近日，湖南省工信廳印發(fā)了《湖南省數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)劃（2020-2025年）》（簡稱《規(guī)劃》）。《規(guī)劃》提出，爭取到2025年，湖南省數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模進(jìn)入全國前10強(qiáng)，突破2.5萬億元，數(shù)字經(jīng)濟(jì)占GDP比重達(dá)到45%

《規(guī)劃》聚焦七項(xiàng)主要任務(wù)，實(shí)施十大重點(diǎn)工程，具體包括自主可控計算機(jī)及信息安全產(chǎn)業(yè)提升工程、新型顯示器件產(chǎn)業(yè)壯大工程、集成電路產(chǎn)業(yè)成長工程、超高清視頻產(chǎn)業(yè)培育工程、移動互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)提質(zhì)工程等方面。

其中在集成電路產(chǎn)業(yè)成長工程方面，為提升集成電路設(shè)計業(yè)，湖南力爭在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片產(chǎn)業(yè)化上實(shí)現(xiàn)突破。

湖南還將壯大集成電路關(guān)鍵設(shè)備，發(fā)展離子注入機(jī)等集成電路裝備，研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)，提升集成電路國產(chǎn)化裝備和成套建設(shè)能力和水平。

在布局新一代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方面，推動IGBT、第三代半導(dǎo)體等重大項(xiàng)目，構(gòu)建完善產(chǎn)品鏈，促進(jìn)氮化鎵和碳化硅器件制造技術(shù)開發(fā)，發(fā)展器件級、晶圓級封裝和系統(tǒng)級測試技術(shù)，提升工藝技術(shù)水平，加快實(shí)現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)能力。

此外，湖南還將推進(jìn)功率半導(dǎo)體器件創(chuàng)新中心等創(chuàng)新平臺建設(shè)，探索行業(yè)共性關(guān)鍵技術(shù)聯(lián)合攻關(guān)和產(chǎn)業(yè)化路徑。

《規(guī)劃》指出，到2025年，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到300億元，形成以設(shè)計業(yè)為龍頭、特色制造業(yè)為核心、裝備及材料等配套產(chǎn)業(yè)為支撐的發(fā)展格局，成為全國功率器件中心、第三代半導(dǎo)體重要基地、集成電路設(shè)計和裝備特色集聚區(qū)。

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