此前,兆易創新發布非公開發行A股股票預案,公司擬向不超過10名特定投資者非公開發行股票不超過64,224,315股(含本數),募集資金總額(含發行費用)不超過人民幣432,402.36萬元,用于DRAM芯片研發及產業化以及補充流動資金。
近日,兆易創新在此次非公開發行A股股票申請文件的反饋意見的回復中,透露了具體規劃。
表中可知,兆易創新DRAM芯片2021年完成客戶驗證,最晚將于2025年量產。兆易創新披露,公司Flash芯片的下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高。
對首款芯片試樣片進行封裝測試,后送至系統芯片商處進行功能性認證,認證完畢后送至客戶進行系統級驗證,包含功能測試、壓力測試、燒機驗證等,通過所有驗證后完成客戶驗證,驗證完成后進行小批量產,實施時間預計在2021年。
另外,兆易創新表示,公司擬通過本項目,研發1Xnm級(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術,設計和開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項目的成功實施,有助于公司豐富自身產品線,有效整合產業資源,鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。
責任編輯:gt
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HBM重構DRAM市場格局,2025年首季DRAM市占排名

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