女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體龍頭三安光電擬收購北電新材,強化碳化硅襯底布局

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:中國半導(dǎo)體論壇 ? 2020-08-27 09:53 ? 次閱讀

2020年8月19日,三安光電公告三安光電股份有限公司全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司擬以現(xiàn)金38,150.00萬元收購福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)(持股比例為99.50%)和泉州安瑞科技有限公司(持股比例為0.50%)合計持有的福建北電新材料科技有限公司100%股權(quán)。

公司于2020年8月18日召開第十屆董事會第三次會議,審議通過《關(guān)于全資子公司購買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易》的議案,同意公司全資子公司湖南三安以現(xiàn)金38,150.00萬元收購安芯基金和安瑞科技合計持有的北電新材100%股權(quán)。

湖南三安分別與安芯基金、安瑞科技簽署了《股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。公司2020年1-7月與北電新材發(fā)生交易金額7,931,977.13元,過去12個月與北電新材發(fā)生的交易金額為11,177,523.08元。

北電新材最近一年又一期的主要財務(wù)數(shù)據(jù)如下:

總資產(chǎn) 凈資產(chǎn) 凈利潤 營業(yè)收入
2019年度 11,417.92 10,843.75 -2,674.38 353.14
2020年1-6月 14,426.25 14,902.43 -1,766.97 304.37

(單位:萬元人民幣)

亞化咨詢資料顯示,北電新材于2019年擬投資約5.8億元在福建安溪縣湖頭鎮(zhèn)橫山村建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)項目,租賃了福建晶安光電有限公司已建的應(yīng)用廠房作為生產(chǎn)經(jīng)營場所。項目主要從事碳化硅襯底的生產(chǎn),項目規(guī)劃年產(chǎn)能3.6萬片(折合6英寸)

項目規(guī)劃的產(chǎn)品方案

產(chǎn)品名稱 計劃產(chǎn)能
碳化硅襯底
(折合6英寸)
N型SiC襯底 2.4萬片/年
半絕緣SiC襯底 1.2萬片/年
合計 3.6萬片/年

2020年7月20日,長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。根據(jù)公告顯示,項目投資總額160億元,投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈,在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

2020年7月20日,長沙三安第三代半導(dǎo)體項目開工活動在長沙高新區(qū)舉行。項目預(yù)計于2020年完成一期項目建設(shè)并實現(xiàn)投產(chǎn)。

碳化硅襯底主要可有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進一步制成碳化硅功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。

來源:天科合達(dá)招股說明書

與半導(dǎo)體硅片發(fā)展情況類似,碳化硅襯底也在不斷向更大尺寸發(fā)展。隨著全球6英寸碳化硅襯底生產(chǎn)技術(shù)的成熟完善、產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定性的逐步提高,預(yù)計未來下游外延及器件廠商對于碳化硅襯底的需求將逐漸從以往的4英寸產(chǎn)品為主過渡到6英寸產(chǎn)品為主。在8英寸碳化硅襯底尚未實現(xiàn)成熟商業(yè)化的前提下,預(yù)計未來幾年內(nèi)6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品將成為碳化硅襯底市場的主流。

而伴隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等行業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅器件及碳化硅基氮化鎵器件產(chǎn)品的需求也將不斷攀升,從而拉動全球碳化硅襯底的需求。

碳化硅襯底的生產(chǎn)工藝難度極高,產(chǎn)業(yè)存在較高的技術(shù)壁壘。目前,碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)重心主要在美國。以導(dǎo)電型碳化硅襯底為例,2018年美國占有全球碳化硅襯底產(chǎn)量的70%以上,僅Cree一家就占了一半以上的市場份額。

中國碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始,在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制,未能進入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì),中國企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索,已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。

