臺積電顯然在研發過程中又取得了重大突破。這次，這家全球最大的合同芯片制造商在其2nm架構的開發方面取得了長足的進步，該架構將在不久的將來在處理器中看到。

根據PatentlyApple的一份報告，其供應鏈的消息來源透露，即將到來的2nm工藝將采用一種新的多橋溝道場效應晶體管（MBCFET）架構，這與該器件中使用的鰭式場效應晶體管（FinFET）架構不同。 3nm和5nm工藝。這一發展也標志著臺積電像三星一樣，在目前的競爭中遙遙領先。

臺積電一位官員還對出版物表示：“我們很樂觀地認為，2023年下半年風險試生產的良率將達到90%，這將有助于我們繼續贏得來自蘋果和惠達等主要制造商的大訂單。未來?！贝送?，該公司計劃在2024年某個時候達到量產能力。星Galaxy S20 FE vs OnePlus 8 vs Xiaomi Mi 10 Pro：規格對比。

早在2019年，臺積電就專門成立了一個研發團隊，為2nm工藝的開發找到可行的途徑。該團隊還必須考慮成本，設備兼容性，技術成熟度和性能以及其他條件。值得注意的是，2nm架構采用了基于環繞柵（GAA）工藝的MBCFET，解決了FinFET工藝導致的電流控制泄漏的物理限制。

雖然這家芯片制造商已經在為2024年開發2nm處理器，但它也已經開始研究超出其范圍的工藝。這包括在不久的將來進行1nm制程和其他風險投資的可能性。根據DigiTimes的報告，臺積電也在加緊擴大其臺灣中部工廠的2nm工藝。該報告還表明臺灣公司與其競爭對手三星之間的差距正在擴大。

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