三極管和MOS管的原理并不復(fù)雜，但是分開講述細(xì)節(jié)，反而不如對(duì)比起來容易理解。這里用一張圖，讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。

一張圖對(duì)比MOS管及三極管的工作原理

這里以NMOS和NPN三極管為例，并且以電子流（而非電流）方向?yàn)橹鱽碚f明。

一、符號(hào)

MOS管一般可以簡化為三個(gè)極，分別是柵極（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控制型器件，用柵極電壓來控制源漏的導(dǎo)通情況；

BJT三極管有三個(gè)極，分別是基極（B）發(fā)射極（E）和集電極（C），三極管是電流控制型器件，用基極電流來控制發(fā)射極與集電極的導(dǎo)通情況；

二、截止區(qū)

NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓，MOS管相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不導(dǎo)通；

NPN三極管也一樣，如果偏壓小于閾值電壓，也相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的二極管，不導(dǎo)通；

三、線性區(qū)

NMOS如果柵上加正電壓，就會(huì)在其下感應(yīng)出相反極性的負(fù)電荷，從而產(chǎn)生N型溝道，使源漏導(dǎo)通。如果不考慮源漏電壓影響，則柵壓高一點(diǎn)，產(chǎn)生的溝道就寬一點(diǎn)，導(dǎo)通能力就大一點(diǎn)，這就是線性區(qū)。

NPN管如果BE結(jié)加正向偏置導(dǎo)通，電子就會(huì)進(jìn)入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外，它們有兩個(gè)地方可以去：一個(gè)是從基極流出，一個(gè)是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高，能收集到的電子就會(huì)越多，這也是線性變化的。

四、飽和區(qū)

NMOS在漏極電壓比較高時(shí)，會(huì)使溝道夾斷，之后即使電壓升高，電流不會(huì)再升高，因此叫做飽和區(qū)；

NPN三極管在集電極電壓比較高時(shí)，也會(huì)幾乎全部收集到從發(fā)射極過來的電子，電壓再升高也沒有辦法收集到更多，也是它的飽和區(qū)。

五、電流電壓曲線

在線性區(qū)，隨著電壓升高，源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢(shì)基本一致。

這樣是不是更容易理解呢。