11月20日,據(jù)韓Meizu消息,三星確定在美國德州奧斯汀新建采用極紫外光(EUV)技術(shù)的半導(dǎo)體工廠,項目總投資規(guī)模約100億美元!
據(jù)報導(dǎo),據(jù)三星以及相關(guān)行業(yè)人士近日透露,三星電子將在德州奧斯汀建立晶圓廠,并使用EUV光刻機臺,生產(chǎn)非記憶體半導(dǎo)體與系統(tǒng)LSI產(chǎn)品,投資規(guī)模預(yù)估100億美元,月產(chǎn)能約7萬片。
為了搶攻在2030年成為非記憶體半導(dǎo)體龍頭地位,南韓砸大錢向ASML買進EUV機臺,三星集團副會長李在镕日前也親赴ASML在荷蘭總部,希望能向該公司趕緊拉貨,為的就是希望能在先進制程上打敗臺積電。
韓媒曾報導(dǎo),三星還進攻客制化系統(tǒng)單芯片(SoC) 團隊,讓旗下系統(tǒng)LSI 部門成立「 Custom SoC 」客制化單芯片團隊,與全球各大ICT 廠商建立緊密合作關(guān)系。
據(jù)悉,三星啟動了一個“半導(dǎo)體2030計劃”,希望在2030年之前投資133萬億韓元,約合1160億美元成為全球最大的半導(dǎo)體公司,其中先進邏輯工藝是重點之一,目標就是要追趕上臺積電。在最近的幾代工藝上,三星的量產(chǎn)進度都落后于臺積電,包括10nm、7nm及5nm,不過5nm算是縮短了差距,今年也量產(chǎn)了,此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。
但三星追趕臺積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上,因為這一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管,是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的,而臺積電比較保守,3nm還是用FinFET,2nm上才會使用GAA工藝。
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原文標題:重磅!三星在美國建EUV工廠!
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