（文章來源：黑鳥科技）

如果說處理器等領(lǐng)域，中國半導(dǎo)體行業(yè)還有些存在感，那么存儲市場就幾乎為零了。目前，全球DRAM市場基本上被美韓瓜分，三星、SK海力士、美光的全球市場份額合計(jì)在95% 左右，中國龐大的存儲芯片需求，只能依賴進(jìn)口解決。現(xiàn)在，中國廠商長鑫存儲終于發(fā)布了第一顆DDR4規(guī)格的內(nèi)存條。

被人們俗稱內(nèi)存的電子硬件全名動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器，是半導(dǎo)體行業(yè)中體量最大的一塊，無論是手機(jī)、PC還是服務(wù)器，都需要內(nèi)存作為數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ馈４舜伍L鑫推出的內(nèi)存芯片，既有面向主流PC市場的單顆1G DDR4內(nèi)存芯片和采用自家原廠內(nèi)存顆粒的8G DDR4模組（即內(nèi)存條），也有面向移動(dòng)端的2G和4G兩種規(guī)格LPDDR4X內(nèi)存芯片。

盡管研發(fā)DDR4不算是最先進(jìn)的技術(shù)，國產(chǎn)DDR4某種程度上算是姍姍來遲，但長鑫存儲的DDR4也來之不易。從2008年開始，我國集成電路進(jìn)口額就超過了原油，并連續(xù)11年成為我國第一大宗的進(jìn)口商品。去年1~9月，國內(nèi)存儲芯片進(jìn)口量為2.5億臺，累計(jì)增長9.5%，進(jìn)口金額為1139億元，累計(jì)增長4%。國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)并非不想打破這個(gè)局面，但半導(dǎo)體行業(yè)后來者難入局，除了需要高額的研發(fā)費(fèi)用，專利也是繞不過去的門檻。

主攻閃存市場的福建晉華就曾因?qū)＠麊栴}吃了虧，不僅產(chǎn)品被禁售，內(nèi)存芯片的研發(fā)計(jì)劃也被叫停。而長鑫存儲最關(guān)鍵的一波操作，就是在2019年吃下了已經(jīng)破產(chǎn)的原歐洲存儲芯片巨頭奇夢達(dá)的大量專利。購買專利不僅是為了提升技術(shù)實(shí)力，更是為了繞過專利的封鎖圍堵，真正進(jìn)入制程節(jié)點(diǎn)的追擊戰(zhàn)。

目前，長鑫存儲將奇夢達(dá)的46nm工藝改進(jìn)到了19nm。但如果用制程節(jié)點(diǎn)表示，16~19 nm是1x nm制程，14~16nm是1y nm制程，12~14nm是1z nm制程，此外行業(yè)還規(guī)劃了1α、1β 和1γ 節(jié)點(diǎn)。長鑫的19nm存儲芯片屬于第一代的1x nm，而美光與SK海力士已經(jīng)開始量產(chǎn)第二代1y nm制程。今年初的CES上，美光就展示了基于1y nm的12G LPDDR5內(nèi)存，由小米10首發(fā)，同時(shí)美光也表示今年晚些時(shí)候會推出1z nm級的產(chǎn)品。

長鑫存儲發(fā)布DDR4的消息也引來了韓媒的關(guān)注，Business Korea指出，以長鑫存儲為代表的一系列的中國半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)力不容小覷，韓國業(yè)內(nèi)專家在報(bào)道中表示，“與NAND閃存不同，DRAM芯片只有在其質(zhì)量和性能得到保證后才能使用”。中國對于半導(dǎo)體行業(yè)的投資額正呈現(xiàn)逐年增長的趨勢。去年，中國對半導(dǎo)體設(shè)備的投資總計(jì)129.1億美元，而韓國的投資總額為105.2億美元；前一年的數(shù)字分別為131億美元和176.7億美元，而今年預(yù)估分別為149.2億美元和103.4億美元。

目前長鑫存儲已經(jīng)能夠批量生產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動(dòng)內(nèi)存，預(yù)計(jì)將在近期上市。考慮到DDR5內(nèi)存明年才有可能見到，并且需要更換其他硬件和平臺才能支持，普及仍需一段時(shí)間，國產(chǎn)DDR4存儲芯片或許會給市場帶來許多驚喜。
? ? ? （責(zé)任編輯：fqj）