眾所周知，由于我國(guó)在芯片領(lǐng)域起步較晚，在芯片技術(shù)的掌握方面與西方國(guó)家有著很大的差距，因此芯片技術(shù)就成為了我國(guó)的一大短板，這一點(diǎn)是毋庸置疑的。目前，全球最主流芯片莫過(guò)于7nm制造工藝，比如目前市場(chǎng)上最頂尖的驍龍855、蘋(píng)果A12、華為麒麟980均是7nm范疇。

不過(guò)在近期，根據(jù)權(quán)威媒體的報(bào)道，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所專(zhuān)家表示，目前團(tuán)隊(duì)已經(jīng)研發(fā)出的3nm晶體管，這樣的寬度相當(dāng)于一條人類(lèi)DNA鏈的寬度，而在一個(gè)非常面積小到有限的芯片上，能夠安裝上百億的3nm晶體管。這樣的成就或?qū)⒁馕吨袊?guó)在芯片領(lǐng)域的研究再次取得突破。

當(dāng)然作為突破性技術(shù)的研究成果，專(zhuān)家們?cè)趯?duì)3nm晶體管研究之際同樣也需要克服一些重大障礙，而這其中就包括了“玻爾茲曼暴政”，而所謂的“玻爾茲曼暴政”描述的是一個(gè)關(guān)于電子在空間中分布的問(wèn)題。因此對(duì)于芯片的研發(fā)者而言，這樣意味著由于較多微型晶體安裝到芯片上，晶體管的電流所產(chǎn)生的熱量會(huì)將芯片燒毀。

針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，我國(guó)的物理學(xué)家已經(jīng)提供了有效的解決方案，并使用一種被稱(chēng)之為“負(fù)電容”的方法，將所需要的最小電量為晶體管提供電力。由于難度的復(fù)雜性較大，所以這種3nm晶體管實(shí)現(xiàn)商業(yè)化還需要一定的時(shí)間，不過(guò)就目前而言，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所的專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)正在對(duì)晶體管的材料和質(zhì)量進(jìn)行控制，以此來(lái)到達(dá)預(yù)期效果。

值得一提的是，作為全球通信霸主的三星曾經(jīng)公開(kāi)表示，將計(jì)劃在明年上半年完成3nm晶體管的研發(fā)。與7nm技術(shù)相比，3nm晶體管所制造的芯片只需要使用一半的電力，而性能方面卻將提升35%，至于芯片的投產(chǎn)問(wèn)題，三星并沒(méi)有對(duì)此進(jìn)行說(shuō)明。

當(dāng)然專(zhuān)家還透露，中國(guó)自主研發(fā)的3nm晶體管有著巨大的實(shí)際應(yīng)用潛力，同時(shí)也掌握著專(zhuān)利。3nm晶體管技術(shù)的突破將讓中國(guó)在芯片開(kāi)發(fā)領(lǐng)域與世界頭號(hào)角色進(jìn)行正面競(jìng)爭(zhēng)，而在過(guò)去我們看著別人競(jìng)爭(zhēng)，但現(xiàn)在，我們要同別人競(jìng)爭(zhēng)。

因此毫不夸張的可以說(shuō)，中國(guó)如今研究出目前世界最頂尖的3nm晶體管，這不僅是實(shí)驗(yàn)室中的一項(xiàng)新發(fā)現(xiàn)，更多的則是代表著中國(guó)芯片強(qiáng)勢(shì)崛起的希望，而當(dāng)3nm晶體管正式實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)之后，將意味著中國(guó)芯片在與西方國(guó)家縮小距離的同時(shí)，也將向世界。