NAND Flash存儲(chǔ)器在移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用市場(chǎng)的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計(jì)資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲(chǔ)存服務(wù)影響，第三季智能手機(jī)與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲(chǔ)器的需求已開(kāi)始減少。
2013-11-26 11:16:17
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受益于智能手機(jī)搭載的NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤(pán)（SSD），NAND Flash需求正快速成長(zhǎng)，各家存儲(chǔ)器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進(jìn)
2017-02-07 17:34:128497 
NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2022-11-10 17:08:321684 
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫(xiě)壽命，因此適合用來(lái)存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
SMC 1000 8 x 25G支持下一代CPU和SoC所需的高存儲(chǔ)器帶寬，用于人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)。
2019-08-08 14:52:55657 Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
超高畫(huà)質(zhì)電視等消費(fèi)性產(chǎn)品。以及后續(xù)2020年受惠游戲機(jī)卡匣、5G基地臺(tái)、資料中心及筆電用存儲(chǔ)器出貨強(qiáng)勁成長(zhǎng)，旺宏的19nm SLC NAND FLASH將在眾多產(chǎn)品中成為中流砥柱。截至目前為止，19nm
2020-11-19 09:09:58
Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快
2022-01-26 07:56:35
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-05 09:18:33
清楚，請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)支持。表1 NandFlash分區(qū)信息NAND Flash存儲(chǔ)器分區(qū)??EPC-6Y2C-L板載256MB的NAND Flash，其扇區(qū)大小為128KB，uboot、linux內(nèi)核以及文件系統(tǒng)等都安裝在其中，NAND Flash的分區(qū)情況如表1所列。注
2021-12-15 06:34:30
LPC11C00宣傳頁(yè)：業(yè)界首款集成CAN收發(fā)器微控制器解決方案
2022-12-08 07:07:09
有沒(méi)有華邦Flash技術(shù)支持的壇友，或者有應(yīng)用過(guò)W25M02GV的壇友。想請(qǐng)教一下關(guān)于W25M02的應(yīng)用問(wèn)題。
2019-12-27 08:46:12
Access Memory：鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱鐵電存儲(chǔ)器)。把FRAM歸類為非易失性存儲(chǔ)器是可以，但是FRAM的高速讀寫(xiě)性質(zhì)又與SRAM、DRAM更為接近，它也是一種RAM。于是，存儲(chǔ)器的分類令人
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
NAND FLASH存儲(chǔ)，但是在STM32cubeMX軟件中配置FMC外設(shè)時(shí)沒(méi)有NAND FLASH 這一項(xiàng)，如下圖所示，請(qǐng)問(wèn)這種情況應(yīng)該怎么辦呢，可以用I/O口模擬NAND FLASH編程嗎？希望有這方面編程經(jīng)驗(yàn)的前輩指點(diǎn)一下，謝謝啦
2018-04-17 14:39:03
用SPI接口擴(kuò)展外部Flash存儲(chǔ)器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI（Serial Peripheral Interface）功能實(shí)現(xiàn)對(duì)具有SPI接口的Flash存儲(chǔ)設(shè)備進(jìn)行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
NAND FIash存儲(chǔ)器的特點(diǎn)FIash文件系統(tǒng)的應(yīng)用特點(diǎn) FAT文件系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)FAT文件系統(tǒng)的改進(jìn)設(shè)計(jì)
2021-04-25 09:18:53
Programmable Read-Only-Memory電可編程序只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦只讀存儲(chǔ)器Electrically Erasable Programmable Read – Only ...