近年來,以山東天岳、世紀(jì)金光、天科合達(dá)為首的國內(nèi)各地多個碳化硅襯底項目陸續(xù)簽約、開工、投產(chǎn),并在國家大基金、哈勃投資等支持下,中國碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)迎來了蓬勃式發(fā)展。三安光電收購北電新材完成后,中國SiC襯底項目情況如下所示:

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場論壇定于2020年9月8-9日在廈門召開。

會議由亞化咨詢主辦,多家國內(nèi)外龍頭企業(yè)重點參與。會議將討論全球第三代半導(dǎo)體市場、技術(shù)情況及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇,中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局及項目規(guī)劃,SiC PVT長晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展,新能源汽車等產(chǎn)業(yè)對SiC器件的需求,GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用,GaN在快充市場中的發(fā)展及替代情況,其他化合物半導(dǎo)體材料如GaAs等等相關(guān)內(nèi)容。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    10909

    瀏覽量

    101359
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    335

    文章

    28625

    瀏覽量

    232875
  • 三安光電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    240

    瀏覽量

    40156

原文標(biāo)題:三安光電擬收購北電新材!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴張減速——盤點2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    帶來更大的未來增長空間。但與此同時,碳化硅產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了過去幾年的大規(guī)模擴產(chǎn)后,2024年大量產(chǎn)能落地,而需求增長不及預(yù)期,產(chǎn)業(yè)加速進入了淘汰賽階段。 ? 過去一年,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中發(fā)生了不少大事件,有并購,有技術(shù)突破,但
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?9745次閱讀
    破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴張減速——盤點2024年全球<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)十大事件

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們在電力電子、射頻和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?399次閱讀

    第三代半導(dǎo)體器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點。本文將重點探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述(一)定義與分類第三代
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:15 ?649次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>器件封裝:挑戰(zhàn)與機遇并存

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來,在消費電子需求帶動下,加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?805次閱讀

    第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?

    隨著科技的發(fā)展,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi),各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入,建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國,多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè),像蘇州的國家
    的頭像 發(fā)表于 12-27 16:15 ?477次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>對防震基座需求前景?

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進的重要動力之一
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?738次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1262次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?1790次閱讀

    萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎

    芯微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產(chǎn)業(yè)協(xié)同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎。本次大會核心圍繞著第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-28 11:46 ?687次閱讀
    萬年芯榮獲2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)獎

    萬年芯榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎

    芯微電子有限公司攜“碳化硅模塊器件共性問題及產(chǎn)業(yè)協(xié)同解決思路”出席,并榮獲2024第三代半導(dǎo)體制造最佳新銳企業(yè)獎。本次大會核心圍繞著第三代半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-25 15:20 ?57次閱讀
    萬年芯榮獲2024<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造最佳新銳企業(yè)獎

    納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證

    納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過精心優(yōu)化,旨在滿足電動汽車應(yīng)用的高要求,為行業(yè)帶來革
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:08 ?708次閱讀

    我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù):開啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章

    近年來,隨著科技的不斷進步,半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展速度日新月異。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,因其獨特的物理和化學(xué)特性,在電力電子、
    的頭像 發(fā)表于 09-04 10:48 ?1604次閱讀
    我國首次突破溝槽型<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET芯片制造技術(shù):開啟<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)新篇章

    萬年芯:“國家隊”出手!各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

    碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力,已在新能源汽車、光儲充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出較高應(yīng)用價值,并具有較大的遠(yuǎn)景發(fā)展空間。以
    的頭像 發(fā)表于 08-10 10:07 ?779次閱讀
    萬年芯:“國家隊”出手!各國角逐<b class='flag-5'>碳化硅</b>/氮化鎵<b class='flag-5'>三代</b>半產(chǎn)業(yè)

    光電兩大項目穩(wěn)步推進,助力碳化硅產(chǎn)能躍升

    光電近期在互動平臺上透露了其重要項目的最新進展,顯示公司在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的布局正加速前行。其中,合資公司
    的頭像 發(fā)表于 08-02 16:57 ?1269次閱讀

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?1291次閱讀