女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

萬安科技成立合資公司,瞄準功率半導體及SiC器件等領域

我快閉嘴 ? 來源:愛集微 ? 作者:楊雪嬌 ? 2020-10-11 09:43 ? 次閱讀

聯(lián)手萬安投資,萬安科技瞄準車規(guī)級芯片等領域進行投資。

10月10日,萬安科技發(fā)布公告稱,公司董事會審議通過了《關(guān)于對外投資設立投資基金合伙企業(yè)暨關(guān)聯(lián)交易的議案》,公司與浙江萬安投資管理有限公司(下稱“萬安投資”)共同投資設立諸暨萬安智行創(chuàng)新投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)(暫定名稱,最終以工商核準為準)(下稱“合伙企業(yè)”),基金規(guī)模3000萬元,公司出資比例99%,萬安投資出資比例1%。

由于萬安集團系萬安科技控股股東并持有萬安投資100%股權(quán),受同一控制人控制,因此上述交易構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易。

集微網(wǎng)了解到,萬安投資成立于2015年,主營投資管理、投資咨詢等業(yè)務,2020上半年該公司主營業(yè)務收入為309萬元,實現(xiàn)凈利潤217.82萬元。

合資公司成立后,將主要投資新能源、智能駕駛、汽車電子、車規(guī)級芯片、高端傳感器、車載及V2V/V2X通訊、功率半導體及SiC器件等領域。

萬安科技表示,本次有限合伙企業(yè)的投資目標為直接或間接投資國家鼓勵的新興產(chǎn)業(yè)和技術(shù)項目,其中重點產(chǎn)業(yè)方向為汽車相關(guān)上下游產(chǎn)業(yè)及延伸產(chǎn)業(yè),包括電能和氫能等新能源、智能駕駛、汽車電子、車規(guī)級芯片、新能源汽車充電及運營等,有利于推動公司在新技術(shù)領域的戰(zhàn)略投資,帶動公司新技術(shù)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
責任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2564

    文章

    52607

    瀏覽量

    763842
  • 新能源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    26

    文章

    6063

    瀏覽量

    109138
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    459

    文章

    52199

    瀏覽量

    436371
  • 半導體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28613

    瀏覽量

    232790
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)引領全球市場格局重構(gòu)

    到IDM模式的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型 國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導體企業(yè)發(fā)展歷程詮釋了中國半導體產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級路徑。國產(chǎn)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?102次閱讀

    全球功率半導體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起

    功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領的歷程與未來趨勢 當前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基
    的頭像 發(fā)表于 03-13 00:27 ?184次閱讀

    北京市最值得去的十家半導體芯片公司

    北京市最值得去的十家半導體芯片公司 原創(chuàng) 芯片失效分析 半導體工程師 2025年03月05日 09:41 北京 北京市作為中國半導體產(chǎn)業(yè)的重要基地,聚集了眾多在芯片設計、制造、設備及新
    發(fā)表于 03-05 19:37

    華大半導體與湖南大學成功舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會

    近日,華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會,共同探討SiC功率
    的頭像 發(fā)表于 02-28 17:33 ?638次閱讀

    從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導體行業(yè)洗牌

    近期,多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導體質(zhì)量問題,嚴重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:14 ?294次閱讀

    意法半導體新能源功率器件解決方案

    在《意法半導體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件
    的頭像 發(fā)表于 02-07 10:38 ?692次閱讀
    意法<b class='flag-5'>半導體</b>新能源<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>解決方案

    使用 SiC 功率半導體提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

    作者: Jens Wallmann 盡管硅 (Si) 器件相對成熟,但碳化硅 (SiC) 功率器件仍有望降低產(chǎn)品成本并提高效率。然而,有些設計人員可能仍然認為
    的頭像 發(fā)表于 01-26 22:10 ?461次閱讀
    使用 <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>提升高性能開關(guān)轉(zhuǎn)換器的效率

    功率器件熱設計基礎(十二)——功率半導體器件的PCB設計

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計
    的頭像 發(fā)表于 01-13 17:36 ?898次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十二)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的PCB設計

    功率器件熱設計基礎(十一)——功率半導體器件功率端子

    /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計
    的頭像 發(fā)表于 01-06 17:05 ?641次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>功率</b>端子

    功率器件熱設計基礎(十)——功率半導體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    樣品活動進行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率
    的頭像 發(fā)表于 12-23 17:31 ?858次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(十)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>器件</b>的結(jié)構(gòu)函數(shù)

    SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

    SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù),其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件,特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益
    的頭像 發(fā)表于 12-05 15:07 ?1080次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的特點和優(yōu)勢

    超31片!約102億!兩大半導體公司,合建SiC項目

    達705億日元(折合人民幣約34億元)。據(jù)悉,在此次合作中,電裝將負責生產(chǎn)SiC襯底,而富士電機將負責制造SiC功率器件,并將擴建所需設施。項目預計產(chǎn)能為每年31
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:22 ?550次閱讀

    功率器件熱設計基礎(一)——功率半導體的熱阻

    功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?1598次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>熱設計基礎(一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>的熱阻

    什么是SiC功率器件?它有哪些應用?

    SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(Ga
    的頭像 發(fā)表于 09-10 15:15 ?3922次閱讀

    功率半導體和寬禁半導體的區(qū)別

    功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料,它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?918次閱讀