根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查,綜觀2019年第二季NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn),以需求面來(lái)看,智能手機(jī)、筆記本電腦以及服務(wù)器需求皆自第一季的傳統(tǒng)淡季有所復(fù)蘇,整體產(chǎn)業(yè)位元消耗量成長(zhǎng)約15%,但由于供應(yīng)商仍握有相當(dāng)高的庫(kù)存,致使第二季合約價(jià)跌幅仍相當(dāng)顯著,整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收仍維持在約108億美元的水平,較第一季基本持平。
展望2019年第三季,雖然預(yù)期旺季需求有助于出貨表現(xiàn),但受地緣經(jīng)濟(jì)沖突影響,恐導(dǎo)致需求表現(xiàn)較往年疲弱,但NAND Flash供給面受到東芝六月跳電事件沖擊影響甚巨,使得第三季合約價(jià)跌幅明顯收斂,而Wafer市場(chǎng)則呈現(xiàn)漲勢(shì),預(yù)估整體營(yíng)收較第二季增長(zhǎng)的可能性較高。
三星電子(Samsung)
由于服務(wù)器需求回溫以及不同應(yīng)用端采用高容量產(chǎn)品呈明顯成長(zhǎng),加上移動(dòng)設(shè)備客戶(hù)轉(zhuǎn)單效應(yīng),三星第二季位元銷(xiāo)售成長(zhǎng)約30%。隨著需求表現(xiàn)轉(zhuǎn)趨正面,平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅收斂至15%的水平,第二季營(yíng)收達(dá)37.66億美元,較第一季成長(zhǎng)16.6%。
從產(chǎn)能分析,今年以來(lái)三星的產(chǎn)能規(guī)劃無(wú)太大改變,在產(chǎn)能縮減部分皆以Line12的平面制程為主,以反映客戶(hù)需求持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)V-NAND,縮減后的空間則用于R&D,至于3D NAND的部分,在無(wú)刻意或人為減產(chǎn)情況下,整體投片規(guī)模與第一季相當(dāng)。
SK海力士(SK Hynix)
SK海力士的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)依然與移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)銷(xiāo)售狀況高度連動(dòng),受惠于價(jià)格彈性引領(lǐng)平均搭載容量迅速成長(zhǎng),以及部分中國(guó)客戶(hù)轉(zhuǎn)單,第二季位元出貨成長(zhǎng)達(dá)到40%,但由于平均售價(jià)仍有25%的顯著跌幅,本季SK海力士NAND Flash營(yíng)收為11.06億美元,季成長(zhǎng)8.1%。
以產(chǎn)能規(guī)劃而言,SK海力士宣布整體NAND Wafer投片量將較前一年減少15%,主要在于平面制程的縮減,因應(yīng)需求轉(zhuǎn)向較低成本的3D NAND。新廠M15的產(chǎn)能擴(kuò)增仍按先前規(guī)劃,整體3D NAND的投片量會(huì)緩慢增長(zhǎng),并以TLC架構(gòu)為主,今年內(nèi)SK海力士仍無(wú)量產(chǎn)QLC產(chǎn)品的打算。
東芝記憶體(Toshiba)
第二季在移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)備貨較為積極下,東芝的出貨表現(xiàn)有所復(fù)蘇,其位元出貨成長(zhǎng)率為0-5%,但受到第二季合約價(jià)進(jìn)一步走跌的影響,平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅近15%,營(yíng)收較上季衰退10.6%,為19.48億美元。
從產(chǎn)能方面觀察,四日市廠區(qū)受到停電事件沖擊影響顯著,盡管產(chǎn)線已大致于七月中旬以前恢復(fù),對(duì)整體市場(chǎng)供給影響仍大,約占全體年產(chǎn)出的3%。
西數(shù)(Western Digital)
由于西數(shù)決定在上半年進(jìn)行減產(chǎn),其第二季位元出貨量的預(yù)期成長(zhǎng)率本就較其他供應(yīng)商低,加上五月中受華為事件影響,中止出貨期間達(dá)一個(gè)月,以至于華為已將訂單配給予其他供應(yīng)商,導(dǎo)致位元出貨量季衰退1%,但產(chǎn)出減少也有效地抑制平均銷(xiāo)售價(jià)格衰退幅度僅有6%,整體營(yíng)收為15.06億美元,較上季衰退6.5%。
從產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看,受到四日市廠區(qū)跳電事故的影響,西數(shù)產(chǎn)能損失幅度約為6 ExaBytes,截至七月底前產(chǎn)線已大致恢復(fù)。此外,西數(shù)已經(jīng)與東芝取得參與巖手縣K1 Fab的投資共識(shí),也使得未來(lái)的產(chǎn)能擴(kuò)張獲得保證。
美光(Micron)
受到第二季價(jià)格進(jìn)一步下跌以及華為事件的沖擊,美光位元出貨衰退約5%,平均銷(xiāo)售單價(jià)跌幅則約落在季跌幅15%,其N(xiāo)AND Flash營(yíng)收來(lái)到14.61億美元,較第一季下跌17.7%。
在產(chǎn)能方面,美光第一季以宣布較先前生產(chǎn)計(jì)劃減少5%,第二季更進(jìn)一步擴(kuò)大至10%,3D NAND的產(chǎn)出比重仍將維持90%以上。
英特爾今年第一季因財(cái)務(wù)表現(xiàn)不佳影響,暫停后續(xù)在大連廠的擴(kuò)產(chǎn)規(guī)劃,目前在出貨比重上仍以64層產(chǎn)品為主力,除逐步推進(jìn)客戶(hù)使用96層產(chǎn)品外,亦積極導(dǎo)向采用高容量產(chǎn)品,SSD產(chǎn)品位元銷(xiāo)售有效地反映價(jià)格彈性,第二季位元銷(xiāo)售成長(zhǎng)超過(guò)20%,而平均銷(xiāo)售單價(jià)則有近15%的跌幅,營(yíng)收來(lái)到9.4億美元,較第一季成長(zhǎng)2.7%。
在產(chǎn)能與制程方面,英特爾大連廠將維持第一季底停止擴(kuò)產(chǎn)的計(jì)劃直至年底,并依客戶(hù)導(dǎo)入進(jìn)程逐步轉(zhuǎn)往96層產(chǎn)品。
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