根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出，日前美系存儲(chǔ)器大廠美光科技（Micron）正式宣布，將采用第3代10納米級(jí)制程（1Znm）來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生產(chǎn)的DRAM將會(huì)是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲(chǔ)器。對(duì)此，市場(chǎng)預(yù)估，美光的該項(xiàng)新產(chǎn)品還會(huì)在2019年底前，在美光位于中國(guó)***臺(tái)中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

報(bào)導(dǎo)指出，美光指出，與第2代10納米級(jí)（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級(jí)制程（1Znm）DRAM制造技術(shù)將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度，從而增強(qiáng)性能，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級(jí)制程所生產(chǎn)新一代DRAM，與同樣為16GB DDR4的產(chǎn)品來(lái)比較，功耗較第2代10納米級(jí)制程產(chǎn)品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技術(shù)將較1Ynm制程技術(shù)的產(chǎn)品節(jié)省高達(dá)10%的功率。而且，由于1Znm制程技術(shù)提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產(chǎn)成本，未來(lái)使得存儲(chǔ)器更加便宜。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，美光本次并沒有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何，但根據(jù)市場(chǎng)預(yù)計(jì)，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲(chǔ)器將會(huì)符合JEDEC制定的官方標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲(chǔ)器的設(shè)備將會(huì)是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲(chǔ)器模組為主。

至于，在行動(dòng)存儲(chǔ)器方面，根據(jù)美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲(chǔ)器的傳輸速率最高可達(dá)4266 MT/s。此外，除了為高端智能手機(jī)提供高達(dá)16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還將提供基于UFS規(guī)格的多存儲(chǔ)器模組（uMCP4），其中內(nèi)含NAND Flash和DRAM。而美光針對(duì)主流手機(jī)的uMCP4系列產(chǎn)品將包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規(guī)格。

雖然美光沒有透露其采用1Znm技術(shù)的16GB DDR4和LPDDR4X存儲(chǔ)器將會(huì)在哪里生產(chǎn)，不過(guò)市場(chǎng)分析師推測(cè)，美光其在日本廣島的工廠將會(huì)采用最新的制造技術(shù)開始批量生產(chǎn)，而在此同時(shí)，也期待2019年底前在***臺(tái)中附近的美光***晶圓廠將開始營(yíng)運(yùn)1Znm制程技術(shù)的生產(chǎn)線。