電子發燒友網報道(文/梁浩斌)與遵循摩爾定律持續高速迭代的集成電路不同,電池技術在過去幾十年中進展緩慢。因此當前電動汽車要解決續航問題,主要有兩個發展方向:換電和快充。其中換電由于配套設施投入大,并且目前還未有一個通用標準,所以換電技術除了蔚來汽車有大規模的落地外,其他車企都只是處于試驗階段。
毫無疑問,直流快充是目前電動汽車補能的最重要手段,同時也是各大車企重點布局的方向。近日,小鵬汽車官方發布了多項戰略規劃,其中包括將推出國內首個量產800V高壓SiC平臺。據小鵬汽車介紹,該平臺最高支持600A電流輸入,電驅效率大于95%,并可以實現充電5分鐘,補充200km續航里程的能力。
在快充之后,小鵬還推出了自研儲能充電技術,一次儲能能滿足30臺車不間斷充電,并支持大功率超充。 其實車端的800V電壓平臺早在2019年就在保時捷Tycan上就已經實現大規模量產,不過當時Tycan上的800V平臺并沒有完全應用SiC器件,在功率模塊上還是采用了硅基IGBT。所以小鵬這次宣布將推出國內首個量產800V高壓SiC平臺,或許意味著SiC技術在電動汽車高壓快充中的應用將迎來爆發期。
而從目前的趨勢來看,大多數業內人士普遍的觀點是,未來電動汽車主流將會分為400V與800V兩套系統,400V適用于中低端小型車,而中高端車型在未來將會更多地應用800V平臺。 而對于800V及以上高電壓平臺中,電機逆變器是最關鍵部件之一。目前400V平臺中搭配的逆變器基本采用硅基IGBT作為核心,隨著電壓提升,采用SiC器件的整體效率提升就越明顯。
對于逆變器而言,800V高壓平臺下使用SiC MOSFET會比傳統的硅基IGBT整體系統效率提高8%。與此同時,在相同功率前提下,采用SiC器件的模塊尺寸和重量相比傳統硅基模塊大幅縮小,甚至可以令開關損耗降低75%。這對于輕量化與節能需求極大的電動汽車可以說是剛需。
在市場方面,有調研機構預計到2022年,SiC在電動汽車中的市場空間將增長到24億美元,這是2017年車用SiC整體收入的300多倍。
SiC龍頭企業Wolfspeed(原Cree)預計,SiC逆變器能為電動汽車提升5-10%的續航,并節省400-800美元的電池成本,即使減去由于采用SiC器件所增加的成本(200美元),依然具備成本優勢。
2019年5月,Wolfspeed宣布在未來5年內投入10億美元,在北卡羅來納州建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC晶圓工廠和一座材料工廠,以擴大SiC產能。 ST在去年2月以1.4億美元收購了瑞典SiC晶圓制造商Norstel AB。ST表示在完成這次交易后,將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈。
國內廠商方面,天科合達的第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目2020年8月在北京市大興區順利開工,總投資約9.5億元人民幣,新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線,項目計劃于2022年年初完工投產,建成后可年產碳化硅襯底12萬片。
同樣在去年8月,三安光電宣布收購北電新材,后者2019年投資了5.8億元在福建建設產能為3.6萬片SiC襯底的項目。 去年11月,合肥露笑科技投資100億元建設SiC設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業鏈的研發和生產基地。 但即便如此,SiC的生產依然存在一定瓶頸,比如原料晶柱的質量不穩定等。
有業內人士認為,SiC基板的開發是所有企業都在著力解決的最大瓶頸之一,SiC基板和傳統的硅晶有很大不同,處理SiC要從設備、工藝、處理到切割的一切都需要另外進行開發。
