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英諾賽科:致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:Jimmy ? 2021-01-10 10:35 ? 次閱讀
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2021中國IC風云榜“年度獨角獸獎”征集現(xiàn)已啟動!入圍標準要求為估值超過10億美元(或等值60億人民幣)的未上市的半導體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評選將由中國半導體投資聯(lián)盟129家會員單位及400多位半導體行業(yè)CEO共同擔任評選評委。獎項的結果將在2021年1月份中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業(yè):英諾賽科(蘇州)科技有限公司(簡稱:英諾賽科)

英諾賽科于2017年成立,是一家致力于第三代半導體硅基氮化鎵研發(fā)與生產(chǎn)的高科技企業(yè)。英諾賽科采用IDM模式,集研發(fā)、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析為一體,成功打造硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺,產(chǎn)品涵蓋30-900V功率半導體器件,IC及射頻器件。英諾賽科30V-650V硅基氮化鎵系列芯片產(chǎn)品已陸續(xù)推出并實現(xiàn)量產(chǎn),為世界上唯一能夠同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。旗下?lián)碛杏⒅Z賽科(蘇州)半導體有限公司及英諾賽科(珠海)科技有限公司兩家控股子公司。

英諾賽科于2015年12月在珠海建設珠海8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地,投資額超20億元,目前產(chǎn)線運轉穩(wěn)定,產(chǎn)品持續(xù)出貨中;于2018年在蘇州吳江開始建造蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產(chǎn)基地,項目投資60億元,蘇州項目一期已于2020年9月完成廠房基本建設和生產(chǎn)設備搬入,2020年12實現(xiàn)試生產(chǎn),預計2021年3月正式投產(chǎn),項目建成后將成為全球產(chǎn)能最大的8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線,全線投產(chǎn)后將形成年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的產(chǎn)能,可創(chuàng)造就業(yè)崗位2000名。

英諾賽科目前總人數(shù)近1000人,成功聚集了國內外硅基氮化鎵領域頂尖的人才。核心技術團隊均來自于國際一流半導體企業(yè),硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗豐富,專業(yè)領域涵蓋:寬禁帶半導體器件原理與器件設計、硅基氮化鎵與碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化技術、硅基氮化鎵與碳化硅功率器件、射頻器件產(chǎn)業(yè)化技術、MOCVD設備技術。

打破國際壟斷

英諾賽科主要產(chǎn)品包括30V-650V 硅基氮化鎵功率及射頻器件。其中30V-650V 系列芯片產(chǎn)品已推出并實現(xiàn)量產(chǎn),高壓650V 器件可應用于汽車、工業(yè)電機等產(chǎn)業(yè),低壓30-200V 器件可應用于數(shù)據(jù)中心自動駕駛激光雷達等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),英諾賽科是世界上唯一能夠同時量產(chǎn)低壓和高壓硅基氮化鎵芯片的企業(yè)。可全面支持上述產(chǎn)業(yè)的關鍵功率芯片應用供應,打破國際壟斷。

英諾賽科與華為、浪潮、小米、OPPO、大疆、比亞迪、禾賽科技、安森美MPS 等國內外廠商開展深入合作,功率器件和射頻器件的應用開發(fā)。

英諾賽科對集微網(wǎng)表示,基于公司氮化鎵高壓芯片的大功率、小型化手機快充已經(jīng)全面推向市場,英諾賽科成為中國唯一一家提供手機快充氮化鎵芯片的企業(yè),打破了美國公司氮化鎵快充芯片在該領域的壟斷局面,公司“InnoGaN”氮化鎵功率器件產(chǎn)品出貨已達數(shù)百萬顆。

英諾賽科低壓氮化鎵產(chǎn)品已取代美國EPC 公司產(chǎn)品,成為中國領先的激光雷達企業(yè)禾賽科技的供應商,實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

此外,英諾賽科已成功開發(fā)出應用于數(shù)據(jù)中心的低壓氮化鎵電源管理芯片產(chǎn)品,可取代原有硅器件,大幅度提升系統(tǒng)效率,降低能耗及運營成本。

