女人自慰AV免费观看内涵网,日韩国产剧情在线观看网址,神马电影网特片网,最新一级电影欧美,在线观看亚洲欧美日韩,黄色视频在线播放免费观看,ABO涨奶期羡澄,第一导航fulione,美女主播操b

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

東芝聘請Synopsys公司和KLA-Tencor開發緊湊的良率分析和建模系統

PCB線路板打樣 ? 來源:xx ? 2019-09-01 09:06 ? 次閱讀

為了提高其100nm以下SOC的參數產量,東芝公司已聘請Synopsys公司和KLA-Tencor開發緊湊的良率分析和建模系統,用于預測工藝變化對最終設備的影響在LSI生產過程中發生的性能。

該項目的目標是改善東芝IC設計和工藝工程師之間的信息共享,以加速公司的先進工藝開發和產量提升工作。 。東芝計劃在其位于日本大分的300mm SOC制造工廠安裝新的建模系統。

“獲得成功的IC生產必不可少的參數產量,”首席知識和基礎設施官Shigeru Komatsu表示。東芝半導體公司在一份聲明中表示。

“由于SOC產品生命周期通常比其他設備短,因此可以收集更少的過程數據來優化制造過程,這使我們更加迫切需要第一次正確處理。能夠根據實時參數化產量數據對設備性能進行建模,這將使我們能夠在生產過程中快速做出決策,以微調我們的流程并優化我們的產量,并確保我們繼續滿足我們的產品上市時間要求,“他進一步說道。”

由于設備擴展,工藝容差越來越嚴格,而微小的工藝波動對設備性能的影響越來越大。為了解決這些問題,必須識別和控制這些過程變化的來源,以最小化參數產量損失。對于生產短生產設備的高混合設備的公司而言,錯過流程上的標記可能意味著完全錯過新產品設計的市場窗口。

為解決這些問題,TCAD系統傳統上用于模擬,開發和優化工藝技術,但它們既復雜又耗時。

東芝認為,Synopsys的TCAD模型和KLA的產量分析和報告系統的結合使得流程建模的優勢得以實現。在故障估計,根本原因分析,樣本規劃和設備表征的日增產任務中實現。

建模系統采用KLA的Klarity ACE XP軟件識別參數產量的癥狀這個問題旨在幫助芯片制造商快速解決晶圓廠的產量問題,并加速提高產量。 Synopsys的TCAD多變量非線性模型將用于通過工藝變化和晶體管器件性能特征的鏈接來識別潛在的根本原因。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 東芝
    +關注

    關注

    6

    文章

    1434

    瀏覽量

    122334
  • TCAD
    +關注

    關注

    2

    文章

    18

    瀏覽量

    10685
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試

    較為激進的技術路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據韓媒《ChosunBiz》當地時間 16 日報道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內存邏輯芯片的初步測試生產中取得了40% 的,這高于
    發表于 04-18 10:52

    VirtualLab Fusion應用:漸變折射(GRIN)鏡頭的建模

    摘要 折射平滑變化的漸變折射(GRIN)介質可用于例如:使鏡頭表面平坦或減少像差。 VirtualLab Fusion為光通過GRIN介質的傳播提供了一種物理光學建模技術。在相同的速度下
    發表于 03-18 08:57

    邏輯集成電路制造中提升與缺陷查找

    本文介紹了邏輯集成電路制造中有關提升以及對各種失效的分析
    的頭像 發表于 02-26 17:36 ?789次閱讀
    邏輯集成電路制造中<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>提升與缺陷查找

    三星電子1c nm內存開發里程碑推遲

    據韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內存開發里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的
    的頭像 發表于 01-22 15:54 ?495次閱讀

    三星1c nm DRAM開發里程碑延期

    據韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內存開發里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星在HBM4
    的頭像 發表于 01-22 14:27 ?525次閱讀

    集成電路制造中損失來源及分類

    本文介紹了集成電路制造中損失來源及分類。 的定義 是集成電路制造中最重要的指標之一。
    的頭像 發表于 01-20 13:54 ?735次閱讀
    集成電路制造中<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>損失來源及分類

    VirtualLab:系統建模分析

    系統建模分析器。本文檔介紹該工具的使用方法。 系統建模分析器 如何運行建模分析
    發表于 01-14 09:45

    如何提高錫膏印刷

    要提高錫膏印刷,可以從以下幾個方面著手。
    的頭像 發表于 01-07 16:00 ?369次閱讀

    VirtualLab Fusion:系統建模分析

    系統建模分析器。本文檔介紹該工具的使用方法 系統建模分析器 如何運行建模分析
    發表于 01-04 08:45

    芯片相關知識點詳解

    芯片(或成品)是指在芯片制造過程中,從一片晶圓上生產出的芯片中,能正常工作的比例,即合格芯片數量與總芯片數量的比率。的高低反映了生
    的頭像 發表于 12-30 10:42 ?2515次閱讀
    芯片<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>相關知識點詳解

    VirtualLab:系統建模分析

    系統建模分析器。本文檔介紹該工具的使用方法。 系統建模分析器 如何運行建模分析
    發表于 12-19 12:36

    盛美臨港研發與制造中心首臺量測設備KLA-Tencor Surfscan SP7入駐

    來源:盛美上海 熱烈慶祝盛美臨港研發與制造中心迎來里程碑時刻——首臺量測設備 KLA-Tencor Surfscan SP7入駐研發潔凈室! 這一歷史性的一刻,標志著盛美的研發實力邁上新臺階,為創新
    的頭像 發表于 11-04 09:29 ?451次閱讀

    晶圓制造限制因素簡述(1)

    下圖列出了一個11步工藝,如第5章所示。典型的站點列在第3列,累積列在第5列。對于單個產品,從站點
    的頭像 發表于 10-09 09:50 ?1082次閱讀
    晶圓制造<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>限制因素簡述(1)

    淺談影響晶圓分選的因素(2)

    在晶圓制造率部分討論的工藝變化會影響晶圓分選。在制造區域,通過抽樣檢查和測量技術檢測工藝變化。檢查抽樣的本質是并非所有變化和缺陷都被檢測到,因此晶圓在一些問題上被傳遞。這些問題在晶圓分選中顯現為失敗的設備。
    的頭像 發表于 10-09 09:45 ?996次閱讀
    淺談影響晶圓分選<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>的因素(2)

    半導體工藝之生產力和工藝

    晶圓實際被加工的時間可以以天為單位來衡量。但由于在工藝站點的排隊以及由于工藝問題導致的臨時減速,晶圓通常在制造區域停留數周。晶圓等待的時間越長,增加了污染的機會,這會降低晶圓分選。向準時制制造的轉變(見后面章節)是提高
    的頭像 發表于 07-01 11:18 ?1918次閱讀
    半導體工藝之生產力和工藝<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>