由于在過去5年里，英特爾在工藝技術(shù)進(jìn)度方面的不給力，一再延誤，使得臺(tái)積電和三星已經(jīng)奠定了業(yè)內(nèi)兩強(qiáng)的地位。近兩年來，三星與臺(tái)積電在更先進(jìn)芯片制程上，你追我趕，競爭十分激烈。

三星：誓要追趕 但現(xiàn)實(shí)骨感

三星自從進(jìn)入10nm時(shí)代以后，其與臺(tái)積電的競爭一直處于下風(fēng)，若能拿到英特爾的大單，無疑是一種振奮，可進(jìn)一步增強(qiáng)其今后與臺(tái)積電競爭的底氣和決心。

總體來看，臺(tái)積電在良率和穩(wěn)定性方面有明顯優(yōu)勢。為了提升競爭力，三星調(diào)整了晶圓代工的業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，而臺(tái)積電在不斷鞏固自身的優(yōu)勢。

預(yù)估今年第3季全球晶圓代工市場，臺(tái)積電仍將以過半、53．9％市占率稱王，且年成長率高達(dá)21％。

而三星則以17．4％位居第二，年成長率為4％，雖然比第一季的18．8％略有下滑，但主要出自于Galaxy S20銷售狀況不佳所致，若下半年智能型手機(jī)市場能扳回一城，市占率表現(xiàn)上依舊有機(jī)會(huì)緊咬臺(tái)積電不放。

盡管三星在短期內(nèi)難以實(shí)現(xiàn)這樣的目標(biāo)，但是有望從臺(tái)積電手中奪得部分市占率。

而夢回現(xiàn)實(shí)，三星先進(jìn)制程發(fā)展落后給臺(tái)積電，有另一個(gè)原因是因?yàn)槿羌瘓F(tuán)還有記憶體部門需要發(fā)展，因此分散了研發(fā)能量。

三星因?yàn)椴⒎侨缗_(tái)積電專精于晶圓代工，因此在產(chǎn)能的分配上，以及滿足各種客戶不同IC設(shè)計(jì)規(guī)格的需求，三星就沒有臺(tái)積電這樣快速調(diào)整的本事。

三星作為一個(gè)IDM半導(dǎo)體業(yè)者，同時(shí)又身兼晶圓代工，若是有手機(jī)芯片IC設(shè)計(jì)業(yè)者要來下單，難免會(huì)擔(dān)心企業(yè)的商業(yè)機(jī)密被竊取，而這一點(diǎn)一直是三星的致命傷。

臺(tái)積電：“糧草”在手 說走就走

三星晶圓代工目標(biāo)雖遠(yuǎn)大，但現(xiàn)實(shí)卻是業(yè)界頻傳良率低落、工藝延遲與未有大單落袋。

事實(shí)上，臺(tái)積電力奪7納米／7納米EUV首勝，已于第2季量產(chǎn)5納米，至年底由蘋果包下大宗產(chǎn)能，2021年再推出5納米加強(qiáng)版，而隸屬于5納米家族的4納米，預(yù)計(jì)2021年第4季試產(chǎn)，2022年下半年量產(chǎn)。

臺(tái)積電的5nm工藝在今年一季度就已大規(guī)模投產(chǎn)，三季度貢獻(xiàn)了約10億美元的營收，預(yù)計(jì)四季度將超過26億美元。

在更先進(jìn)的3nm工藝方面，臺(tái)積電目前也在按計(jì)劃推進(jìn)，計(jì)劃在2021年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2022年大規(guī)模投產(chǎn)。

臺(tái)積電2納米工藝取得重大突破，并有望2023年下半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，良率可以達(dá)到90％，2024年大規(guī)模投產(chǎn)。

此外，臺(tái)積電還宣布2021年正式量產(chǎn)3 nm工藝，這些都給了競爭對手極大壓力。

在近日臺(tái)積電揭露的2020年第3季業(yè)績與第4季、全年展望中表現(xiàn)令市場驚艷，預(yù)計(jì)新制程開始導(dǎo)入后，至少6—8季的毛利率會(huì)低于其他制程平均值。

