源極跟隨器的特點(diǎn)

特點(diǎn)是輸入阻抗特別高、輸出阻抗低、電壓放大倍數(shù)近似為1。

場效應(yīng)管源極跟隨器的特點(diǎn)

與雙極型晶體管（三極管）的射極跟隨器相比，源極跟隨器的輸出阻抗非常低，特別適合于電動(dòng)機(jī)、揚(yáng)聲器等重負(fù)載（阻抗低的負(fù)載）的驅(qū)動(dòng)，同時(shí)MOSFET普遍功率比較大，具有很好的抗熱擊穿性能。

場效應(yīng)晶體管（縮寫（FET））簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型（junctionFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

源極跟隨器的電路

所示為一種源極跟隨器（緩沖放大器），該電路采用差動(dòng)輸入緩的運(yùn)算放大器電路，可用于阻抗轉(zhuǎn)換電路。

電路中采用場效應(yīng)晶體管（VTl）構(gòu)成源極跟隨器，類似于晶體管的射極跟隨器，場效應(yīng)晶體管的輸入阻抗非常高，在場效應(yīng)晶體管的源極接有一個(gè)晶體管VT2，該晶體管的基極由分壓電阻器確定，構(gòu)成一個(gè)恒流電路。為了使電路的增益盡量接近于1．需要選用跨導(dǎo)的場效應(yīng)晶體管和較大的負(fù)載電阻，采用這種電路結(jié)構(gòu)，+用VT2接在源極電路中，相當(dāng)于增大了負(fù)載電阻器，滿足電路的要求。