電子的記憶芯片也被稱為隨機存取存儲器,簡寫為RAM,存儲單元的內容可以隨意取出或存入,并且存取的速度與存儲單元的位置無關的存儲器。那么芯片的記憶原理是什么呢?
存取存儲器在斷電的時候會丟失存儲內容,所以它的主要作用是存儲短時間使用的程序。RAM等于是PC機上的移動存儲,用來存儲和保存數據,在任何時候都能夠讀寫,RAM通常是作為操作系統或其他正在運行程序的臨時存儲介質,還有一個名字是系統內存。
動作記憶芯片的原理是指人腦對經驗過事物的識記、保持、再現或再認,它是進行思維、想象等高級心理活動的基礎 。
數字集成電路中包含了很多東西,在小小的面積中,有從幾千到百萬的邏輯門、觸發器、多任務器和其他電路。
本文綜合自百度知道、伊秀經驗、業百科
審核編輯:何安淇
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
52205瀏覽量
436461
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
校準后,記憶示波器顯示頻率和幅度是否準確?
校準后,記憶示波器(或現代數字示波器)的頻率和幅度顯示準確性取決于校準質量、設備狀態及使用環境。以下是詳細分析:一、校準后頻率和幅度顯示是否準確?答案是:在理想條件下,校準后應準確,但需滿足以下前提
發表于 04-16 14:56
記憶示波器校準過程中需要特別注意什么?
在記憶示波器校準過程中,需特別注意以下關鍵點,以確保校準結果的準確性和可靠性:一、環境控制
[td]因素影響措施
溫度元件特性變化,導致測量誤差保持(23±5)℃,變化率≤1℃/h
濕度漏電流增加
發表于 04-15 14:15
記憶示波器設置有哪些常見錯誤?
記憶示波器(數字存儲示波器,DSO)的設置錯誤可能導致波形失真、測量不準確或捕獲關鍵信號失敗。以下是常見設置錯誤及解決方案:一、垂直設置錯誤
垂直檔位(Volts/div)選擇不當
錯誤:信號幅值
發表于 04-14 15:29
記憶示波器校準儀能校準哪些參數?
記憶示波器校準儀是一種綜合性電子計量標準儀器,能夠校準記憶示波器的多項關鍵參數,主要包括以下方面:1. 垂直系統參數
幅度校準:通過標準信號源輸出精確電壓,校準示波器的垂直靈敏度,確保幅度測量準確
發表于 04-11 14:05
記憶示波器的采樣率應如何選擇
選擇記憶示波器的采樣率需結合信號特性、測量需求及示波器性能,以下為具體選擇策略:一、根據信號頻率選擇采樣率
奈奎斯特定理基礎
采樣率需至少為信號最高頻率的 2倍(最低要求)。
實際應用中,為避免混
發表于 04-10 14:46
IC 燒錄概念不清?原理不明?這篇幫你搞定
一、IC燒錄的物理本質:如何用電子“雕刻”芯片記憶 1.1 存儲單元的基礎結構 浮柵晶體管(Floating Gate Transistor) : 以Flash存儲器為例,編程時向控制柵(CG)施加

智能計算新紀元:具記憶功能的晶體管問世
。隨著數字數據的急劇增長,這種方法變得不可持續。來自約翰霍普金斯大學的研究團隊發現了一種新型記憶電阻器(memristor),能夠擁有更豐富的記憶,提升其效率。該研究

比亞迪將OTA推送城市記憶領航功能
在比亞迪近期舉辦的智能化戰略發布會上,比亞迪汽車新技術研究院院長楊冬生在精彩的彩蛋環節中透露了一項重要信息。他表示,比亞迪的天神之眼C系統,在已經支持高快領航功能的基礎上,未來還將新增城市記憶領航
記憶示波器的原理和應用
記憶示波器是一種基于數字處理原理的測量儀器,其原理和應用可以從以下幾個方面進行詳細介紹:一、記憶示波器的原理
核心組件:記憶示波器的核心是記憶示波管,但不同于傳統的示波管,它采用數字化
發表于 01-06 15:50
如何有效應對植保無人機電池出現記憶效應
導語 在植保無人機的日常使用中,電池作為無人機的核心動力源,其性能直接影響到無人機的作業效率和飛行時間。然而,隨著時間的推移,不少植保無人機電池開始出現記憶效應,導致電池容量下降,充電效率降低


經緯恒潤座椅記憶模塊市占率位列前三!
9月,高工智能汽車研究院發布座椅記憶功能行業榜單,經緯恒潤憑借卓越的技術實力,在2024年1-7月中國乘用車座椅記憶功能前裝標配車型品牌榜單中,榮登供應商前三,彰顯其在智能車身領域的顯著競爭力。聲明

簡述雙穩態電路的記憶功能
雙穩態電路的記憶功能是其最為核心和獨特的特性之一,這種功能使得電路能夠在沒有外部輸入信號的情況下保持其當前狀態不變,直到接收到新的觸發信號為止。以下將詳細闡述雙穩態電路的記憶功能,包括其原理、實現方式、應用場景以及在現代電子技術中的重要性。
應力記憶技術介紹
應力記憶技術(Stress Memorization Technique, SMT),是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應力提高90nm 及以下工藝制程中 NMOS速度的應變硅技術。淀積覆蓋層

評論