女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

基本半導(dǎo)體:全力打造國(guó)際一流的碳化硅IDM企業(yè)

我快閉嘴 ? 來(lái)源:愛(ài)集微 ? 作者:James ? 2020-12-24 14:01 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2021中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度最具成長(zhǎng)潛力獎(jiǎng)”征集現(xiàn)已啟動(dòng)!入圍標(biāo)準(zhǔn)要求為營(yíng)收500萬(wàn)-1億元的未上市、未進(jìn)入IPO輔導(dǎo)期的半導(dǎo)體行業(yè)優(yōu)秀企業(yè)。評(píng)選將由中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟129家會(huì)員單位及400多位半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任評(píng)選評(píng)委。獎(jiǎng)項(xiàng)的結(jié)果將在2021年1月份中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國(guó)IC 風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮上揭曉。

本期候選企業(yè):深圳基本半導(dǎo)體有限公司(下稱“基本半導(dǎo)體”)。

基本半導(dǎo)體2016年在深圳設(shè)立,天眼查顯示其注冊(cè)資本為3556.8255萬(wàn)人民幣,基本半導(dǎo)體致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。基本半導(dǎo)體建立了一支國(guó)際一流的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化創(chuàng)新團(tuán)隊(duì),對(duì)碳化硅器件的材料制備、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝、封裝測(cè)試等各方面進(jìn)行研發(fā),覆蓋產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)。

基本半導(dǎo)體董事兼總經(jīng)理和巍巍博士介紹到:“今年基本半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、市場(chǎng)拓展和產(chǎn)業(yè)布局等方面都有比較大的突破。公司加快了產(chǎn)品更新迭代速度,產(chǎn)品性能持續(xù)優(yōu)化,產(chǎn)品類型進(jìn)一步豐富。”

值得一提的是,雖然2020年整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受疫情沖擊,且中美貿(mào)易問(wèn)題給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了更高的不確定性。但這也使得國(guó)產(chǎn)替代速度加快,基本半導(dǎo)體也在這波浪潮下登上發(fā)展新高峰。

基本半導(dǎo)體今年推出的內(nèi)絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級(jí)管可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)步驟,提升生產(chǎn)效率和整機(jī)的長(zhǎng)期可靠性,改善困擾開(kāi)關(guān)電源等產(chǎn)業(yè)界的安裝工藝問(wèn)題。新推出的DFN8*8封裝碳化硅肖特基二級(jí)管適用于緊湊設(shè)計(jì),相較于TO-252封裝和TO-263封裝寄生電感更低,可廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、快充等多個(gè)領(lǐng)域。和巍巍表示:“基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在5G新能源汽車、高效電源等領(lǐng)域表現(xiàn)搶眼,市場(chǎng)覆蓋率和占有率也在穩(wěn)步提升,得到了客戶的廣泛認(rèn)可。”

目前除了特斯拉等海外汽車企業(yè)外,小鵬汽車、比亞迪等國(guó)產(chǎn)品牌開(kāi)始加快在車上導(dǎo)入碳化硅功率器件。對(duì)于這一市場(chǎng)需求變化,和巍巍認(rèn)為主要?dú)w功于碳化硅功率器件的性能,“碳化硅具有高頻、高功率密度、高壓、耐高溫等優(yōu)勢(shì),應(yīng)用于新能源汽車領(lǐng)域有助于提升整車的性能。新能源汽車是未來(lái)碳化硅最為重要的市場(chǎng)之一。基本半導(dǎo)體也在加緊對(duì)新能源汽車領(lǐng)域的布局。”

相較于國(guó)外供應(yīng)商,基本半導(dǎo)體可為客戶提供高性價(jià)的產(chǎn)品和定制化服務(wù)。公司建有專業(yè)的碳化硅功率器件工程實(shí)驗(yàn)室,是專注于研發(fā)設(shè)計(jì)驗(yàn)證、新材料技術(shù)應(yīng)用、產(chǎn)品功能試驗(yàn)和可靠性試驗(yàn)的綜合實(shí)驗(yàn)室,本地化技術(shù)支持能力強(qiáng)。和巍巍表示,“在國(guó)內(nèi),基本半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì)及封裝技術(shù)均處于行業(yè)領(lǐng)先水平。早在2018年,我們就推出了通過(guò)工業(yè)級(jí)可靠性測(cè)試的1200V碳化硅MOSFET。此外,公司自主研發(fā)的碳化硅二極管產(chǎn)品已通過(guò)AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證。基本半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)碳化硅功率模塊國(guó)際化研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有30多年的模塊設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),同時(shí)基于在分立器件方面的技術(shù)積累,基本半導(dǎo)體研發(fā)的車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模塊在柵極電輸入電容等多項(xiàng)參數(shù)上具有突出優(yōu)勢(shì)。”

