女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

法國Aledia試線實現300mm硅晶圓microLED芯片的開發生產

MEMS ? 來源:MEMS ? 作者:MEMS ? 2020-12-23 10:40 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據麥姆斯咨詢報道,多年默默耕耘的法國microLED顯示器初創企業Aledia已在CEA-Leti中試線實現300mm(12英寸)硅晶圓microLED芯片的開發生產。

Aledia率先推出了具有突破性意義的microLED顯示技術,并宣布已制造出全球首批300mm(12英寸)硅晶圓microLED芯片。

Aledia在過去八年里一直采用200mm(8英寸)硅晶圓進行技術開發,將實現8英寸和12英寸晶圓生產。

Aledia發布全球首批12英寸硅晶圓microLED芯片

Aledia表示,隨著電子器件的關鍵尺寸向更小的工藝節點推進,大尺寸晶圓可提供更高的經濟效應,只有12英寸硅晶圓才能滿足需求。2012年,Aledia從法國研究機構CEA-Leti剝離出來后,專注于開發微米/納米技術。Aledia和CEA-Leti的聯合團隊已經完成了基于12英寸晶圓的microLED芯片開發工作。

Aledia首席執行官兼聯合創始人Giorgio Anania表示:“我們相信,在12英寸硅晶圓上生產microLED仍屬世界首創之舉,為這項技術帶來了巨大的潛在批量生產能力。”

“晶圓尺寸增大,可以在單片12英寸晶圓上制造出60~100片智能手機顯示屏,而當前LED行業標準4英寸藍寶石襯底大約只能制造4~6片。Aledia的納米線LED技術(3D LED)采用標準厚度為780μm的硅晶圓,利用現有的工藝和設備就能實現。”

傳統的平面2D microLED是通過將氮化鎵(GaN)平坦層沉積在直徑為100mm(4英寸)和150mm(6英寸)的藍寶石晶圓上實現,如今多數晶圓尺寸還是4英寸。

Aledia的microLED技術是在大尺寸硅晶圓上生長出GaN納米線(直徑為亞微米級的GaN晶體),稱其為“3D”。2D芯片會出現應力問題,并且應力會隨著晶圓尺寸的增加而累積。但3D納米線技術不會出現應力問題,因此可以使用超大尺寸晶圓。

此外,這種硅基技術能夠直接在傳統的硅晶圓代工廠中完成生產,迅速上量,并以極高的良率進行量產。

CEA-Leti首席執行官Emmanuel Sabonnadière表示:“很高興能幫助Aledia在我們的12英寸硅基生產線中推進3D LED制造的最新水平。3D納米線microLED有滲透到大型顯示器市場的巨大潛力。CEA-Leti積極支持顯示器行業向microLED技術的過渡。”

各種顯示技術的特性對比
(來源:《MicroLED顯示技術、市場及機遇-2020版》)

Anania補充說:“我們認為,大尺寸晶圓、在硅基晶圓代工廠生產,這兩點是保證為最終用戶批量交付產品的唯一方法。例如,如果僅將60英寸以及更大尺寸的大屏幕電視采用硅納米線技術以獲得更好的圖像質量和更低的制造成本,那么每年將需要2400萬片12英寸晶圓。如此大的需求量,只有硅基晶圓產業鏈才有能力交付。智能手機、筆記本電腦和平板電腦將是最重要的市場。”

責任編輯:xj

原文標題:法國初創公司Aledia首推12英寸硅晶圓microLED芯片

文章出處:【微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    459

    文章

    52452

    瀏覽量

    439967
  • 晶圓
    +關注

    關注

    53

    文章

    5151

    瀏覽量

    129686
  • 12寸
    +關注

    關注

    0

    文章

    5

    瀏覽量

    6510
  • MicroLED
    +關注

    關注

    31

    文章

    628

    瀏覽量

    39068

原文標題:法國初創公司Aledia首推12英寸硅晶圓microLED芯片

文章出處:【微信號:MEMSensor,微信公眾號:MEMS】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    英飛凌宣布推出全球最薄功率,國產器件同質化競爭的情況要加劇了?

