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東芝推出了兩款面向車載電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型MOSFET

電子工程師 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2019-12-26 09:26 ? 次閱讀

中國上海,2019年12月25日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出兩款面向車載48V電氣系統(tǒng)應(yīng)用的新型100V N溝道功率MOSFET。該系列包括具備低導(dǎo)通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產(chǎn)和出貨計劃于今天開始。

MOSFET產(chǎn)品圖

新產(chǎn)品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu),安裝在電路板上時能夠進(jìn)行自動目視檢查,從而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低導(dǎo)通電阻有利于降低設(shè)備功耗;XPH4R10ANB擁有業(yè)界領(lǐng)先的[2]低導(dǎo)通電阻。

應(yīng)用:

汽車設(shè)備

電源裝置(DC-DC轉(zhuǎn)換器)和LED頭燈等(電機(jī)驅(qū)動、開關(guān)穩(wěn)壓器負(fù)載開關(guān)

特性:

東芝的首款[1]100V車用產(chǎn)品使用小型表面貼裝SOP Advance(WF)封裝

通過AEC-Q101認(rèn)證

低導(dǎo)通電阻:

RDS(ON)=4.1m?(最大值)@VGS=10V(XPH4R10ANB)

RDS(ON)=6.3m?(最大值)@VGS=10V(XPH6R30ANB)

采用可焊錫側(cè)翼端子結(jié)構(gòu)的SOP Advance(WF)封裝

主要規(guī)格:

(除非另有說明,@Ta=25°C)

器件型號

XPH4R10ANB

XPH6R30ANB

極性

N溝道

絕對最大額定值

漏源極電壓

VDSS

(V)

100

漏極電流

(DC)

ID

(A)

70

45

漏極電流

(脈沖)

IDP

(A)

210

135

溝道溫度

Tch

(℃)

175

漏源極導(dǎo)通電阻

RDS(ON)最大值

(mΩ)

@VGS=6V

6.2

9.5

@VGS=10V

4.1

6.3

溝道至外殼熱阻

Zth(ch-c)

最大值

@Tc=25℃

(℃/W)

0.88

1.13

封裝

SOP Advance(WF)

產(chǎn)品系列

U-MOSVIII-H

U-MOSVIII-H

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