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上交所正式受理了瑞能半導的科創(chuàng)板上市申請

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:半導體投資聯(lián)盟 ? 2020-08-26 14:14 ? 次閱讀

集微網(wǎng)消息,8月18日,上交所正式受理了瑞能半導體科技股份有限公司(以下簡稱“瑞能半導”)的科創(chuàng)板上市申請。

晶閘管:國內(nèi)第一、全球第二

招股書顯示,瑞能半導從事功率半導體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,是一家擁有芯片設計、晶圓制造、封裝設計的一體化經(jīng)營功率半導體企業(yè),致力于開發(fā)并生產(chǎn)領先的功率半導體器件組合。公司主要產(chǎn)品主要包括晶閘管和功率二極管等,廣泛應用于以家電為代表的消費電子、以通信電源為代表的工業(yè)制造、新能源及汽車等領域。瑞能半導開發(fā)的功率半導體器件如下:

根據(jù)IHSMarkit報告的市場統(tǒng)計,2019年度瑞能半導晶閘管產(chǎn)品的市場占有率,在國內(nèi)排名第一、全球排名第二。根據(jù)WSTS協(xié)會報告的市場統(tǒng)計,2019年度公司晶閘管產(chǎn)品的全球市場占有率為21.8%,其中中國市場占有率達36.2%;2019年度公司功率二極管產(chǎn)品的全球市場占有率為2.6%,其中中國市場占有率達7.5%。

瑞能半導提供的功率半導體器件組合已應用至眾多全球知名客戶。以家電為代表的消費電子領域用戶包括惠而浦、伊萊克斯、惠普、海爾、美的、格力、海信、三星、LG、索尼、日立、佳能、飛利浦、松下、戴爾等;以通信電源為代表的工業(yè)制造領域用戶包括臺達、ABB、施耐德、霍尼韋爾、通用電氣、科士達、英威騰、麥格米特、光寶、偉創(chuàng)力、立維騰等;新能源及汽車領域用戶包括海拉電子、特銳德、上能電氣、中恒電氣、博世、NAPINO、HERO、TVSMotor等。

獲華為青睞

2017年至2020年第一季度,瑞能半導分別實現(xiàn)銷售收入為61,854.81萬元、66,687.15萬元、58,790.12萬元和14,044.25萬元,凈利潤為8,775.98萬元、9,493.04萬元、8,610.88萬元和1,898.70萬元。

瑞能半導表示,公司2019年營業(yè)收入為58,790.12萬元,同比下滑11.84%,2019年凈利潤為8,610.88萬元,同比下滑9.29%。公司營業(yè)收入和凈利潤下滑主要系受到半導體景氣度進入周期底部的影響。

報告期內(nèi),瑞能半導的主要客戶包括華為以及ArrowElectronics,Inc.(艾睿電子)、Avnet,Inc.(安富利)、WPGHoldingsLimited(大聯(lián)大)等經(jīng)銷商。

2017年度至2019年度,瑞能半導研發(fā)投入分別為2,450.96萬元、2,363.82萬元和3,214.54萬元,累計8,029.32萬元。

截至本招股說明書簽署日,瑞能半導及其子公司持有境內(nèi)專利共22項,其中發(fā)明專利5項、實用新型專利17項,境外專利4項。

積極研發(fā)MOSFETIGBT、碳化硅等功率半導體器件

招股書披露,瑞能半導本次擬向社會公開發(fā)行股票不超過3,010萬股,占發(fā)行后總股本不低于25.00%,募集資金用于公司主營業(yè)務相關的項目。

C-MOS/IGBT-IPM產(chǎn)品平臺建設項目圍繞功率半導體領域,規(guī)劃建設硅基MOSFET、IGBT/IPM功率器件產(chǎn)品平臺。本項目實施后,產(chǎn)品將廣泛應用于新能源汽車、新能源光伏、工業(yè)制造、工業(yè)制造、通信電源等領域。

南昌實驗室擴容項目在瑞能半導現(xiàn)有南昌實驗室的基礎上進行擴容建設,通過增加可靠性測試和失效性分析相關的檢測分析設備投入,優(yōu)化實驗環(huán)境,提升測試與分析的能力和效率,從而進一步保障產(chǎn)品質(zhì)量、吸引高端人才,促進業(yè)務高質(zhì)量發(fā)展。

研發(fā)中心新建項目依托公司在功率半導體領域的技術優(yōu)勢,布局碳化硅功率器件等功率半導體行業(yè)內(nèi)的新技術領域,通過引進高技術人才、增加與外部機構研發(fā)合作等方式,進一步加強公司研發(fā)團隊及研發(fā)平臺的實力,以保持公司產(chǎn)品在核心技術方面的優(yōu)勢地位,為公司業(yè)務中長期的可持續(xù)發(fā)展奠定基礎。

此外,瑞能半導擬使用30,000萬元募集資金,用于發(fā)展與科技儲備資金。本次發(fā)展與科技儲備資金將結合公司的經(jīng)營需要和戰(zhàn)略規(guī)劃的資金需求,以提升公司的競爭力。

瑞能半導表示,公司將進一步完善全系列晶閘管和功率二極管器件的研發(fā),開展新一代碳化硅半導體芯片及器件的研發(fā),積極推進以MOSFET和IGBT為代表的功率半導體器件的研發(fā)和生產(chǎn)。

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原文標題:國內(nèi)第一、全球第二的晶閘管廠商瑞能半導科創(chuàng)板IPO獲受理

文章出處:【微信號:gh_eb0fee55925b,微信公眾號:半導體投資聯(lián)盟】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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