據(jù)媒體今日報道，比亞迪半導體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀日前表示，比亞迪車規(guī)級的IGBT已經(jīng)走到5代，碳化硅MOSFET已經(jīng)走到3代，第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建SiC產(chǎn)線，預計到明年有自己的產(chǎn)線。

據(jù)了解，比亞迪半導體以IGBT和SiC為核心，擁有IDM功率半導體產(chǎn)業(yè)，包括芯片設計、晶圓制造、模塊封裝測試以及整車應用。目前，比亞迪已研發(fā)出SiC MOSFET。比亞迪旗艦車型漢EV四驅版正是國內(nèi)首款批量搭載Sic MOSFET組件的車型。按照比亞迪公布的計劃，預計到 2023 年，其旗下電動車將實現(xiàn)碳化硅功率半導體對 IGBT的全面替代，整車性能在現(xiàn)有基礎上再提升10％。

比亞迪半導體宣布自建SiC產(chǎn)線或許與其SiC產(chǎn)能不足有關。9月17日，比亞迪半導體功率半導體產(chǎn)品中心芯片研發(fā)總監(jiān)吳海平在接受專訪時回應稱，目前，SiC的產(chǎn)能仍在爬坡，而漢EV后驅版的預定量非常多，遠超企業(yè)預期，因此造成供貨趕不上需求的問題。但他也表示，從第四季度開始，SiC產(chǎn)能將能持續(xù)滿足漢EV四驅版的銷售需求。”

比亞迪半導體之外，近期，國內(nèi)其他半導體龍頭布局SiC的消息不斷。

此前12月17日，斯達半導公告擬計劃總投資2.29億元，投資建設年產(chǎn)8萬顆車規(guī)級全SIC功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測試中心；同月，三安集成宣布已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。

另外，應用端，電動車龍頭公司也已經(jīng)走在了前列。特斯拉此前在Model3率先采用以24個SIC-MOSFET為功率模塊的逆變器。

資料顯示，目前SiC最大的應用市場在新能源汽車的功率控制單元（PCU）、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等。而根據(jù)Omdia預計，2020年全球功率半導體市場規(guī)模約為431億美元，至2024年將突破500億美元。

安信證券12月21日發(fā)布研報稱，新能源汽車及光伏加速普及，SiC迎來大發(fā)展機遇，SiC基功率器件有望取代Si基，超400億美元市場待開拓。中泰證券也在12月17日發(fā)布研報，預計2021年汽車領域SIC有望進入放量元年。

具體到投資機會，中泰證券表示，產(chǎn)業(yè)鏈以歐美日為主，國產(chǎn)替代空間較大。國企業(yè)在襯底、外延和器件方面均有所布局，但是體量均較小。國內(nèi)SIC襯底材料廠商中，已上市公司包括：露笑科技、天科合達，器件商斯達半導、華潤微、揚杰科技等。

安信證券則稱，國內(nèi)基本已實現(xiàn)SiC襯底、外延、器件設計、制造、封測、生產(chǎn)設備等全產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋，設備、材料廠商具備先發(fā)優(yōu)勢，有望率先受益。該機構重點推薦晶盛機電、建議關注華峰測控、天通股份。
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