯影、蝕刻、芯片封裝等，晶片制作過程最為復(fù)雜，需經(jīng)過濕洗、光刻、 離子注入、干蝕刻、等離子沖洗、熱處理、化學(xué)氣相淀積、物理氣相淀積、電鍍處理、化學(xué)/機械表面處理、晶圓測試等過程。

一般來說， 在光刻過程中要先對整個襯底先加入Photo-resist物質(zhì)，用干蝕刻把需要P-well的地方也蝕刻出來，后端處理主要是用來布線以達到部分消除寄生電容的目的，步驟跟傳統(tǒng)工藝基本一致。

最后再利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層，形成 NMOS 的源漏極進行退火處理保證整個 Chip 的完整和連線的連接性，按照需求去制作成各種不同的封裝形式即可。