而目前市面上的SiC晶圓大多是4英寸和6英寸,全球只有英飛凌、Wolfspeed、ST、Soitec、羅姆、II-VI、以及國內的爍科晶體能生產8英寸SiC晶圓,但其中能夠大規模量產的屈指可數。 加上在生產過程中的周期長、良率難控制,這些因素加起來導致了SiC價格持續處于高位。當前SiC器件的價格可以達到傳統Si器件的4到5倍。
有數據顯示,按照特斯拉Model 3上所使用的器件全部更換為SiC后,平均2輛汽車就需要消耗一片6英寸SiC晶圓。而如果特斯拉能達到2022年交付量100萬輛的目標,那么僅特斯拉一家車企就消耗50萬片SiC晶圓。要知道,目前全球SiC晶圓的年產能才約為40-60萬片,這意味著一家車企就要消耗當前全球SiC晶圓的所有產能。
所以,對于800V高壓平臺的一個不確定因素是,SiC產能問題。另一方面,在充電樁端,其實也存在一定限制。 目前我國通用充電樁最大支持750V/250A輸出,即187kW輸出,到了實際應用上還大概率達不到這個理論峰值。不過國內大功率ChaoJi充電的新標準也即將進行推廣,可以實現1500V/600A,最高900kW功率輸出。
但從特斯拉超充布局的窘境上看,事實上大功率充電樁的布局遠不是成本以及充電樁技術這么簡單。 最根本的原因是電力基建不能滿足快充樁的用電需求。以廣州白云賓館為例,建筑的電力設計負荷為3120kW,如果裝了兩個小鵬汽車未來推出的480kW充電樁,那么這兩個充電樁工作時就已經消耗了整個賓館總負荷的三分之一,這是運營方無法接受的。
這你就能理解,為什么高速服務站上,可用的快充樁數量少的可憐,畢竟總的設計負荷是有限的,安裝再多充電樁,他們的充電功率都是共享的,數量再多也沒有意義。
所以,當前限制電動汽車快充發展的最大障礙,不是電氣技術,而是基建。當然,在新基建的政策推動下,以國內強大的電力基建實力,相信這些問題會隨著時間迎刃而解。
毫無疑問,直流快充是目前電動汽車補能的最重要手段,同時也是各大車企重點布局的方向。近日,小鵬汽車官方發布了多項戰略規劃,其中包括將推出國內首個量產800V高壓SiC平臺。據小鵬汽車介紹,該平臺最高支持600A電流輸入,電驅效率大于95%,并可以實現充電5分鐘,補充200km續航里程的能力。
在快充之后,小鵬還推出了自研儲能充電技術,一次儲能能滿足30臺車不間斷充電,并支持大功率超充。 其實車端的800V電壓平臺早在2019年就在保時捷Tycan上就已經實現大規模量產,不過當時Tycan上的800V平臺并沒有完全應用SiC器件,在功率模塊上還是采用了硅基IGBT。所以小鵬這次宣布將推出國內首個量產800V高壓SiC平臺,或許意味著SiC技術在電動汽車高壓快充中的應用將迎來爆發期。
800V平臺SiC必不可少
去年以來,各大車企紛紛布局800V及以上高壓平臺,包括吉利的SEA浩瀚架構、廣汽埃安的880V/480kW平臺、比亞迪e平臺3.0、通用 UItium 平臺、現代 E-GMP 架構、還有預計在年內交付的Lucid Air 900V架構等等。
而從目前的趨勢來看,大多數業內人士普遍的觀點是,未來電動汽車主流將會分為400V與800V兩套系統,400V適用于中低端小型車,而中高端車型在未來將會更多地應用800V平臺。 而對于800V及以上高電壓平臺中,電機逆變器是最關鍵部件之一。目前400V平臺中搭配的逆變器基本采用硅基IGBT作為核心,隨著電壓提升,采用SiC器件的整體效率提升就越明顯。
對于逆變器而言,800V高壓平臺下使用SiC MOSFET會比傳統的硅基IGBT整體系統效率提高8%。與此同時,在相同功率前提下,采用SiC器件的模塊尺寸和重量相比傳統硅基模塊大幅縮小,甚至可以令開關損耗降低75%。這對于輕量化與節能需求極大的電動汽車可以說是剛需。
在市場方面,有調研機構預計到2022年,SiC在電動汽車中的市場空間將增長到24億美元,這是2017年車用SiC整體收入的300多倍。