    電子發燒友網報道(文/吳子鵬)日前,英飛凌宣布推出全球最薄功率,成為首家掌握20μm超薄功率半導體處理和加工技術的公司。
    的頭像 發表于 10-31 01:12 ?3408次閱讀

    英飛凌12英寸氮化鎵可擴展生產步入正軌,四季度可交付樣品

    7 月 5 日消息,英飛凌德國當地時間 7 月 3 日宣布,其在 300mm上的可擴展氮化鎵 (GaN) 生產已步入正軌,首批樣品將于 2025 年第四季度向客戶提供。 英飛凌稱其
    的頭像 發表于 07-07 18:10 ?526次閱讀

    半導體IPO:產能爬坡,300mm硅片三年貢獻14.2億元

    (電子發燒友網綜合報道)6月13日,上海超半導體股份有限公司(以下簡稱:上海超)科創板IPO申請獲受理。上海超主要從事200mm300mm
    的頭像 發表于 06-16 09:09 ?4652次閱讀
    超<b class='flag-5'>硅</b>半導體IPO:產能爬坡,<b class='flag-5'>300mm</b>硅片三年貢獻14.2億元

    日本Sumco宮崎工廠計劃停產

    日本制造商Sumco宣布,將在2026年底前停止宮崎工廠的
    的頭像 發表于 02-20 16:36 ?440次閱讀

    Sumco計劃2026年底前停止宮崎工廠生產

    近日,日本知名制造商Sumco宣布了一項重要戰略決策,計劃于2026年底前停止其宮崎工廠的
    的頭像 發表于 02-13 16:46 ?691次閱讀

    制造及直拉法知識介紹

    第一個工藝過程:及其制造過程。 ? 為什么制造如此重要 隨著技術進步,的需求量持續增
    的頭像 發表于 01-09 09:59 ?1142次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造及直拉法知識介紹

    為什么要減薄

    300mm的厚度為775um,200mm的度為725um,這個厚度在實際封裝時太厚了。前
    的頭像 發表于 12-24 17:58 ?1139次閱讀

    RFID跟蹤晶片生產-FOUP生產車間

    在半導體晶片生產工廠中,每天都會有大量的芯片在生產、傳輸,通過RFID技術,可以對盒進行識別、智能管理,確定晶片在生產過程中的工藝流程、
    的頭像 發表于 11-29 17:46 ?757次閱讀
    RFID跟蹤晶片<b class='flag-5'>生產</b>-FOUP<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>盒<b class='flag-5'>生產</b>車間

    英飛凌推出全球最薄功率,突破技術極限并提高能效

    已獲認可并向客戶發布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵(GaN)功率半導體和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠之后,英飛凌
    的頭像 發表于 10-31 08:04 ?568次閱讀
    英飛凌推出全球最薄<b class='flag-5'>硅</b>功率<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>,突破技術極限并提高能效

    氮化鎵在劃切過程中如何避免崩邊

    9月,英飛凌宣布成功開發出全球首款12英寸(300mm)功率氮化鎵(GaN)。12英寸
    的頭像 發表于 10-25 11:25 ?1565次閱讀
    氮化鎵<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>在劃切過程中如何避免崩邊

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的的制備工藝流程比較復雜,加工工序
    的頭像 發表于 10-21 15:22 ?1089次閱讀

    英飛凌率先開發全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術,推動行業變革

    科技股份公司今天宣布,已成功開發出全球首項300mm氮化鎵(GaN)功率半導體技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握
    的頭像 發表于 09-13 08:04 ?654次閱讀
    英飛凌率先<b class='flag-5'>開發</b>全球首項<b class='flag-5'>300mm</b>氮化鎵功率半導體技術,推動行業變革

    英飛凌率先開發全球首項300 mm氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革

    可擴展的大規模生產環境中掌握這一突破性技術的企業。這項突破將極大地推動GaN功率半導體市場的發展。相較于 200 mm300
    發表于 09-12 11:03 ?1456次閱讀
    英飛凌率先<b class='flag-5'>開發</b>全球首項<b class='flag-5'>300</b> <b class='flag-5'>mm</b>氮化鎵功率半導體技術, 推動行業變革

    Raontech簽署MicroLED背板供應大單

    是向客戶提供高質量的LEDoS(基LED、microLED)背板,標志著Raontech在微顯示技術領域的又一里程碑式突破。
    的頭像 發表于 08-15 10:16 ?772次閱讀

    碳化硅的區別是什么

    。而是傳統的半導體材料,具有成熟的制造工藝和廣泛的應用領域。 制造工藝: 碳化硅的制造工藝相對復雜,需要高溫、高壓和長時間的生長過
    的頭像 發表于 08-08 10:13 ?3031次閱讀