近日有消息稱，蘋果已著手進行新一代A15系列處理器開發，預期會采用臺積電5nm加強版N5P制程，明年第三季開始投片。

據傳蘋果將在A15芯片中使用臺積電的5納米技術

晶圓代工龍頭臺積電及微影設備大廠ASML于上周法人說明會透露了更多3納米細節，臺積電3納米采用鰭式場效電晶體FinFET架構及極紫外光EUV微影技術，邏輯密度與5納米相較將大幅增加70%，且EUV光罩層數將倍增且超過20層。

為此，臺積電積極采購EUV曝光機設備，未來三到五年仍將是擁有全球最大EUV產能的半導體廠，包括家登及崇越等供應商可望受惠。

臺積電EUV微影技術已進入量產且制程涵蓋7+納米、6納米、5納米，據設備業者消息，臺積電7+納米采用EUV光罩層最多達四層，超微新一代 Zen 3 架構處理器預期是采用該制程量產。

6納米已在第四季進入量產，EUV光罩層數較7+納米增加一層，包括聯發科、輝達、英特爾等大廠都將采用6納米生產新一代產品。

臺積電下半年開始量產5納米制程，主要為蘋果量產A14及A14X處理器，包括超微、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之后導入5納米制程量產新一代產品。

5納米EUV光罩層數最多可達14層，所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機臺設備因應強勁需求，臺積電明年將推出5納米加強版N5P制程并導入量產，后年將推出5納米優化后的4納米制程，設備業者預期N5P及4納米的EUV光罩層數會較5納米增加。

臺積電在日前的法說會中宣布，3納米研發進度符合預期且會是另一個重大制程節點，與5納米制程相較，3納米的邏輯密度可增加70%，在同一功耗下可提升15%的運算效能，在同一運算效能下可減少30%功耗。

3納米制程采用的EUV光罩層數首度突破20層，業界預估最多可達24層。

ASML執行長Peter Wennink在日前法說會中指出，5納米邏輯制程采用的EUV光罩層數將超過10層，3納米制程采用的EUV光罩層數會超過20層，隨著制程微縮EUV光罩層數會明顯增加，并取代深紫外光DUV多重曝光制程。

臺積電5納米及3納米的EUV光罩層數倍數增加，提供EUV光罩盒EUV Pod的家登受惠最大，今、明兩年產能均已被大客戶預訂一空。

至于EUV產能大幅提高，代理EUV光阻液的崇越接單暢旺，訂單同樣排到明年下半年。
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