應(yīng)用材料公司說(shuō)，它已經(jīng)在芯片布線方面取得了突破，這將使半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)小型化到芯片，使電路之間的寬度可以只有30億分之一米。目前的芯片工廠生產(chǎn)7納米和5納米芯片，因此3納米芯片代表了下一代技術(shù)。

這些3納米生產(chǎn)線將成為造價(jià)超過(guò)220億美元的晶圓廠的一部分，但帶來(lái)的收入也將遠(yuǎn)超這一數(shù)字。該公司表示，芯片布線的突破將使邏輯芯片的擴(kuò)展至3納米及以以下。
芯片制造公司可以在其大型工廠中使用布線工具，從5納米工廠向3納米工廠的過(guò)渡有助于緩解困擾整個(gè)電子行業(yè)的半導(dǎo)體芯片短缺問(wèn)題。但芯片要投入生產(chǎn)還需要一段時(shí)間。除了互連擴(kuò)展挑戰(zhàn)外，還有其他問(wèn)題與晶體管（ FinFET 晶體管的擴(kuò)展使用和過(guò)渡到GAA晶體管）以及圖案工藝（EUV和多重圖案）有關(guān)。

據(jù)應(yīng)用材料介紹，其開發(fā)了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個(gè)整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計(jì)量這七種不同的工藝技術(shù)集成到一個(gè)系統(tǒng)中。

應(yīng)用材料半導(dǎo)體產(chǎn)品集團(tuán)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Prabu Raja表示："智能手機(jī)芯片擁有數(shù)百億的銅互連，而線路已經(jīng)消耗了芯片三分之一的電量。通過(guò)集成多種工藝技術(shù)，應(yīng)用材料可以重新設(shè)計(jì)材料和結(jié)構(gòu)，使消費(fèi)者享受更有能力的設(shè)備和更長(zhǎng)的電池壽命。Raja 說(shuō)，這種集成解決方案旨在加快客戶的性能、功率和區(qū)域成本路線圖。

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