中國上海,2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。
MOSFET產(chǎn)品圖
新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu),安裝在電路板上時能夠進(jìn)行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗;XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。
應(yīng)用:
汽車設(shè)備
電源裝置(DC-DC轉(zhuǎn)換器)和LED頭燈等(電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器和負(fù)載開關(guān))
特性:
東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝
通過AEC-Q101認(rèn)證
低導(dǎo)通電阻:
RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)
RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)
采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance(WF)封裝
主要規(guī)格:
(除非另有說明,@Ta=25°C)
器件型號
XPH4R10ANB
XPH6R30ANB
極性
N溝道
絕對最大額定值
漏源極電壓
VDSS
(V)
100
漏極電流
(DC)
ID
(A)
70
45
漏極電流
(脈沖)
IDP
(A)
210
135
溝道溫度
Tch
(℃)
175
漏源極導(dǎo)通電阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
@VGS=6V
6.2
9.5
@VGS=10V
4.1
6.3
溝道至外殼熱阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
(℃/W)
0.88
1.13
封裝
SOP Advance(WF)
產(chǎn)品系列
U-MOSVIII-H
U-MOSVIII-H
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