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中芯國際FinFET N+1等效7nm,工藝芯片流片成功!

工程師鄧生 ? 來源:OFweek電子工程網(wǎng) ? 作者:OFweek電子工程網(wǎng) ? 2020-10-16 10:26 ? 次閱讀

據(jù)消息,IP和定制芯片企業(yè)芯動科技已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試,所有IP全自主國產(chǎn),功能一次性通過。

半導體領域,芯片流片也就等同于“試生產(chǎn)”,即設計完電路以后先小規(guī)模生產(chǎn)幾片幾十片以供測試用使用,如果測試通過后就能開始大規(guī)模量產(chǎn)。中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試完成也就意味著該制程工藝已經(jīng)具備有意義的“良品率”,并且可以嘗試進行批量生產(chǎn)。

據(jù)了解,芯動科技是中國芯片IP和芯片定制的一站式領軍企業(yè),提供全球主流代工廠(臺積電/三星/格芯/中芯國際/聯(lián)華電子/英特爾/上海華力/武漢新芯等),從180nm到5nm工藝全套高速混合電路IP核和ASIC定制解決方案,尤其22nm以下FinFET工藝全覆蓋,是迄今為止國內(nèi)唯一具備兩家代工廠(臺積電、三星)5nm工藝庫和設計流片能力的技術提供商。

無需EUV光刻機,等效7nm技術

關于FinFET N+1先進工藝,到底能達到什么樣的芯片工藝水平?

在去年,中芯國際聯(lián)合CEO梁孟松曾經(jīng)透露過,F(xiàn)inFET N+1工藝的功率和穩(wěn)定性與7nm工藝非常相似,最大的不同在于無需EUV光刻機也可以實現(xiàn)。梁孟松表示,N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。

在N+1之后還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,主要區(qū)別體現(xiàn)在性能及成本上。N+1工藝是面向低功耗應用領域,成本較低,而N+2面向高性能領域,成本也會增加。

提到7nm及以上高端工藝芯片,勢必離不開EUV光刻機,而FinFET N+1和N+2工藝都不會使用EUV工藝,據(jù)梁孟松介紹,在當前的環(huán)境下N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝,等到設備就緒之后,N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,之后的工藝才會大規(guī)模轉(zhuǎn)向EUV光刻工藝。

“國產(chǎn)版”7nm工藝,或趕上英特爾

在此前公布的2020年上半年財報當中,中芯國際曾表示,第二代先進工藝(N+1)進展順利,已進入客戶產(chǎn)品驗證階段。9月下旬,中芯國際再度對外回應稱,第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進入客戶導入階段,有望于2020年底小批量試產(chǎn)。這個消息比之前的爆料看起來進度更快一些。

當然,說起7nm就不得不提到目前世界上僅有的兩家可以量產(chǎn)7nm芯片的晶圓代工巨頭臺積電和三星。同樣是7nm工藝,臺積電在早期不使用EUV的情況下搞定了7nm芯片的量產(chǎn),而且效果還很不錯。而三星由于使用EUV設備初期產(chǎn)能低,成本高,因此沒有預想中的順利,比臺積電稍落后一些。

后續(xù)能夠緊追前兩大芯片巨頭推出7nm工藝的應該也就中芯國際和英特爾了。然而前段時間英特爾CEO司睿博在接受美媒采訪時表示,工程師在7nm工藝上發(fā)現(xiàn)了一些缺陷,目前正在了解這些缺陷,并有計劃解決7nm工藝問題。甚至還傳出英特爾考慮由臺積電或三星來承接其7nm芯片代工的消息。

要知道,7nm工藝對英特爾來說至關重要,這不僅是10nm之后一個重要的高性能節(jié)點,也是英特爾首次使用EUV光刻工藝在制程工藝上的關鍵之戰(zhàn),若英特爾7nm芯片真的跳票至2023年才推出,或許中芯國際有望在制程上趕超英特爾。

中芯國際能否破局眼下困境?

