存儲芯片在電子產業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色，主要分為閃存和內存，閃存包括 NAND Flash和NOR Flash，內存主要為DRAM。2019年，由于市場低迷及產能過剩，存儲芯片價格一路走跌，2019年底稍有回暖跡象。

國產存儲芯片在剛剛過去的2019年成長顯著，兆易創(chuàng)新受益于TWS業(yè)績一路攀升，長江存儲64層256 Gb 3D NAND量產，長鑫存儲10納米級8Gb DDR4宣布投產等等。

隨著5G、物聯(lián)網、智能設備等市場需求強勁，預計2020年NOR、NAND和DRAM 將會迎來不同幅度的需求增長以及價格上浮。在市場需求推動和自身力量積蓄下，2020年國產存儲芯片有望迎來新拐點。

2020年兆易創(chuàng)新等NOR Flash廠商業(yè)績持續(xù)看好

目前，全球市場占有率排名靠前的有華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯、美光。其中國產廠商兆易創(chuàng)新2019年表現(xiàn)異常突出，市占排名一路攀升，到目前位列第三，占全球份額的18.3%，排名第一的華邦占26.2%，第二的旺宏占23.3%，預計未來兆易創(chuàng)新的市占排名還會進一步上升。

兆易創(chuàng)新成立于2005年，是國產領先的存儲芯片設計公司，其2019半年報顯示，公司NOR Flash 產品，累計出貨量已經超過 100 億顆。受惠于打入國際領先TWS品牌的供應鏈，公司業(yè)績持續(xù)呈現(xiàn)大幅上揚走勢，第三季的NOR Flash業(yè)績較第二季再度成長36%，創(chuàng)下連續(xù)兩個季度營收成長超過35%的成績，同時也創(chuàng)下單季NOR Flash達到1億美元。

在剛剛過去的2019年，兆易創(chuàng)新海推出全新小封裝尺寸系列產品，是業(yè)界首款采用 1.5mm×1.5mm USON8 最小封裝，支持 1.65V 至 3.6V 的低功耗寬電壓產品，以及全線產品支持 WLCSP 封裝，為物聯(lián)網、穿戴式、消費類及健康監(jiān)測等對電池壽命和緊湊型尺寸要求嚴苛的應用提供了優(yōu)異的選擇。

在芯片制程工藝方面，目前公司 NOR Flash 產品工藝處于行業(yè)內主流技術水平，工藝節(jié)點為65nm。隨著很多可穿戴產品、物聯(lián)網終端小型化發(fā)展，對其中的芯片面積、元器件尺寸要求非常嚴，兆易創(chuàng)新大容量55nm制程芯片開發(fā)進展比較順利， 預期2020年一季度起有望上量。

國內NOR Flash廠商武漢新芯也在加快產品更新。近期，公司推出了基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產品系列XM25QWxxC。該XM25QWxxC系列產品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內可達108MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），在電源電壓下降后，時鐘速度沒有任何減慢。該系列產品支持SOP8和USON8封裝，支持客戶開發(fā)小尺寸的產品。產品適用于物聯(lián)網、可穿戴設備和其它功耗敏感應用中。

武漢新芯自主品牌市場銷售負責人馬珮玲此前表示，NOR Flash相對來說是一個比較成熟的市場，目前公司的NOR Flash產品容量覆蓋4Mbit到256Mbit，現(xiàn)在也正在加速研發(fā)，后續(xù)會有大容量的NOR Flash推出，以滿足5G基站市場的迅猛需求。據(jù)業(yè)界人士透露，武漢新芯的NOR Flash也應用于TWS耳機上。

NOR Flash在經過2018年的低谷后，2019年市場快速回溫，整個NOR Flash市場行情正在反彈，漲價趨勢較為明顯。預計2020年NOR將面臨率先漲價。其推動力主要來自于TWS耳機銷售強勁、OLED屏幕滲透加速。