2021-07-22 08:16:03
使用壽命。該芯片幾乎達(dá)到了協(xié)議的最高理論速度（25MB/s），連續(xù)讀取最高速度可以到達(dá)20.6MB/s,連續(xù)寫(xiě)入最高速度可以達(dá)到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件傳輸時(shí)無(wú)論是大文件還是
2023-08-11 10:48:34
概述：W25X20是Winbond華邦公司生產(chǎn)的一款容量為2MB高速存儲(chǔ)器。它為雙排貼片8腳封裝。工作電壓2.7-3.6V。它具有雙向SPI輸出功能，是普通SPI接口的2倍速度。
2021-05-19 07:40:11
概述：W25X20是Winbond華邦公司生產(chǎn)的一款容量為2MB高速存儲(chǔ)器。它為雙排貼片8腳封裝。工作電壓2.7-3.6V。它具有雙向SPI輸出功能，是普通SPI接口的2倍速度。
2021-05-19 07:23:41
概述：W25X40是Winbond華邦公司生產(chǎn)的一款容量為4MB高速存儲(chǔ)器。它為雙排貼片8腳封裝。工作電壓2.7-3.6V。它具有雙向SPI輸出功能，是普通SPI接口的2倍速度。
2021-05-19 07:34:24
概述：W25X80是Winbond華邦公司生產(chǎn)的一款容量為8MB的高速存儲(chǔ)器。它為雙排貼片8腳封裝。工作電壓2.7-3.6V。它具有雙向SPI輸出功能，是普通SPI接口的2倍速度。
2021-05-19 06:14:18
忍無(wú)可忍的。FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的性能，還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)（NVRAM的優(yōu)勢(shì)），U盤(pán)和MP3里用的就是
2018-08-09 10:37:07
、航空、車用、云端運(yùn)算用服務(wù)器、工業(yè)用等，還包括筆記本電腦(NB)等如Ultrabook市場(chǎng)。而TLC芯片則是當(dāng)中質(zhì)量最低的，不過(guò)成本也便宜，主要是用于對(duì)速度要求不高的快閃記憶卡和隨身碟等產(chǎn)品上，目前TLC芯片還不能用在中高階或是特殊領(lǐng)域產(chǎn)品上。
2018-06-14 14:26:38
恒爍存儲(chǔ)芯片在業(yè)界口碑好，公司是低功耗SPI NOR Flash存儲(chǔ)器和高可靠性芯片優(yōu)秀的供應(yīng)商。在當(dāng)前大環(huán)境下，各大商家（華邦、GD、芯天下、芯新、博雅等）均已漲價(jià)?，F(xiàn)貨庫(kù)存才是王者，恒爍產(chǎn)品線庫(kù)存豐富，歡迎大家前來(lái)咨詢，財(cái)富熱線：***
2021-09-01 21:14:31
關(guān)于高速存儲(chǔ)器的調(diào)試和評(píng)估，看完你就懂了
2021-05-11 06:28:25
關(guān)于數(shù)Gpbs高速存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)的分析，看完你就懂了
2021-05-19 06:38:12
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過(guò)570億美元，而中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國(guó)已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）?？梢缘贸?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
Flash類型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
如何用低成本FPGA解決高速存儲(chǔ)器接口挑戰(zhàn)？
2021-04-29 06:59:22
可從全新的地點(diǎn)獲得更多的有用數(shù)據(jù)北京2011年5月4日電 /美通社亞洲/ -- 日前，德州儀器(TI)宣布推出業(yè)界首款超低功耗鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM)16位微控制器，從而宣告可靠數(shù)據(jù)錄入和射頻
2011-05-04 16:37:37
怎么實(shí)現(xiàn)基于業(yè)界首款Cortex-M33雙核微控制器LPC55S69的電路設(shè)計(jì)？
2021-06-15 09:14:03
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
NAND FLASH Controller IP Core標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH Controller標(biāo)準(zhǔn)NAND FLASH控制器 我是一位在職者（北京），專業(yè)從事FPGA接口設(shè)計(jì)，有較多的空余
2012-02-17 11:11:16
，壞塊表可存儲(chǔ)于FPGA內(nèi)部RAM塊。NAND FLASH控制器的用戶接口友好，基本上都是DPRAM或FIFO接口，狀態(tài)信號(hào)是I/O接口，易于使用。此NAND FLASH控制器可以適應(yīng)各種各樣
2014-03-01 18:49:08
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
，通常容量較小，主要用于存儲(chǔ)代碼；Nand Flash，容量較大，主要用于存儲(chǔ)資料，如數(shù)碼相機(jī)中所用的記憶卡。 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，可概括為一張圖描述，“太長(zhǎng)不看版”可參照下圖： 具體來(lái)說(shuō)，這兩種存儲(chǔ)器有何
2023-02-17 14:06:29
怎樣去設(shè)計(jì)DSP自動(dòng)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)的硬件？對(duì)FLASH存儲(chǔ)器進(jìn)行燒寫(xiě)有哪些步驟？怎樣使用FLASH存儲(chǔ)器去設(shè)計(jì)引導(dǎo)裝載系統(tǒng)？
2021-04-27 07:13:39