基本半導(dǎo)體不僅注重增強(qiáng)創(chuàng)新能力,也十分關(guān)注產(chǎn)品質(zhì)量管控。基本半導(dǎo)體的全系碳化硅分立器件、模塊分別參照AEC-Q101、AQG-324進(jìn)行可靠性測(cè)試,產(chǎn)品從設(shè)計(jì)到驗(yàn)證都遵循車企標(biāo)準(zhǔn),嚴(yán)格按照車企要求打造車規(guī)級(jí)質(zhì)量體系。

得益于產(chǎn)品創(chuàng)新和技術(shù)革新,基本半導(dǎo)體一直保持高速成長(zhǎng)的狀態(tài)。對(duì)于下一步的規(guī)劃,和巍巍表示:“目前基本半導(dǎo)體位于北京的晶圓產(chǎn)線已經(jīng)通線,南京外延產(chǎn)線基地將于2021年建成投產(chǎn),針對(duì)新能源汽車領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體籌備的汽車級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)線預(yù)計(jì)于2021年投產(chǎn),建成后公司制造實(shí)力將得到大幅提升。基本半導(dǎo)體從全局和戰(zhàn)略高度出發(fā),通過(guò)加速布局產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié),進(jìn)一步增強(qiáng)行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力,改善供應(yīng)鏈抗風(fēng)險(xiǎn)能力,提升服務(wù)質(zhì)量,全力打造國(guó)際一流的碳化硅IDM企業(yè)。”
責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28969

    瀏覽量

    238923
  • IC
    IC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    36

    文章

    6134

    瀏覽量

    179658
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    42

    文章

    1936

    瀏覽量

    92855
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類,無(wú)論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之。圖片來(lái)源:Pixabay、Pexels單晶方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?199次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第三代<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用 、引言 在電力電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能,成為推動(dòng)高效能電力轉(zhuǎn)
    的頭像 發(fā)表于 06-10 08:38 ?247次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)路徑。國(guó)產(chǎn)SiC
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?365次閱讀

    基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

    近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕。基本半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門(mén)極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相,并隆重發(fā)布新
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:19 ?480次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>攜<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件亮相PCIM Europe 2025

    基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?305次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    的此消彼長(zhǎng)。這現(xiàn)象不僅是企業(yè)個(gè)體的興衰,更是技術(shù)迭代、政策支持、市場(chǎng)需求與資本流向共同作用的結(jié)果。以下從多個(gè)維度解析這“東升西降”的產(chǎn)業(yè)格局演變。 Wolfspeed的危機(jī)標(biāo)志著歐美SiC
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?553次閱讀

    納微半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

    近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造
    的頭像 發(fā)表于 02-07 13:35 ?671次閱讀
    納微<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>氮化鎵和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術(shù)進(jìn)入戴爾供應(yīng)鏈

    碳化硅半導(dǎo)體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅半導(dǎo)體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1405次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    安森美在碳化硅半導(dǎo)體生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)及碳化硅制造挑戰(zhàn),本文為白皮書(shū)第二部分,將重點(diǎn)介紹碳化硅生態(tài)系統(tǒng)的不斷演進(jìn)及安森美(
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?569次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開(kāi)這技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議

    ????????意法半導(dǎo)體與雷諾集團(tuán)簽署長(zhǎng)期供貨協(xié)議,保證安培碳化硅功率模塊的供應(yīng)安全。
    的頭像 發(fā)表于 12-05 10:41 ?721次閱讀

    碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢(shì),其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)使其成為新代高性能半導(dǎo)體材料的佼佼者。以下是對(duì)碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?971次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)SiC制造工藝的詳細(xì)介紹: 原材料選擇與預(yù)處理 SiC生產(chǎn)的基礎(chǔ)在于原材料的精
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?4563次閱讀

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3162次閱讀