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回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發展介紹

弘模半導體 ? 來源:djl ? 2019-09-08 10:23 ? 次閱讀

2018年,將在清華大學舉辦的MOS-AK 北京器件模型會議(6月14-16日), 大家投稿踴躍,超過了歷年,目前安排20篇演講報告。其中防輻射,高可靠性模型這塊的報告有4篇, III-V族高頻微波有7篇, 先進節點有3篇,器件基礎原理有2 篇,電路產品應用有2篇,模型,測試平臺相關的2篇。我們有幸邀請到了業界專家來分享最近的產學研成果,讓大家充分認識到器件模型的核心價值。邀請報告內容覆蓋模型基礎,和模型相關的器件,電路和針對市場上的產品應用,感興趣的,可以報名參會,和專家面對面交流。報名參會,請點擊閱讀原文。今天,我們簡短分享其中的一些報告:

1. mHEMT based MMICs, Modules, and Systems for mmWave Applications

(Fraunhofer IAF &Ondosense)

文章首先從工藝角度,介紹德國Fraunhofer IAF 的HEMT 用的材料和結構來實現器件理想的溝道和外延特性,同時在溝通長短方面,IAF也會介紹成熟的50nm mHEMT以及正在研發的35nm mHEMT 和 業界領先的20nm mHEMT。對于超高頻率器件的建模,電路,模塊設計,都會碰到非常嚴峻的挑戰, 報告會分別介紹在這些方面所取得的進展,同時也會帶來工業界的應用解決方案,比如芯片用于定位,材料無損測試,液體監測,人體, 財產安全檢測等,屬于一個非常典型的產學研報告。

回顧關于MOS-AK北京器件模型會議邀請報告分析和發展介紹

2. What Silicon Modelers Should Know About III-Vs for TCAD(Qorvo)

美國Qorvo的文章介紹了III-V器件如果用TCAD仿真,必須注意的幾個要點。一般來說,由于III-V電路簡單,生產周期短,用TCAD比較少,然而隨著越來越復雜的THz電路,TCAD 也有其必要性。在做仿真的時候,需要注意以下幾點:

A: III-V HBT 器件外延生長時,帶入的摻雜分布和材料特性有不一致性

B: 仿真器中的材料模型參數可能和實際的材料不同

C: 異質結的導帶偏移不能明確知道

D: 需要硅材料中的velocity vs. field 類似模型解決收斂問題

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3. Recent development of first-principle approach for computational nanoelectronics (IOS, CAS)

半導體所的文章,首先回顧第一性原理(密度泛函理論)來計算納米電子,通過對二維(2D)材料為基礎的亞10nm晶體管的性能極限仿真來做實驗,然而,對于現實晶體管,需要采用大規模算法用于模擬數千個原子系統,同時還采用第一性原理結合MARCUS電荷轉移理論或輸運方程研究電荷陷阱缺陷,以形成多尺度模擬可靠性退化機制,如典型MOS晶體管中的偏置溫度不穩定性(BTI)和在3D NAND閃存中的橫向電荷損失。最后,提出了對百萬原子級別的真實器件,用未來第一性原理方法進行模擬的一些物理性展望。

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PS:Compact modeling workshop Agenda (最新器件模型會議日程)

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6月14日培訓課程:

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微信熱點文章:

MOS-AK Peking 器件模型國際會議日程&邀請函

射頻測試&建模培訓-(MOS-AK PEKING)

歐盟項目TARANTO引發的思考

寫在中興通訊被制裁之際

On-chip ESD 資源共享

TESTCHIP的設計

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