8月5日，在美國舉行的“MRAM開發者日”活動上，Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢。他指出，MRAM作為下一代非易失性存儲器的替代者市場正在迅速擴大。到2024年，MRAM的市場規模將增加40倍。

就目前存儲市場而言，Bertolazzi表示，2018年全球半導體存儲器市場達到了1650億美元，比上一年增長了26％。市場規模達到有史以來最高值。2019年的市場預計將大幅下降至約1100億美元。

另外，半導體存儲器市場一個顯著特征是DRAM和NAND閃存是占比很高。2018年DRAM的份額為61％，NAND閃存的份額為36％。它們占總數的97％。只剩下3％。

余下的3%，NOR閃存占1.6％，非易失性SRAM和鐵電存儲器FRAM為0.6％，下一代非易失性存儲器（新興NVM）為0.2％，其他存儲器（標準EEPROM和掩模ROM等）為0.6％。

圖1：存儲器市場按產品類別劃分的市場份額及市場增長趨勢。圖片來源/Yole

下一代非易失性存儲器市場規模在5年內翻至26倍

如前所述，2018年半導體存儲器市場中下一代非易失性存儲器的份額非常小，為0.2％。即使在2023年，存儲的百分比仍將低于3％。雖然市場規模本身將大幅增長，但DRAM和NAND閃存的寡頭壟斷局面不會改變。

圖2：下一代非易失性存儲器（新興NVM）市場預測（一）。圖片來源/Yole

下一代非易失性存儲器（Emerging NVM）的市場規模在2018年約為2.8億美元。這將在2023年迅速擴大到72億美元。年平均增長率極高，達到104％。快速增長是由3DXPoint內存代表的大容量內存（存儲級內存）驅動。

圖3：下一代非易失性存儲器（新興NVM）市場預測（二）。圖片來源/Yole

2020年后，嵌入式內存的比例將會增加。在2018年，嵌入式存儲器的份額占總數的2％。到2020年，嵌入式存儲器市場將快速增長，但這一比例將保持在2％不變。這將在2023年增加到16％。換句話說，嵌入式存儲器將在2020年后引領下一代非易失性存儲器市場。

高價格和低存儲容量是MRAM的弱點

會上，Bertolazzi重點介紹了了MRAM技術。相比其他存儲器技術，如：DRAM，NAND閃存，NOR閃存，PCM（3D XPoint存儲器）和ReRAM，它又有什么特別之處呢？

圖4：半導體存儲器產品技術比較（一）（如：價格，內存密度，重寫次數和速度）。圖片來源/Yole

與2018年的單個存儲器產品相比，MRAM在速度和重寫次數方面具有優勢，但價格（每個存儲容量）和存儲容量較差。在六種存儲器技術中，價格（每個存儲容量）是第二高的，存儲容量是第二低的。

圖5：半導體存儲器產品技術比較（二）（如：價格，內存密度，重寫次數和速度）。圖片來源/Yole

MRAM存儲容量將在未來五年內增加八倍

但Bertolazzi預測，MRAM的弱點將在未來五年內大幅緩解。DRAM存儲容量（每個芯片）僅從16Gbit增加到32Gbit。這是因為小型化顯著減緩。截至2018年的生產技術是15nm一代，到2024年將保持11nm一代。

圖6：MRAM和DRAM的技術路線圖。圖片來源/Yole

相比之下，MRAM仍有小型化的空間。截至2018年，制造技術是40nm一代，而在2024年，這將一下子減少到16nm。存儲容量預計將從1Gbit增加到8Gbit。

在嵌入式存儲器中，MRAM的優勢隨著小型化而擴大

MRAM不僅可以擴展為單個存儲器，還可以擴展為嵌入式存儲器（嵌入在與微控制器和SoC等邏輯相同的硅芯片中的存儲器）。與其他存儲器技術（閃存/DRAM/SRAM/PCM/ReRAM）相比，作為嵌入式存儲器的特性具有許多優點。

特別是，由于嵌入式閃存（eFlash）正在達到小型化的極限，因此嵌入式MRAM作為第一替代產品受到關注。此外，由于SRAM的小型化速度正在放緩并且硅的面積很大，因此MRAM很可能在下一個應用領域將SRAM替換為低速工作存儲器。將來，人們期望最后一級緩存（LL Cache）將取代高速SRAM和嵌入式DRAM。

所有領先的硅代工廠都在提供嵌入式MRAM宏，而主要的硅代工廠正在合作開發單個的小型化MRAM。此外，主要制造設備供應商已經開發出MRAM薄膜生產設備和批量生產蝕刻設備。

圖7：MRAM市場預測。圖片來源/Yole

通過這些積極舉動，Yole Development預計MRAM的市場規模將在未來迅速擴大。2018年至2024年間，市場規模將以年均85％的速度增長，到2024年將達到17.8億美元。與2018年相比，它將增加40倍。

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