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電子發燒友網>存儲技術>美光宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領內存技術突破,滿足未來計算需求

美光宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領內存技術突破,滿足未來計算需求

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200層NAND芯片的消費級固態硬盤2550 SSD正式出貨

發布的官方新聞稿,該企業宣布其已經正式出貨了全球首款使用超過200層NAND芯片的消費級固態硬盤2550 SSD,該SSD采用232層NAND技術,采用PCIe 4.0標準。
2022-12-08 16:19:19902

【行業資訊】推出先進的1β技術節點DRAM

內存與存儲解決方案領先供應商科技(Micron Technology Inc.)宣布,其采用全球最先進技術節點的1βDRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證,并做好了量產準備。
2023-02-01 16:13:052485

宣布吳明霞女士出任中國區總經理

2023 年 5 月 11 日,中國西安 —— 內存與存儲解決方案領先供應商Micron Technology, Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布委派吳明霞
2023-05-11 13:59:41891

宣布減產至30%!

稱,2023 年的行業需求預測目前較低,但整個行業供應量的大幅減少已開始穩定市場。去年 11 月份,宣布將存儲芯片減產 2 成。財報內容顯示,專注于庫存管理和控制供應,近期將 DRAM 和 NAND 晶圓開工率進一步減少至近 30%,預計減產將持續到 2024 年。
2023-06-30 15:01:32634

推出CZ120內存擴展模塊

Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布已為客戶及合作伙伴出樣 CZ120 內存擴展模塊。該模塊擁有 128GB 和 256GB 兩種
2023-08-10 14:12:37957

利用1β工藝技術提供高速7,200 MT/s DDR5內存

隨著數據中心工作負載所需cpu核心數量的增加,對更高內存帶寬和容量的要求增加,克服了“內存墻”問題,優化了總擁有費用。公司的 1β DDR5 DRAM 可以進一步擴展性能,支持數據中心和客戶端平臺之間的人工智能(ai)訓練和推理
2023-10-13 10:55:041085

發布基于232層NAND技術的的3500 NVMe固態硬盤(SSD)

,用于滿足商業應用、科學計算、新款游戲和內容創作對工作負載的嚴苛需求,從而進一步實現性能突破 3500 SSD 采用 M.2 外形規格,容量高達 2TB,提供了超越競品的用戶體驗1,在 SPECwpcsm 測試中表現突出,能將產品開發應用性能提升至高 71%2。
2023-12-12 09:43:30788

LPDDR5X內存模塊LPCAMM2掀起革新風暴

進入新時代,隨著人工智能PC等新技術的崛起,傳統內存已然無法滿足現實需求。近期,全球內存巨頭首次發布了新型基于LPDDR5x的LPCAMM2內存模塊,賦予客戶端市場全新的性能體驗。
2024-01-23 10:25:38885

科技開始量產HBM3E高帶寬內存解決方案

科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內存與存儲解決方案的領先供應商,近日宣布已經開始量產其HBM3E高帶寬內存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了光在內存技術領域的行業領先地位。
2024-03-05 09:16:28978

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上,詳細闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個節點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發復雜。
2024-03-05 16:18:24838

計劃部署納米印刷技術,降低DRAM芯片生產成本

3 月 5 日消息,科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術,從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場演講,介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節
2024-03-06 08:37:35407

開始量產HBM3E解決方案

近日,全球領先的半導體存儲器及影像產品制造商公司宣布,已開始大規模生產用于人工智能的新型高帶寬芯片——HBM3E。這一里程碑式的進展不僅標志著光在半導體技術領域的又一次突破,也預示著人工智能領域將迎來更為強勁的計算能力支持。
2024-03-08 10:02:07475

DRAM與NAND閃存產品線豐富,QLC顆粒已占總量2/3

 在產品方面,引領行業實現32Gb單層架構的128GB服務器內存,并預計在未來六個月內帶來數億美元的營收。此外,在高速性能更高的MRDIMM領域,已經開始供應256GB的樣品。
2024-03-22 14:51:41635

232層QLC NAND芯片已量產并出貨,推出SSD新品

科技近期宣布,其創新的232層QLC NAND芯片已成功實現量產并已開始出貨。這一里程碑式的成就標志著光在NAND技術領域再次取得了顯著進步,鞏固了其在全球存儲解決方案市場的領導地位。
2024-04-29 10:36:34834

率先出貨用于 AI 數據中心的關鍵內存產品

再創行業里程碑,率先驗證并出貨 128GB DDR5 32Gb 服務器 DRAM滿足內存密集型生成式 AI 應用對速率和容量的嚴苛要求 ? ? 2024 年 5 月 9 日 , 中國上海
2024-05-09 14:05:17257

科技推出基于大容量32Gb單塊DRAM芯片的128GB DDR5 RDIMM內存

2024 年 5 月 9 日, Micron Technology Inc.(科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布在業界率先驗證并出貨基于大容量 32Gb 單塊 DRAM 芯片的128GB DDR5 RDIMM 內存
2024-05-09 14:27:40857