SiC龍頭企業Wolfspeed(原Cree)預計,SiC逆變器能為電動汽車提升5-10%的續航,并節省400-800美元的電池成本,即使減去由于采用SiC器件所增加的成本(200美元),依然具備成本優勢。
800V普及還有兩大難題擺在面前
為了應對未來電動汽車對于SiC器件的需求,在近兩年如羅姆、Wolfspeed、ST、英飛凌、瀚天天成、天科合達等海內外企業都在加緊布局SiC擴產計劃。據了解,小鵬汽車的SiC供應商正是英飛凌。
2019年5月,Wolfspeed宣布在未來5年內投入10億美元,在北卡羅來納州建造一座采用最先進技術的自動化200mm SiC晶圓工廠和一座材料工廠,以擴大SiC產能。 ST在去年2月以1.4億美元收購了瑞典SiC晶圓制造商Norstel AB。ST表示在完成這次交易后,將在全球產能受限的情況下控制部分SiC器件的整個供應鏈。
國內廠商方面,天科合達的第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目2020年8月在北京市大興區順利開工,總投資約9.5億元人民幣,新建一條400臺/套碳化硅單晶生長爐及其配套切、磨、拋加工設備的碳化硅襯底生產線,項目計劃于2022年年初完工投產,建成后可年產碳化硅襯底12萬片。
同樣在去年8月,三安光電宣布收購北電新材,后者2019年投資了5.8億元在福建建設產能為3.6萬片SiC襯底的項目。 去年11月,合肥露笑科技投資100億元建設SiC設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業鏈的研發和生產基地。 但即便如此,SiC的生產依然存在一定瓶頸,比如原料晶柱的質量不穩定等。
有業內人士認為,SiC基板的開發是所有企業都在著力解決的最大瓶頸之一,SiC基板和傳統的硅晶有很大不同,處理SiC要從設備、工藝、處理到切割的一切都需要另外進行開發。
而目前市面上的SiC晶圓大多是4英寸和6英寸,全球只有英飛凌、Wolfspeed、ST、Soitec、羅姆、II-VI、以及國內的爍科晶體能生產8英寸SiC晶圓,但其中能夠大規模量產的屈指可數。 加上在生產過程中的周期長、良率難控制,這些因素加起來導致了SiC價格持續處于高位。當前SiC器件的價格可以達到傳統Si器件的4到5倍。
有數據顯示,按照特斯拉Model 3上所使用的器件全部更換為SiC后,平均2輛汽車就需要消耗一片6英寸SiC晶圓。而如果特斯拉能達到2022年交付量100萬輛的目標,那么僅特斯拉一家車企就消耗50萬片SiC晶圓。要知道,目前全球SiC晶圓的年產能才約為40-60萬片,這意味著一家車企就要消耗當前全球SiC晶圓的所有產能。
所以,對于800V高壓平臺的一個不確定因素是,SiC產能問題。另一方面,在充電樁端,其實也存在一定限制。 目前我國通用充電樁最大支持750V/250A輸出,即187kW輸出,到了實際應用上還大概率達不到這個理論峰值。不過國內大功率ChaoJi充電的新標準也即將進行推廣,可以實現1500V/600A,最高900kW功率輸出。
但從特斯拉超充布局的窘境上看,事實上大功率充電樁的布局遠不是成本以及充電樁技術這么簡單。 最根本的原因是電力基建不能滿足快充樁的用電需求。以廣州白云賓館為例,建筑的電力設計負荷為3120kW,如果裝了兩個小鵬汽車未來推出的480kW充電樁,那么這兩個充電樁工作時就已經消耗了整個賓館總負荷的三分之一,這是運營方無法接受的。
這你就能理解,為什么高速服務站上,可用的快充樁數量少的可憐,畢竟總的設計負荷是有限的,安裝再多充電樁,他們的充電功率都是共享的,數量再多也沒有意義。
所以,當前限制電動汽車快充發展的最大障礙,不是電氣技術,而是基建。當然,在新基建的政策推動下,以國內強大的電力基建實力,相信這些問題會隨著時間迎刃而解。
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