11 月 16 日消息據(jù)韓國媒體上周報道,韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術方面取得了極大進展。但并沒有提到是哪一家企業(yè),合理推測應指代韓國整個半導體光刻產(chǎn)業(yè)。
EUV 光刻技術是多種先進技術的復合體,例如多層反射鏡,多層掩模,防護膜,光源和注冊表(registries)。
在過去的十年中,包括三星電子在內的全球公司進行了深入的研究和開發(fā),以確保技術處于領先地位。最近,代工公司(意指三星)開始使用 5 納米 EUV 光刻技術來生產(chǎn)智能手機的應用處理器(AP)。
按公司劃分,全球六大公司的專利申請數(shù)占了總數(shù)的 59%,卡爾蔡司(德國)占 18%,三星電子(韓國)占 15%,ASML(荷蘭)占 11%,S&S Tech(韓國)占 8%,臺積電(臺灣)為 6%,SK 海力士(韓國)為 1%。
從具體的技術項目來看,曝光裝置技術申請專利占 31%,掩膜技術申請專利占 28%,其他申請專利占 9%。在工藝技術領域,三星電子占 39%,臺積電占 15%。在光罩領域,S&S 科技占 28%,Hoya(日本)占 15%,漢陽大學 (韓國)占 10%,朝日玻璃 (日本)占 10%,三星電子占 9%。
據(jù)了解,韓媒還提到了韓國專利數(shù)量,據(jù)韓國知識產(chǎn)權局 (KIPO)發(fā)布的《近 10 年 (2011-2020 年)專利申請報告》顯示,2019 年,韓國提交的專利申請數(shù)量為 40 件,超過了國外企業(yè)的 10 件。
韓媒稱這是韓國提交的專利申請量首次超過國外企業(yè)。到 2020 年,韓國提交的專利申請也將是國外企業(yè)申請的兩倍以上。
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原文標題:韓媒:韓國本土企業(yè)在 EUV 光刻技術方面取得重大進展
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