Flash 均衡保存算法，高效地調(diào)整更改數(shù)據(jù)時(shí)擦除的 Flash 區(qū)域大小；可將數(shù)據(jù)先寫(xiě)入內(nèi)存或者鐵電存儲(chǔ)器，然后定期的再將數(shù)據(jù)搬移到大的存儲(chǔ)器里面，減少直接斷 Nand－Flash、EMMC 擦寫(xiě)
2020-09-16 10:58:10
電池，而且與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。
2020-05-07 15:56:37
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫(xiě)入速度慢，而且只能有限次的擦寫(xiě)，寫(xiě)入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-19 11:53:09
)、EEPROM和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫(xiě)入速度慢，而且只能有限次的擦寫(xiě)，寫(xiě)入時(shí)功耗大。鐵電存儲(chǔ)器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技術(shù)一樣，是一種非易失性的存儲(chǔ)器。鐵電存儲(chǔ)器在這兩類存儲(chǔ)類型間搭起了一座
2011-11-21 10:49:57
單元物理結(jié)構(gòu)上的改善等，使低電壓?jiǎn)我浑娫搭愋偷拈W速存儲(chǔ)器也形成產(chǎn)品。以文件為使用目的的AND及NAND兩種類型的閃速存儲(chǔ)器目前已在市場(chǎng)上流通，應(yīng)用于大容量的Flash ATA卡等方面。海洋儀器http://www.hyxyyq.com
2018-04-09 09:29:07
的寫(xiě)入次數(shù)、并為開(kāi)發(fā)人員提供了一個(gè)全新的靈活度（允許其通過(guò)軟件變更來(lái)完成數(shù)據(jù)內(nèi)存與程序內(nèi)存的分區(qū))。鐵電存儲(chǔ)器相比SRAM、FLASH和EEPROM優(yōu)點(diǎn)多多:非易失性，寫(xiě)入速度快，無(wú)限次寫(xiě)入,最關(guān)鍵是
2021-11-10 08:28:08
黎志遠(yuǎn)_業(yè)界首款電流模式LLC AC-DC 控制器 NCP1399
2018-02-01 17:46:50
NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-02-24 14:41:26
10 NAND FLASH開(kāi)始廣泛應(yīng)用于星載存儲(chǔ)器,針對(duì)FLASH的數(shù)據(jù)高效管理成為該類存儲(chǔ)器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統(tǒng)YAFFS2為基礎(chǔ),結(jié)合空間應(yīng)用的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)特點(diǎn),引入文件系統(tǒng)的概
2010-07-17 18:06:2914 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際
2006-03-11 11:47:191206 
高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 Flash 存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)介
在眾多的單片機(jī)中都集成了 Flash 存儲(chǔ)器系統(tǒng)，該存儲(chǔ)器系統(tǒng)可用作代碼和數(shù)據(jù)
2010-11-11 18:25:094564 
The flash translation layer is an additional software layer between the file system and the NAND
2011-03-31 17:29:2187 如何存儲(chǔ)MQX web page到NAND FLASH
2015-11-26 14:51:450 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
2017-10-10 10:54:1124236 
FLASH存儲(chǔ)器（也就是閃存）就 是非易失隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器（NVRAM），特點(diǎn)是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲(chǔ)器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲(chǔ)器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說(shuō)的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 Flash存儲(chǔ)器技術(shù)趨于成熟，應(yīng)用廣泛，它結(jié)合了OTP存儲(chǔ)器的成本優(yōu)勢(shì)和EEPROM的可再編程性能，是目前比較理想的存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器具有電可擦除、無(wú)需后備電源來(lái)保護(hù)數(shù)據(jù)、可在線編程、存儲(chǔ)密度
2017-10-11 18:57:413776 
FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，由于其斷電時(shí)仍能保存數(shù)據(jù)，FLASH存儲(chǔ)器通常被用來(lái)保存設(shè)置信息，如在電腦的BIOS（基本輸入輸出
2017-10-13 16:34:3020879 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場(chǎng)的角度，就DRAM、NAND Flash、封測(cè)技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點(diǎn)思考。
2018-03-07 17:46:005860 
NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 2018年上半年，世界存儲(chǔ)器市場(chǎng)營(yíng)銷額為808.03億美元，其中：DRAM營(yíng)收額為487.67億美元，占到存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的60.4%；NAND Flash營(yíng)收額320.36億美元，占存儲(chǔ)器市場(chǎng)總值的39.6%的份額。
