S3c2440是三星公司推出的一款基于ARM920T的處理器,采用ARM內(nèi)核,不同于單片機(jī),無(wú)片上rom與ram,必須搭配相應(yīng)的外圍電路進(jìn)行使用,現(xiàn)在,讓我們從零開(kāi)始進(jìn)行這一塊MCU的學(xué)習(xí),為了入門(mén)簡(jiǎn)單方便,前期我不會(huì)搭載任何操作系統(tǒng),本手冊(cè)寫(xiě)到哪算哪.

1.什么是nor flash啟動(dòng)和nand flash啟動(dòng)

在任何視屏教程里面,都會(huì)告訴你一個(gè)開(kāi)關(guān)左右選擇就能norflash啟動(dòng)或者nand flash啟動(dòng),norflash啟動(dòng)能直接運(yùn)行代碼,nand flash啟動(dòng)不能直接運(yùn)行代碼,可是為什么呢?

要知道這一點(diǎn),首先要明白nandflash和norflash的區(qū)別,首先,norflash是隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),也就是說(shuō),對(duì)norflash的操作時(shí)可以進(jìn)行任意單字節(jié)的讀寫(xiě)的,而nanaflash是塊存儲(chǔ)介質(zhì),對(duì)nandflash的讀寫(xiě)只能以塊的方式讀寫(xiě),也就是說(shuō),nand要修改一個(gè)字節(jié),必須重寫(xiě)整個(gè)塊

由此我們就可以知道,nand flash不可能作為代碼直接執(zhí)行的介質(zhì)了,理論上,就算我們通過(guò)電路實(shí)現(xiàn)了nand flash執(zhí)行代碼也不可能,因?yàn)榇a執(zhí)行很重要的一點(diǎn)是可以隨機(jī)的對(duì)任意一個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行任意修改,而nand寫(xiě)一個(gè)字節(jié)要重寫(xiě)整個(gè)塊,這速度太慢了,還有一個(gè)原因,因?yàn)槟承┕に囈蛩氐挠绊?nandflash生產(chǎn)過(guò)程中就可能出現(xiàn)壞塊,另外,nandflash在多次擦寫(xiě)中也可能出現(xiàn)壞塊,所以這也決定了nand不可能實(shí)現(xiàn)直接運(yùn)行代碼,只能做存儲(chǔ)器的功能,以下是nandflash電路(TQ2440)

可見(jiàn),nand flash分為八位和16位,地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)復(fù)用,依靠控制總線(xiàn)來(lái)切換地址數(shù)據(jù)時(shí)序,主要的控制線(xiàn)有

CLE:命令鎖存使能線(xiàn),輸入命令時(shí)使用

ALE:地址鎖存使能,輸入地址時(shí)使用

nFCE:芯片使能,讀寫(xiě)芯片時(shí),這一位必須有效

NFRE:連接NRE讀使能,讀數(shù)據(jù)之前,要先讓nre有效

NFWE:寫(xiě)使能,寫(xiě)數(shù)據(jù)的時(shí)候這根線(xiàn)有效

RNB :就緒/忙標(biāo)志,主要用于發(fā)送完編程/擦除命令后,檢測(cè)操作是否完成

WP :寫(xiě)保護(hù)使能

說(shuō)完nandflash說(shuō)說(shuō)norflash,首先norflash的地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)是分開(kāi)的,其次,是可以單字節(jié)讀取寫(xiě)入的,另外,可靠性好,不易出現(xiàn)壞塊,使用時(shí)間更長(zhǎng),(norflash上帶的是通用sdram接口)

電路圖如下,

因?yàn)槭?6位數(shù)據(jù),所以沒(méi)有接data0的必要,初始地址是0x00000000,

OE:讀使能

WE寫(xiě)使能

片選接了GCS0,那么norflash尋址范圍是多少呢?首先,選用的芯片是EN29系列,

該系列芯片說(shuō)明書(shū)中說(shuō)明

可見(jiàn),NORFLASH是16M的,但是尋址范圍是不是16M我們還需要確認(rèn)NGCS0的選通時(shí)間,查看memory說(shuō)明,有這樣一段

也就是說(shuō)2440的NGCS0分區(qū)大小為128M,驅(qū)動(dòng)16M足足夠了,所以,我們可以說(shuō),norflash啟動(dòng),16M完全可用