作為國內(nèi)最耀眼的芯片廠商之一,中芯國際自上市回A以來頻頻引發(fā)市場關注。

OFweek電子工程網(wǎng)從中芯國際招股書中了解到,中芯國際2017年-2019年營業(yè)收入表現(xiàn)亮眼,營業(yè)收入趨于平穩(wěn),分別為2138982.24萬元,2301671.68萬元,2201788.29萬元;凈利潤呈現(xiàn)上升趨勢,分別為124499.06萬元,74727.83萬元,179376.42萬元。

(來源:中芯國際招股說明書)

(來源:中芯國際招股說明書)

眾所周知,半導體產(chǎn)業(yè)是一個技術密集產(chǎn)業(yè),研發(fā)難度大,研發(fā)時間長,支出的研發(fā)經(jīng)費和需要的支撐條件也非常高。國內(nèi)有不少像海思、紫光展銳這類能與國際一線大廠并駕齊驅(qū)的芯片設計企業(yè),但在芯片制造環(huán)節(jié)卻難以企及國外大廠。

而根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院發(fā)布最新調(diào)研結果,2020年第三季度全球前十大晶圓代工廠收入預測排名中,中芯國際排在了第五位,實屬難能可貴。亮眼的營收表現(xiàn)自然也容易引起他人的“注意”。

最初在華為遭遇美國芯片禁令之時,中芯國際就被人們認為是最有可能接替臺積電為華為代工的企業(yè)之一,但后續(xù)的多次傳言表示中芯國際可能會被美國“拉黑”。

早在7月份中芯國際回A上市招股書里就曾提及,或許會受到來自美國的監(jiān)管限制導致無法為“若干客戶”代工。

9月5日,路透社報道稱,美國防部一位發(fā)言人表示,其正在與其他機構合作,決定是否將中芯國際列入實體企業(yè)名單。另據(jù)消息人士透露,五角大樓本周已提交一份建議給美國商務部等相關部門,最終中芯國際是否列入實體名單,需由商務部等確定。

對此中芯國際回應表示,中芯國際作為一家同時在香港證券交易所及中國大陸A股上市的國際化運營的集成電路制造企業(yè),公司嚴格遵守相關國家和地區(qū)的法律法規(guī),并在此基礎上一直合法依規(guī)經(jīng)營;且與多個美國及國際知名的半導體設備供應商,建立多年良好的合作關系,美國商務部多年來針對中芯國際進口采購的設備,也已經(jīng)核發(fā)多件重要的出口許可。

聲明中還稱,中芯國際自成立以來從沒有任何涉及軍事應用的經(jīng)營行為,與中國軍方毫無關系。2016年及以前,中芯國際還是經(jīng)美國商務部正式認可的“最終民用廠商”(Validated End-User)。

10月4日,中芯國際確認稱,經(jīng)過多日與供應商進行詢問和討論后,知悉美國商務部工業(yè)與安全局已根據(jù)美國出口管制條例EAR744.21(b)向部分供應商發(fā)出信函,對于向中芯國際出口的部分美國設備、配件及原物料會受到美國出口管制規(guī)定的進一步限制,須事前申請出口許可證后,才能向中芯國際繼續(xù)供貨。

“針對該出口限制,公司和美國工業(yè)與安全局已經(jīng)展開了初步交流,我們將繼續(xù)積極與美國相關政府部門交流溝通。”中芯國際回應稱。

10月8日,華爾街日報和路透社再次報道消息稱,標普全球評級10月將中芯國際“BBB-”的長期主體信用評級列入了“負面信用觀察名單”,原因就在于其近日確認了受到的美國商務部制裁。這將成為繼貿(mào)易出口限制之后,美國商務部制裁給中芯國際帶來的一次嚴重的“次生災害”。

實際上,去年光刻機霸主ASML的高端EUV光刻機一直無法交付到已訂購了該產(chǎn)品的中芯國際手中,業(yè)內(nèi)不少人認為是受到美國限制的原因。由于EUV光刻機是制造高端芯片環(huán)節(jié)中最重要的設備,中芯國際芯片先進工藝研發(fā)也因此推遲。雖然當下7nm工藝工藝傳出利好消息,但未來還是需要抓起過去諸多被落下的芯片基礎學科和技術,把每一項都錘煉到極致,才有沖擊高端芯片的可能。

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