近期蘋果iPhone12的持續(xù)數(shù)月的瘋狂刷屏順帶也為臺(tái)積電5nm制程站了臺(tái)，這想必也給三星造成了極大壓力。

臺(tái)積電2nm基地將落至新竹寶山，其將投入將近6000億新臺(tái)幣，建設(shè)研發(fā)、生產(chǎn)基地。而在近來，臺(tái)媒又傳來臺(tái)積電2nm新消息。

而臺(tái)積電與蘋果的合作有望持續(xù)至2nm階段，同時(shí)輝達(dá)等的先進(jìn)制程大單，也都有望被臺(tái)積電收入囊中。

遙遙領(lǐng)先的臺(tái)積電仍存忌憚

臺(tái)積電也有所顧慮，并不是因?yàn)槟壳暗闹瞥踢M(jìn)度上有閃失，而是三星在后面的緊追不舍。

近些年，三星一直在積極投資以擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)，并表示要在 2030 年前超越臺(tái)積電成為代工業(yè)的領(lǐng)頭羊。

3納米架構(gòu)率先由三星喊出將從目前采用的FinFET（鰭式晶體管）改變成GAA（閘極全環(huán)）。此舉是為了搶救現(xiàn)在三星在7納米、5納米良率偏低的原因。

但近期三星宣布，將生產(chǎn)最先進(jìn)的DRAM產(chǎn)品，同時(shí)提供新世代V－NAND與晶圓代工解決方案，目的就是為了鞏固三星在工業(yè)4．0時(shí)代技術(shù)領(lǐng)先的地位。

臺(tái)積電一直以來在價(jià)格上比較強(qiáng)悍，而三星過往都有可能以低于臺(tái)積電20－35％的價(jià)格來搶單。

EUV光刻設(shè)備成為制造關(guān)鍵

后續(xù)臺(tái)積電每年會(huì)引進(jìn)約20－30臺(tái)EUV設(shè)備，預(yù)計(jì)在2025年末會(huì)擁有約185臺(tái)EUV設(shè)備；三星電子的目標(biāo)是在2025年末擁有約100臺(tái)EUV設(shè)備，從ASML的生產(chǎn)產(chǎn)能來看，相當(dāng)困難。

如上所述，三星電子無法熟練操作使用EUV設(shè)備、且照此發(fā)展下去，很難確保其引進(jìn)的設(shè)備數(shù)量。

如果三星電子維持現(xiàn)狀，那么與臺(tái)積電的差距將會(huì)越來越大。為了打破這一危機(jī)情況，三星電子的真正Top——李副會(huì)長與ASML的CEO＆CTO進(jìn)行了直接會(huì)談。

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》日前報(bào)道，預(yù)估臺(tái)積電明年EUV機(jī)臺(tái)將超過50臺(tái)，幾乎全球一半EUV光刻機(jī)臺(tái)都在臺(tái)積電手里，但臺(tái)積電不予置評，因?yàn)樯婕吧虡I(yè)機(jī)密。

至于李在镕積極與ASML拉貨，目前臺(tái)積電仍以超過50％市占率穩(wěn)居第一，三星以17％居次，但仍希望在5納米、3納米制程追上什至超越臺(tái)積電。

三星確定采用新一代生產(chǎn)技術(shù)EUV光刻機(jī)的量產(chǎn)體制，計(jì)劃用十年的時(shí)間來挑戰(zhàn)臺(tái)積電世界首位的地位。

三星要想實(shí)現(xiàn)篡位目標(biāo)，非得加大EUV采購不可。ASML包括已交付和已接單的EUV總數(shù)約70臺(tái)，臺(tái)積電就過半，三星已啟用10臺(tái)，就算加上李在镕親催提早交貨9臺(tái)，數(shù)量上勉強(qiáng)可以暫時(shí)逼近臺(tái)積電已啟用的20幾臺(tái)。

結(jié)尾：

三星想要在十年的時(shí)間里要超越臺(tái)積電搶占第一，看來還是有一定的難度。不過三十年河西，三十年河?xùn)|，只能說這個(gè)一個(gè)富有挑戰(zhàn)的目標(biāo)，而至于結(jié)果還得等到那時(shí)候揭曉。

責(zé)任編輯：xj