2018-08-21 17:09:288956 
NAND寫(xiě)回速度快、芯片面積小，特別是大容量使其優(yōu)勢(shì)明顯。頁(yè)是NAND中的基本存貯單元，一頁(yè)一般為512 B（也有2 kB每頁(yè)的large page NAND FLASH），多個(gè)頁(yè)面組成
2020-05-20 08:57:002761 
Cell )NAND將邁入百家爭(zhēng)鳴時(shí)代，帶動(dòng)消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量快速升級(jí)至TB等級(jí)，加上長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布新一代3D NAND架構(gòu)Xtacking，試圖超車追趕國(guó)際大廠，全球NAND Flash產(chǎn)量持續(xù)增加，戰(zhàn)火愈益激烈，2019年NAND Flash市場(chǎng)恐將大幅震蕩。
2018-08-29 17:46:266586 背景知識(shí)的情況下，可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器廠旺宏董事長(zhǎng)吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開(kāi)發(fā)，預(yù)計(jì)2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤(pán)（SSD）市場(chǎng)。
2018-09-17 16:30:301863 據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲(chǔ)器美國(guó)子公司宣布推出一種新的存儲(chǔ)器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics Flash 3D NAND技術(shù)和SLC。
2019-09-04 16:41:321234 據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù)，因數(shù)據(jù)中心對(duì)市場(chǎng)的帶動(dòng)作用，2019年第四季度NAND Flash總出貨量季增近10%，市場(chǎng)逐漸供不應(yīng)求。經(jīng)歷了一段降價(jià)期，NAND Flash存儲(chǔ)器終于迎來(lái)一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484034 隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的高速擴(kuò)大，FLASH型存儲(chǔ)器的用量迅速增長(zhǎng)。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn)，在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場(chǎng)的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)
2020-08-13 14:37:296064 
在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 相信有很多人都對(duì)計(jì)算機(jī)里的各種存儲(chǔ)器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就會(huì)存在，內(nèi)存條是 dram 還是 nand？nand flash 和 nor flash 的區(qū)別又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3810522 Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫(xiě)速度快
2020-11-03 16:12:083855 
Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:013046 的大小 = 一頁(yè)的大小 * 多少頁(yè) * 多少塊。下面著重于Nand flash和Nor flash的各個(gè)特點(diǎn)和共性與差異。1. 特點(diǎn)1.1 Nand FlashNand flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼
2021-11-26 19:51:0510 Nand flashNand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快
2021-12-02 09:06:0812 Flash Memory是一種非易失性的存儲(chǔ)器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在PC系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤(pán)以及主板BIOS中。絕大部分的U盤(pán)、SDCard等移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備也都是
2022-01-25 17:25:1259808 
存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見(jiàn)的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤(pán)、固態(tài)硬盤(pán)，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤(pán)除外。
2023-09-11 14:48:23556 
摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆](méi)有
2023-10-29 16:32:58647 前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160 
非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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