三星屏幕恢復對華為供貨：內存閃存想獲許可困難
今日，數家外媒援引消息人士報道稱，三星Display已經拿到了美方的許可令，獲準繼續向華為出貨OLED顯示面板。
有報道跟進稱，三星Display是韓企中第一家拿到許可的廠商，而之所以審批這么快，除了三星第一時間就提交申請并積極斡旋之外，更重要的是，美方發現，顯示屏領域的競爭較為充分，可替代廠商比較多，并不需要施加很嚴格的壓力。
從這個角度來看的話，同樣已經提交申請解禁的LG Display，或許很快也能收到答復了。
不過，三星和SK海力士提交的存儲芯片申請恐怕就沒那么順利了，這才是美方施展卡脖子手段的關鍵。至少在目前，內存等半導體芯片的復供申請均未得到許可。
雖然Intel的處理器可替代性也很低，但該公司上月強調，其早就爭取到了對華為繼續供貨的資格。
責任編輯：PSY
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15888瀏覽量
182342 -
華為
+關注
關注
216文章
35207瀏覽量
255841 -
內存
+關注
關注
8文章
3122瀏覽量
75245
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
新思科技（Synopsys）、西門子、楷登電子（Cadence）三大巨頭恢復對華EDA銷售
新思科技（Synopsys）、西門子、楷登電子（Cadence）三大芯片設計軟件巨頭正式恢復對華供貨；意味著美國已正式取消對中國芯片設計軟件（EDA）出口限制。 據外媒彭博社報道，美國
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業求購指紋
發表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
三星電子在 HBM3 時期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內存市場份額拱手送給主要競爭對手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用
發表于 04-18 10:52
諾基亞與三星正式達成多年專利許可合作
近日，諾基亞宣布了一項與三星達成的多年專利許可協議。該協議標志著兩家科技巨頭在專利交叉授權領域的新一輪合作，特別是針對電視視頻技術的使用。 據諾基亞于1月15日發布的聲明顯示，三星將在其電視產品中
三星發布Vision AI，打造個性化AI屏幕體驗
近日，在2025年國際消費電子展(CES 2025)“First Look”活動上，三星震撼發布了其最新的科技成果——三星Vision AI。這一創新技術旨在通過個性化的AI屏幕體驗，為用戶帶來
三星電子削減NAND閃存產量
近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預計今年
三星或受內存芯片價格下跌影響
近日，信榮證券分析師Park Sang-wook對三星電子的未來前景表達了擔憂。他預測，由于客戶庫存過剩，三星電子在2025年上半年可能會面臨內存芯片價格下跌的挑戰。 Park指出，盡管下半年芯片
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于
三星MLC NAND閃存或面臨停產傳聞
近日，業界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產能供給，并計劃在2024年底停止在現貨市場銷售該類產品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會正式停產。這一消息引起了業界
三星三折疊手機明年發布
據悉，三星的三折疊手機開發進展順利，預計將于本月底完成設計和生產原型。這款創新手機有望在2025年正式亮相，旨在應對華為等競爭對手在折疊手機市場的激烈挑戰。
三星電子計劃新建封裝工廠，擴產HBM內存
三星電子計劃在韓國天安市新建一座半導體封裝工廠，以擴大HBM內存等產品的后端產能。該工廠將依托現有封裝設施，進一步提升三星電子在半導體領域的生產能力。
三星擴建半導體封裝工廠，專注HBM內存生產
近日，三星電子計劃在韓國忠清南道天安市的現有封裝設施基礎上，再建一座半導體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)等內存產品的生產。據悉，三星電子將以租賃
三星量產最薄LPDDR5X內存，技術再突破
三星電子今日正式宣告，其業界領先的超薄LPDDR5X內存封裝技術已進入量產階段，再次引領內存技術潮流。此次推出的LPDDR5X內存封裝，以驚人的0.65mm封裝高度，實現了對上一代產品
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產能轉型
市場供貨。這一里程碑式的進展，不僅彰顯了三星在高端內存技術領域的深厚積累，也為其在競爭激烈的HBM市場中搶占更多份額奠定了堅實基礎。
工商網監
評論