接下來(lái)說(shuō)一下SDRAM,電路圖如下

這是兩塊相同的芯片,兩塊16位芯片合起來(lái)將數(shù)據(jù)總線(xiàn)擴(kuò)展到32位

可以看到,地址線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)是分離的,控制接口主要由以下幾根線(xiàn)組成

CKE:INPUT控制norflash內(nèi)部時(shí)鐘的使能與禁止,從而進(jìn)入三種狀態(tài),掉電,掛起,自刷新(為了保持內(nèi)部數(shù)據(jù),設(shè)備自身也需要一個(gè)時(shí)鐘來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)自刷新,和外部讀寫(xiě)時(shí)鐘并不是一個(gè)概念)

CLK:INPUT外部讀寫(xiě)時(shí)鐘,用于外部讀寫(xiě)同步

其他的控制總線(xiàn)想要明白必須要先明白SRAM的架構(gòu),雖然不用去設(shè)計(jì),但是明白SDRAM架構(gòu)看不懂這個(gè)電路圖,來(lái),我們說(shuō)說(shuō)

以下是標(biāo)準(zhǔn)4bank的SDRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)

其寫(xiě)入原理如下

要存取數(shù)據(jù)時(shí),先選中一行( wordline加高電位)，于是這一行上掛著的所有的行選通NMOS都導(dǎo)通，電容中的數(shù)據(jù)就沿著bitline進(jìn)入感應(yīng)放大器，經(jīng)其放大后到達(dá)列選通NMOS處。接下來(lái)，當(dāng)某根CSL置高后,相應(yīng)的列選通NMOS就導(dǎo)通，數(shù)據(jù)沿著bifline繼續(xù)向IO接口傳，或者外面的數(shù)據(jù)立即寫(xiě)入存儲(chǔ)陣列。當(dāng)然,具體實(shí)現(xiàn)肯定更復(fù)雜,但是基本原理就是這樣

那么,這些控制線(xiàn)什么作用呢

LDQM UDQM:數(shù)據(jù)屏蔽,當(dāng)LDQM為高,數(shù)據(jù)線(xiàn)上低8位被屏蔽UDQM高八位被屏蔽,這樣就可以進(jìn)行bank選擇了(不管內(nèi)存怎么設(shè)計(jì),最終還是八位一個(gè)字節(jié),所以需要屏蔽)

接下來(lái)我們看看SDRAM尋址,通過(guò)電路可以看到,WBE0 1 2 3分別四根線(xiàn)控制,也就是說(shuō),同一個(gè)地址,選擇不同的WEB,可以依次讀出0-7 8-15 16-23 24-31四個(gè)八位數(shù)據(jù),CPU內(nèi)部自動(dòng)將這四個(gè)數(shù)據(jù)組合起來(lái),形成一個(gè)32位數(shù)據(jù),所以,實(shí)際上,依次讀寫(xiě)操作獲得或者寫(xiě)入數(shù)據(jù)單純數(shù)據(jù)上就要四步,另外,地址寫(xiě)入也分兩步,之前說(shuō)了,SDRAM尋址分為行和列,所以寫(xiě)入地址分為寫(xiě)入行地址,寫(xiě)入列地址,簡(jiǎn)化來(lái)看,一共就是6步(沒(méi)有說(shuō)各種控制總線(xiàn)過(guò)程,大家有興趣可以研究)

連接的ba0 ba1

首先四字節(jié)對(duì)其尋址(32位數(shù)據(jù)線(xiàn)),那么DAT0 DAT1的尋址線(xiàn)肯定是0,所以沒(méi)有接上的必要,24 25 26決定最高位,如果為64M r601 r604接上,地址線(xiàn)24-25連接,CPU設(shè)置0x30000000為基地址的話(huà),最高地址是0x33FFFFFF,(0x30000000-0x33ffffff) = 0x3ffffff個(gè)字節(jié),一共就是64M字節(jié)

注意,這中間涉及到一個(gè)比較復(fù)雜的解碼過(guò)程,就是將物理地址解碼成總線(xiàn)地址,(兩個(gè)數(shù)據(jù)),并不是說(shuō)25 26連接了地址空間就絕對(duì)是0X36FFFFFF了,具體過(guò)程,請(qǐng)查閱相關(guān)資料