荷蘭恩智浦半導體公司周二表示,已在美國亞利桑那州錢德勒市(Chandler)開設(shè)了一家工廠,生產(chǎn)用于5G電信設(shè)備的氮化鎵芯片。
氮化鎵是硅的替代品。 這種材料是5G網(wǎng)絡(luò)中的一個關(guān)鍵成分,因為它可以處理5G網(wǎng)絡(luò)中使用的高頻,同時比其他芯片材料消耗更少的功率和占用更少的空間。
恩智浦表示,這座新工廠將生產(chǎn)6英寸芯片,此類芯片的尺寸是大多數(shù)傳統(tǒng)硅芯片的一半,但在替代材料中很常見。該公司表示,新工廠將有一個研究和開發(fā)中心,以幫助工程師加速氮化鎵半導體的開發(fā)和專利申請。恩智浦表示,預計該廠將于年底前達到全部生產(chǎn)能力。
美國兩黨議員提出多項與芯片相關(guān)的法案,計劃耗資數(shù)百億美元的巨額補貼,推動本國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展,其原因是擔憂中國崛起。
美國聯(lián)邦國會為了推動半導體的國內(nèi)生產(chǎn),開始討論新投入250億美元規(guī)模的補貼。希望通過巨額的公共支援對抗中國,提升英特爾等美國大型企業(yè)的開發(fā)能力。其背景是如果對半導體生產(chǎn)的海外依存置之不理,除了產(chǎn)業(yè)競爭力的下降之外,還擔憂有可能對安全保障和軍事實力產(chǎn)生負面影響。
美國信息技術(shù)與創(chuàng)新基金會(ITIF)的分析顯示,在世界半導體市場,以最大廠商英特爾為代表的美國企業(yè)的份額占到47%,遠遠超過居第2位的韓國(19%)和第3位的日本(10%)。不過,美國波士頓咨詢集團統(tǒng)計顯示,從產(chǎn)能來看,美國僅占世界的12%。
這是因為美國英偉達和美國高通等專注于半導體電路設(shè)計的無廠企業(yè)眾多,生產(chǎn)委托給臺灣等海外的情況很多。
如果直接關(guān)系到軍事技術(shù)的半導體的美國國內(nèi)生產(chǎn)出現(xiàn)空洞化,供給渠道將變得不穩(wěn)定,成為安全保障方面的風險。另一方面,中國大陸產(chǎn)能的全球份額已達到15%,超過了美國。有預測稱到10年后將增至24%,在世界范圍躍居首位。
擔憂中國崛起的美國國會和政權(quán)希望通過對半導體的巨額補貼,推動供應(yīng)鏈回歸美國國內(nèi)。對半導體的公共支援計劃列入2021財政年度(2020年10月~2021年9月)預算。參議院和眾議院都在超黨派審議自主的半導體支援法案,兩院已啟動了統(tǒng)一行動。推動制造業(yè)回歸美國的特朗普政權(quán)還計劃推動相關(guān)法案的通過。
截至9月26日浮出水面的超黨派的兩院統(tǒng)一法案的草案提出,面向半導體工廠和研究設(shè)施等,聯(lián)邦政府每1件支付最多30億美元的補貼。半導體工廠存在建設(shè)費達到100億美元的情況,明顯左右競爭力。建立150億美元規(guī)模的基金,用10年時間展開投資的方案最有可能。
此外,對于安全保障方面機密性更高的半導體生產(chǎn),存在國防部等提供50億美元開發(fā)資金的方案。在美國半導體行業(yè),英特爾在新一代產(chǎn)品的微細化技術(shù)上,落后于臺積電(TSMC)。為了扭轉(zhuǎn)劣勢,還將向研究開發(fā)追加分配50億美元的預算。對半導體的補貼僅聯(lián)邦政府就達到合計250億美元規(guī)模,各州和地方政府也將通過稅收優(yōu)惠等提供支援。
中國正在政企合作將半導體打造為支柱產(chǎn)業(yè),2014年設(shè)立政策性基金。截至2019年的投資額達到1400億元(約合205億美元)。如果加上地方政府的相關(guān)基金,累計投資額為超過5千億元的規(guī)模。中國提出到2025年使半導體的70%在國內(nèi)生產(chǎn)的目標。高科技領(lǐng)域已經(jīng)成為中美的主戰(zhàn)場。
信奉市場主義經(jīng)濟的美國此前對于向特定產(chǎn)業(yè)投入巨額補貼持慎重態(tài)度。曾向尖端技術(shù)的研究開發(fā)等投入公共預算,但向工廠建設(shè)等直接投入補貼實屬罕見。高科技領(lǐng)域的公共支援大戰(zhàn)存在扭曲自由市場競爭的風險。
半導體是美國屈指可數(shù)的出口產(chǎn)業(yè),巨額補貼的投入也有違反世界貿(mào)易組織(WTO)規(guī)則的可能性。美國此次的補貼構(gòu)想打算涵蓋臺積電等海外企業(yè)在美國生產(chǎn)的情況,美國國會相關(guān)人士表示,“不屬于違規(guī)出口補貼”。草案還提出創(chuàng)建與日歐等同盟國共同開發(fā)最新半導體的“多邊基金”,這被認為意在緩解國際批評。
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