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基于TOP258PN器件實現(xiàn)隔離反激式電源的設(shè)計

電子設(shè)計 ? 來源:電子工程網(wǎng) ? 作者:電子工程網(wǎng) ? 2021-02-27 10:14 ? 次閱讀
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設(shè)計特色

·在各種負載條件下均可實現(xiàn)高效率(見圖2)

·可在高環(huán)境溫度下工作(65℃

·P封裝大于3.2 mm的爬電距離/空間距離,在高度潮濕和污染的環(huán)境下保證電源的可靠工作

·集成的安全及可靠性能:

·輸出過壓保護可針對鎖存或自動恢復(fù)進行配置

·精確的、自動恢復(fù)且具有遲滯特性的過熱關(guān)斷功能使PCB板的溫度在各種條件下均維持在安全范圍內(nèi)

·在輸出短路及反饋環(huán)路開環(huán)時進入到自動重啟動保護狀態(tài)

·符合EN55022和CISPR-22 Class B的傳導(dǎo)EMI限制

工作原理

圖1所示的電源是一種隔離反激式電源,采用TOP258PN器件。此設(shè)計具有較高的效率,可以在無需任何外接散熱器件的情況下在高溫(65 °C)環(huán)境中進行工作。

基于TOP258PN器件實現(xiàn)隔離反激式電源的設(shè)計

保險絲F1在出現(xiàn)嚴重的短路故障時可起到保護作用。X-電容C1執(zhí)行差模EMI濾波,而共模EMI濾波則由共模扼流圈L1和具有安全額定電壓的Y電容C8共同執(zhí)行。AC線輸入電壓通過D8到D11的二極管進行全橋整流,并通過大電容C29濾波。C4是一種金屬膜類型的電容,應(yīng)放置在距離開關(guān)電路較近的位置,來對DC總線的高頻噪音進行去耦,并改善差模EMI。

D2、R17和C34形成RCD箝位,可防止漏極電壓尖峰對U4內(nèi)集成的MOSFET造成損壞。齊納二極管VR1可隨時確保最大箝位電壓且在正常工作條件下不會導(dǎo)通。

T 1 變壓器上的偏置繞組經(jīng)D 1 3 整流、C 1 3 濾波, 然后為TOPSwitch提供電源,并且通過光敏三極管U2B控制電流。輸出電壓經(jīng)過超快速二極管D14整流,并聯(lián)的低ESR電容C30和C31共同對輸出進行濾波。電感L2和C32構(gòu)成次級濾波器,以減小輸出電壓紋波。

通過光敏二極管U2A,可從輸出端提供反饋電路,U2A的偏置點可以通過TL431可編程的并聯(lián)穩(wěn)壓器U3進行設(shè)置。電阻R25和R11形成一個電壓分壓網(wǎng)絡(luò),將輸出電壓限制在24V。電阻R10和電容C36為反饋電路提供補償。電阻R27和電容C35形成相位提升網(wǎng)絡(luò),可提高系統(tǒng)的相位裕量。電阻R9為并聯(lián)穩(wěn)壓器U3提供偏置電流,此時光敏二極管U2A不會導(dǎo)通。電阻R26設(shè)置整個回路增益,并通過U2A限制瞬態(tài)時的電流。

設(shè)計要點

RCD箝位元件的尺寸可根據(jù)正常工作模式來選擇,因為齊納二極管VR1需要確保在啟動和負載瞬態(tài)期間箝位電壓是安全的。

通過電阻R28將流限設(shè)置為一個較低的值,約是內(nèi)部流限的50%。因此,在實際應(yīng)用中可以采用較大的TOPSwitch-HX器件,以增加效率。磁芯大小和繞組線徑大小(見表1)是根據(jù)峰值功率和連續(xù)輸出功率的平均值進行選擇的。根據(jù)峰值輸出功率選擇初級和次級繞組的匝數(shù)和初級電感值。電阻R13抑制高頻諧振振蕩,二極管D2仍然導(dǎo)通,從而改善EMI。

責(zé)任編輯:gt

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