Vishay推出增強型厚膜片式電阻
Vishay Draloric RCC1206 e3
器件通過 AEC-Q200 認證節(jié)省電路板空間同時減少元件數(shù)量，降低加工成本。
Vishay 推出增強型 Vishay Draloric RCC1206 e3 厚膜片式電阻，外形尺寸為 1206，額定功率 0.5 W。
RCC1206 e3 的功率是這種標準尺寸厚膜片式電阻的兩倍，可用來替代兩個 1206 并聯(lián)電阻，或占位面積更大的 1210 外形尺寸單個器件。因此，設計師可節(jié)省汽車、工業(yè)、通信和醫(yī)療應用的電路板空間，同時減少元件數(shù)量，降低加工成本。
RCC1206 e3 通過 AEC-Q200 認證，阻值范圍 1 Ω 至 1 MΩ—0 Ω 跳線—精度分別為 ±1 % 和 ±5 %，電阻溫度系數(shù)（TCR）為 ± 100 ppm/K 和 ± 200 ppm/K。電阻工作電壓為 200 V，工作溫度范圍 -55 ?C 至 +155 ?C。
器件符合 RoHS 標準，無鹵素，適合在自動貼片機上采用符合 IEC 61760-1 的波峰焊、回流焊或氣相焊工藝加工。
責任編輯：haq
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電阻
+關(guān)注
關(guān)注
87文章
5605瀏覽量
174262 -
Vishay
+關(guān)注
關(guān)注
20文章
889瀏覽量
117099
原文標題：Vishay 推出 1206 外形尺寸增強型厚膜片式電阻，額定功率為 0.5 W
文章出處：【微信號：Vishay威世科技，微信公眾號：Vishay威世科技】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
注入增強型IGBT學習筆記
加強IGBT導通時的電導調(diào)制效應，又可限制陽極空穴的注入，于是形成了注入增強型 IGBT（Injection Enhanced Insulated Gate Bipolar Transistor，IE-IGBT）。
KOA長邊電極矩形金屬膜片式電阻器WN73系列概述
KOA長邊電極矩形金屬膜片式電阻器——WN73系列，是一款極高精度的片式電阻器，初始電阻阻值允許差比通用
使用TMS320C6000增強型DMA的應用
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TMS320C6000增強型DMA的應用.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-23 09:48
?0次下載
N溝道增強型MOSFET的優(yōu)缺點
N溝道增強型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶體管）作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的關(guān)鍵元件，具有一系列獨特的優(yōu)點和一定的局限性。以下是對N溝道增強型MOSFET優(yōu)缺點的詳細分析。
CoolGaN和增強型GaN區(qū)別是什么
： 定義 ：CoolGaN是英飛凌（Infineon）公司推出的一系列基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的產(chǎn)品品牌或系列名稱。它代表了英飛凌在GaN功率器件領域的技術(shù)成果和產(chǎn)品線。 范疇 ：CoolGaN系列產(chǎn)品包括但不限于增強型HEMT（常關(guān)
增強型HotRod QFN封裝：實現(xiàn)低EMI性能
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《增強型HotRod QFN封裝：實現(xiàn)低EMI性能.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 08-26 11:37
?0次下載
N溝道增強型MOSFET的優(yōu)缺點是什么
N溝道增強型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種重要
Vishay推出CHA系列全新薄膜片式電阻器
全球領先的電子元器件制造商Vishay Intertechnology, Inc. 近日隆重推出了CHA系列全新薄膜片式電阻器，這一系列電阻
Vishay推出AEC-Q200認證薄膜片式電阻器，提供高達70 GHz的穩(wěn)定高頻性能
近日， Vishay 宣布推出一系列新型AEC-Q200合格薄膜片式電阻器，為汽車、航天、航空電子、電信和軍事應用提供高達70 GHz的高頻性能。V
增強型MOS管的結(jié)構(gòu)解析
增強型MOS管（Enhancement MOSFET）是一種重要的場效應晶體管，具有高輸入阻抗、低輸入電流、高速開關(guān)和低噪聲等優(yōu)點，被廣泛應用于電子設備中。以下是對增強型MOS管結(jié)構(gòu)的詳細解析。
Vishay推出固體模壓型片式鉭電容器增強電子引爆系統(tǒng)性能
科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出專為電子引爆系統(tǒng)設計的新型系列TANTAMOUNT?表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器-
Vishay推出新型固體模壓型片式鉭電容器
Vishay 推出專為電子引爆系統(tǒng)設計的新型系列 Tantamount 表面貼裝固體模壓型片式鉭電容器。Vishay Sprague TX3
mos管怎么區(qū)分增強型和耗盡型
MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子電路中的半導體器件。根據(jù)其導電特性，MOSFET可以分為增強型（Enhancement Mode）和耗盡型（Depletion
mos管增強型與耗盡型的區(qū)別是什么
MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，具有高輸入阻抗、低驅(qū)動功率和良好的線性特性等優(yōu)點。根據(jù)導電溝道的形成方式，MOSFET可以分為增強型和耗盡型
氮化鋁上的厚膜高功率片式電阻器
EAK厚膜高功率片式電阻器和氮化鋁片式端接非常適合大多數(shù)需要在小尺寸封裝中實現(xiàn)高導熱性的應用。AlN 是 BeO 的理想替代品，具有高功耗且對環(huán)境或健康無危害。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論