數(shù)字信息

高通第四財季凈利潤29.60億美元，同比去年增長485%

高通今天發(fā)布了2020財年第四財季及全年財報。報告顯示，高通第四財季凈利潤為29.60億美元，相比之下去年同期的凈利潤為5.06億美元，同比大增485%；營收為83.46億美元，比去年同期的48.14億美元增長73%。不按照美國通用會計準則，高通第四財季調整后凈利潤為16.69億美元，比去年同期的947億美元增長76%。

高通第四財季業(yè)績超出華爾街分析師預期，而且對2020財年第一財季調整后每股收益的展望也超出預期，推動其盤后股價大幅上漲近10%。

雷軍開場帶來硬核：2021年小米擴招5000名工程師

小米MIDC大會2020在北京小米科技園召開，小米集團創(chuàng)始人、集團董事長兼CEO雷軍宣布：“重視人才隊伍的建設。人才是創(chuàng)新之源，提升技術實力的第一步，就是聚攏最頂尖的人才。小米2021年將在十大領域擴張5000名工程師。”

談到小米未來人才引進目標，雷軍表示：“今年疫情影響了各行各業(yè)，但是小米啟動了創(chuàng)業(yè)以來規(guī)模最大的校園招聘。2020年，小米共入職了2252名大學生，其中研究生以上學歷達1470人。2021年，小米將在十個領域擴招5000名工程師，占小米目前員工總數(shù)的近40%。未來我們還將不斷補充新鮮血液，建立一個全球頂級技術團隊，把小米打造成全球首屈一指的科技公司。”

最后雷軍表示：“小米將在相機、屏幕、充電、IoT、智能制造等多個領域繼續(xù)加強研發(fā)投入，并把人才作為了小米發(fā)展的根本大計。”

四面來聲

沃達豐與HORIBA MIRA合作將5G應用于無人駕駛汽車

據(jù)Information-age 11月2日報道，沃達豐與汽車工程公司HORIBA MIRA達成合作，將5G應用于自動駕駛汽車。為了促進英國的自動駕駛汽車業(yè)務發(fā)展，沃達豐將部署4G/5G移動專網，提升HORIBA MIRA自動駕駛能力。這將為HORIBA MIRA包括汽車制造商、自動駕駛干擾器及其供應商在內的客戶，提供新的工程、測試、驗證和確認方法。沃達豐將致力于提高連接和無人駕駛車輛的性能，包括提高車輛與交通信號等周邊基礎設施之間通信的效率。

愛立信10億美元收購美國無線解決方案專業(yè)公司Cradlepoint

近日，愛立信表示已完成對總部位于美國的無線解決方案專業(yè)公司“Cradlepoint”的收購。一個多月前，愛立信公司剛剛宣布了這項10億美元的收購計劃。

愛立信表示將使用現(xiàn)金支付這筆收購，最終數(shù)字略低于它在首次宣布交易時宣布的11億美元。同時，愛立信解釋稱，預計其運營利潤率將在2021年和2022年受到約1%的負面影響，其中一半與收購產生的無形資產攤銷有關。預計從2022年開始，“Cradlepoint”將為運營現(xiàn)金流做出貢獻。

消息簡報

中國將擴展半導體行業(yè)市場

Strategy Analytics近期發(fā)布的研究報告《重要的28nm CMOS節(jié)點上中國自給自足：計劃能夠成功》指出，中國“國家集成電路產業(yè)投資基金二期”的成立，可能會推動中國在兩年內在至關重要的28nm特征尺寸的集成電路生產方面幾乎實現(xiàn)自給自足。正如該報告所述，這只是中美之間爆發(fā)技術冷戰(zhàn)的后果之一。

Strategy Analytics射頻與無線元件服務總監(jiān)兼報告的作者Christopher Taylor表示：“美國政府為切斷對中國某些商業(yè)電子生產商的半導體銷售所做的一切，將會推動中國在發(fā)展自己本土產品方面的努力。隨著中國面臨從美國及其盟國進口芯片，半導體生產設備和電子設計軟件的日益嚴格的限制，向自給自足的轉變應有助于使華為，海思，中芯國際以及眾多其它的中國消費電子公司的客戶安心。但是，后果可能包括美國半導體行業(yè)和美國盟友的市場份額下降和生產成本提高。”

Strategy Analytics戰(zhàn)略技術副總裁Stephen Entwistle補充說：“預計到2020年，中國將成為半導體生產設備的最大買主，直到美國對半導體設備限令開始實施。二期投資的一部分用于開發(fā)自己的光刻，蝕刻，薄膜沉積和晶片清潔設備。”

武漢重大項目計劃：國家存儲器基地、武漢新芯12英寸線等項目入列

10月底，湖北武漢發(fā)改委發(fā)布2020年市級重大項目計劃表，包括162個重大在建項目計劃、90個重大新開工項目計劃、以及49個重大前期項目計劃，涵蓋多個集成電路產業(yè)項目。

其中，重大在建項目計劃中包括：總投資815億元的國家存儲器基地 (一期)項目和總投資135.7億元的武漢新芯12英寸集成電路生產線項目二期工程項目等。

國家存儲器基地(一期)項目，落地于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，一期項目計劃總投資815億元，2020年計劃投資50億元，在2016年12月30日正式開工建設，將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產廠房，預計2020年完成整個項目，總產能將達到30萬片／月，年產值將超過100億美元。

武漢新芯12英寸集成電路生產線項目二期工程，武漢新芯集成電路制造有限公司于2018年8月28日啟動二期集成電路生產線擴產項目，預計總投資135.7億元，2020年計劃投資3億元。該項目將建設自主代碼型閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務平臺，進軍物聯(lián)網市場。

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