隨著互聯網的蓬勃發展,越來越多視頻,圖像(包括AR/VR)以及物聯網傳感器數據流在互聯網及數據中心中洶涌流動。互聯網數據在今天需要海量的帶寬,從目前發展來看,硅基光電子會對數據中心的架構產生深遠影響。
然而,對于設計人員來說,硅基光電的IO設計會碰到很多潛在的問題:
1. 高速傳輸不允許有任何信號干擾
2. 高速傳輸界面需要客戶定制的模擬I/O
3. SOC 設計基于先進節點,比如28nm, 16nm, 7nm
針對于上述的問題, 作為在on-chip ESD 領域耕耘了近20年的Sofics, 提出了很多Si-Proven的完美解決方案,也得到了歐美客戶的認可。這主要體現在我們已經成功為客戶解決了56Gbps 高速傳輸界面對ESD的要求,有些項目的寄生電容做到了10fF。除了28nm, 16nm的成熟經驗,我們也在積極拓展和客戶在12nm,7nm 項目的合作。回顧2017,在硅基光電的項目來看,支持的TSMC硅基光電工藝覆蓋了 180nm 到 16nm,還有鍺硅工藝。
除了硅基光電IO設計方面有ESD的特殊需求, 如果你對 超低功耗,超高壓(HBM,MM,CDM特殊需求),SOI, 汽車電子,醫療電路,防輻射等電路方面的ESD需求,請聯系:info@xmodtech.cn
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