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名冠微電子功率芯片項目與贛州經開區簽約 項目總投資約200億元

半導體動態 ? 來源:全球半導體觀察 ? 作者:全球半導體觀察 ? 2019-12-03 15:59 ? 次閱讀

近日,贛州經開區成功舉行名冠微電子(贛州)有限公司功率芯片項目簽約儀式,與名芯有限公司(香港)、電子科技大學廣東電子信息工程研究院正式簽訂功率芯片項目投資合同。

據贛州經開區微新聞報道,名冠微電子(贛州)有限公司功率芯片項目由名芯有限公司(香港)、贛州經開區管委會、電子科技大學廣東電子信息工程研究院共同投資,項目總投資約200億元,用地550畝。

據了解,該項目共分兩期建設:項目一期建設一條8英寸0.09-0.11μm功率晶圓生產線,投資約65億元(其中進口晶圓制造設備約36億元、廠房約15億元),目標產能8萬片/月,目標年產值40億元;項目二期規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生產線或12英寸硅基晶圓制造生產線,投資約140億元,項目整體達產達標后年產值過百億元。

項目涉及產品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等,覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。項目建成后,將填補全省半導體晶圓生產線空白,也是全市首個總投資超200億元的電子信息產業項目。

贛州市委常委、贛州經開區黨工委書記李明生表示,贛州經開區是贛州“贛粵電子信息產業帶”的核心區和龍頭,規劃建設了總面積32.5平方公里的電子信息產業園,推進了一大批項目投產達產,已具備較好的產業發展基礎和較完備的產業鏈條。
責任編輯:wv

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