英諾賽科與中國最為知名5G射頻基站提供商開展廣泛戰(zhàn)略合作,積極開展應用于5G 基站的硅基氮化鎵射頻芯片開發(fā),并計劃于2021 年開始小批量生產(chǎn),逐步實現(xiàn)5G 應用領域射頻器件國產(chǎn)化。

實力秀肌肉

英諾賽科表示公司采用8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝,相對其他尺寸的生產(chǎn)線,公司8英寸的生產(chǎn)工藝的成本更低和技術工藝更優(yōu)及提高器件的可靠性。

英諾賽科結合德國愛思強MOCVD(G5+)和8英寸CMOS兼容晶圓制造線,解決了化合物半導體晶圓制造良率低、產(chǎn)能小、工藝不穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)化技術瓶頸,成功實現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵器件的大規(guī)模量產(chǎn)。

此外,英諾賽科采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式,成功搭建了8英寸硅基氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈平臺,內容涵蓋研發(fā)、設計、外延生長、芯片制造、測試與失效分析。公司通過自主研發(fā),攻克了8英寸硅晶圓襯底上外延生長氮化鎵單晶材料的世界級難題,在世界上首次實現(xiàn)了8英寸硅基氮化鎵材料與器件的大規(guī)模量產(chǎn),同時填補了國內在該領域的空白。

值得一提的是,英諾賽科在全球范圍內首次成功實現(xiàn)8英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)技術,技術全球領先。該量產(chǎn)技術為國內首次實現(xiàn),解決了國家在第三代半導體領域卡脖子問題,實現(xiàn)了零的突破。英諾賽科產(chǎn)品均具有自主核心知識產(chǎn)權,截止到目前,英諾賽科已申請國內外核心專利超過250項。

第三代半導體走上歷史舞臺

從20世紀60年代起,國際半導體工業(yè)已先后經(jīng)歷了第一代鍺、硅器件和第二代砷化鎵器件兩個時代。目前,電子器件主要基于傳統(tǒng)的硅半導體,經(jīng)過幾十年的發(fā)展,器件的性能已經(jīng)達到硅材料上限,不能滿足進一步提高電能轉換效率的要求,已無法解決5G通信、數(shù)據(jù)中心、汽車等領域對器件高電壓、高效能、高能量密度、高可靠性的要求。因此,以氮化鎵為代表的第三代半導體器件正逐漸走上歷史舞臺。

英諾賽科表示,受制于成本因素,目前氮化鎵功率器件市場滲透率不到1%。未來,技術進步將推動氮化鎵功率器件的成本快速下降,逐漸成為低中壓功率半導體市場的主流產(chǎn)品。氮化鎵功率器件憑借其高頻特性和電源轉換效率,其出貨量預期有較強的增長潛力,有望在功率半導體領域替換硅功率器件。且隨著新能源汽車、5G 通信、數(shù)據(jù)中心、高速軌道交通的快速發(fā)展以及“新基建”的布局,氮化鎵功率器件必將面向更加廣闊的市場。

無論從技術的發(fā)展趨勢、應用導向還是國家政策層面,第三代半導體氮化鎵具有十分廣闊的市場前景。且中國作為全球最大的半導體消費市場,在市場風口到來、產(chǎn)業(yè)火熱加碼布局等利好因素加持下,國內第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在進擊前行。隨著相關企業(yè)持續(xù)擴增產(chǎn)能、降低生產(chǎn)成本、提高產(chǎn)品可靠性,國產(chǎn)第三代半導體器件在下游應用市場的滲透率將日漸提升,并實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

英諾賽科將一如既往堅持創(chuàng)新研發(fā),為“新基建”注入新動能,加快5G通信、數(shù)據(jù)中心等新型基礎設施建設進度,以創(chuàng)新驅動發(fā)展助力中國“芯”突破,在龐大的半導體產(chǎn)業(yè)中實現(xiàn)對進口技術和產(chǎn)品的替代,讓中國成為第三代半導體硅基氮化鎵制造的世界第一。
責任編輯:tzh

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