率先量產232層QLC NAND產品

科技再次領跑行業前沿,近日宣布其232層QLC NAND產品已成功實現量產,并已開始應用于部分Crucial英睿達固態硬盤中。這一突破性的技術不僅滿足了客戶端對數據存儲的高需求,同時也為數據中心提供了更高效的存儲解決方案。
2024-05-09 14:53:55671

率先出貨用于AI數據中心的關鍵內存產品

科技近日在業界取得重大突破,成功驗證并率先推出了一款針對AI數據中心的關鍵內存產品。這款新產品基于大容量32Gb單塊DRAM芯片,構建成了128GB DDR5 RDIMM內存,其傳輸速率在主流服務器平臺上高達5600 MT/s,展現了卓越的性能。
2024-05-10 09:38:31445

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產工廠,預計最早于2027年底正式投入運營。該項目的總投資預估在6000億至8000億日元之間,體現了對于日本市場及全球半導體產業的堅定信心。
2024-05-31 11:48:23909

日本廣島DRAM新廠預計2027年量產

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計劃。據悉,計劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項目預計將在2026年初破土動工,最快有望在2027年底前完成廠房建設、機臺設備安裝,并正式投入營運。
2024-06-14 09:53:10639

內存助力未來AI技術更強大、更智能

近日,團隊在 NVIDIA GTC 大會上展示了業界前沿的 AI 內存和存儲產品組合。這些產品引起了參展商和與會者的極大興趣和廣泛關注,本博客介紹了其中的一些細節。內存正在推動和引領面向未來的 AI 技術,我們來一起了解下吧。
2024-06-18 14:29:50703

已在廣島Fab15工廠利用EUV試產1γ DRAM

在存儲芯片領域,技術的每一次革新都牽動著行業的脈搏。近日,存儲芯片大廠科技在公布其2024財年第三財季財報的同時,也宣布了一個令人振奮的消息——該公司正在其位于日本廣島的Fab15工廠試產基于極紫外(EUV)光刻技術1γ(1-gamma)DRAM,標志著光在DRAM制造領域邁出了重要的一步。
2024-06-29 09:26:06793

MRDIMM內存發布,加速數據中心工作負載

科技股份有限公司(納斯達克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復用雙列直插式內存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能客戶應對日益繁重的工作負載,從而最大化計算基礎設施的價值。對于
2024-07-22 14:06:36664

推出全新MRDIMM內存引領數據中心內存新紀元

工智能(AI)等內存密集型應用場景,對內存技術的要求也達到了前所未有的高度。近日,全球領先的DRAM大廠科技宣布了一項重大技術突破——多重存取雙列直插式內存模組(MRDIMM)的正式送樣,這一創新成果不僅標志著內存技術的新飛躍,更為數據中心用戶帶來了前所未有的性能提升與價值最大化。
2024-07-22 15:19:04720

量產第九代NAND閃存技術產品

全球領先的存儲解決方案提供商科技今日宣布了一項重大突破——其采用第九代(G9)TLC NAND技術的固態硬盤(SSD)已正式進入量產出貨階段,標志著成為業界首家達成此里程碑的企業。這一創新技術的推出,不僅彰顯了光在制程技術和設計創新領域的卓越實力,更為數據存儲市場樹立了新的性能標桿。
2024-08-01 16:38:46762

發布新型CUDIMM與CSODIMM內存產品

 公司近期宣布成功推出并已開始批量發貨兩款新型內存模塊——CUDIMM與CSODIMM,這兩款產品均遵循JEDEC固態存儲協會的標準,數據傳輸速率高達6400MT/s,相較于傳統DDR5內存,速度提升了15%。
2024-10-16 14:38:27768

預測AI需求將大幅增長,計劃2025年投產EUV DRAM

隨著人工智能技術日益普及,從云端服務器拓展至消費級設備,對高級內存需求持續攀升。鑒于此趨勢,科技已將其高帶寬內存(HBM)的全部產能規劃至2025年。科技的中國臺灣業務負責人兼公司副總裁Donghui Lu指出,公司正積極應對AI需求的激增,并預測到2025年,其產品性能將實現顯著提升。
2024-10-26 15:22:55835

科技計劃大規模擴大DRAM產能

據業內消息,科技預計今年將繼續積極擴大其DRAM產能,與去年相似。得益于美國政府確認的巨額補貼,近期將具體落實對現有DRAM工廠進行改造的投資計劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:56416

新加坡HBM內存封裝工廠破土動工

光在亞洲地區的進一步布局和擴張。 據方面介紹,該工廠將采用最先進的封裝技術,致力于提升HBM內存的產能和質量。隨著AI芯片行業的迅猛發展,HBM內存需求也在不斷增長。為了滿足這一市場需求決定在新加坡建設這座先進的封裝工
2025-01-09 16:02:58369

加入16-Hi HBM3E內存競爭

近日,全球DRAM內存巨頭之一的科技公司宣布,將正式進軍16-Hi(即16層堆疊)HBM3E內存市場。目前,正在對最終設備進行評估,并計劃在今年內實現量產。 這一消息標志著光在高性能內存
2025-01-17 14:14:12210

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