TWS耳機在低端市場價格進入100元以內，銷量快速滲透，致使Nor Flash供應偏緊。此外，在高端安卓及蘋果市場，降噪功能的加入使得單機Nor容量翻倍，單機價值量大幅上升。IDC預計2019年TWS放量增長150%達1.1億對，2020年將會達1.5億對。

同時，AMOLED和TDDI在智能手機滲透率逐步提高，也推動NOR Flash的需求增長。2019年手機端AMOLED出貨量5.8億顆，2020年預計達6.92億顆。TDDI-COF在全面屏的解決方案越來越受歡迎，2019年出貨量達6.1億顆，預計2020年達7億顆。

事實上，不僅僅是TWS耳機和OLED屏幕，物聯(lián)網時代所有主動連接式的端設備實際上都需要 NOR Flash，需要運行代碼，這個需求非常大，實際上整個 NOR Flash 市場規(guī)模正在增長。只要物聯(lián)網趨勢往前發(fā)展，這樣的需求就存在，而現(xiàn)在萬物互聯(lián)還只是剛剛開頭。

5G商用帶來巨大需求，長江存儲64層3D NAND量產趕上好時機

SSD和移動終端為NAND Flash需求主要來源。根據(jù)DRAMexchange，2019年NAND Flash銷售額461億美元，同比下滑27.1%，預計2020年市場將回暖，銷售額將達550億左右。

5G時代，巨量數(shù)據(jù)將產生巨大的數(shù)據(jù)存儲需求。根據(jù)IDC預測，到2025年，全球數(shù)據(jù)圈將擴展至163ZB (1ZB等于1萬億GB)，相當于2018年的六倍。預估2019年產生35ZB數(shù)據(jù)，其中約58%來自于HDD，30%來自于閃存，主要是 NAND Flash，從目前NAND Flash出貨容量來看，存在巨大成長空間。

目前來看，NAND 市場占有率主要集中在三星、鎧俠（東芝）、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等廠商手上。其中三星占33.0%，鎧俠（東芝）占18.8%，西部數(shù)據(jù)占13.8%，美光占12.9%，英特爾占10.9%，SK海力士占9.7%。

從技術來看，隨著5G及物聯(lián)網技術的發(fā)展，數(shù)據(jù)正呈現(xiàn)出爆炸式的增長，由此對于存儲的需求也是越來越大，各大存儲廠商也是在不斷的研發(fā)更大容量的3D NAND。

據(jù)了解，三星已于2019年6月份推出128層256Gb 3D TLC NAND，8月份批量生產250GB SATA SSD，并現(xiàn)已可量產128層512Gb TLC 3D NAND。鎧俠/西部數(shù)據(jù)、美光等也將在2020年推進128層3D NAND技術發(fā)展，英特爾甚至將在2020年推出144層QLC NAND。

國產廠商NAND技術與國際廠商還存在差距，不過2019年8月26日，長江存儲64層3D NAND閃存芯片首次公開展出。隨后，公司在官方微信宣布，已經量產64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

這對于國產NAND來說具有里程碑意義，隨著長江存儲64層3D NAND宣布量產，國內在NAND技術上正式開啟追趕態(tài)勢。長江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品。而Xtacking架構是長江存儲于2019年8月推出的全新3D NAND架構，通過此架構引入批量生產，可以顯著提升產品性能、縮短開發(fā)周期和生產制造周期。

據(jù)悉，2020年長江存儲64層3D NAND閃存開始逐步提升產能，預計2020年底可望將產能提升到月產6萬片晶圓的規(guī)模。此外，公司也將在2020年生產128層堆棧3D閃存。屆時隨著128層3D NAND投入生產，國內在NAND上與國際廠商的差距將會再次縮小。

2019年和2020年5G商用正式開啟，大量數(shù)據(jù)的產生推動NAND需求增長，這對于長江存儲來說正是發(fā)力的好時機。

國產DRAM進展顯著：長鑫存儲已投產、兆易創(chuàng)新2020流片，紫光集團開始布局

目前，全球DRAM市場壟斷明顯，三星、SK海力士、美光三家占據(jù)全球95%以上的市場份額，三星占45%，SK海力士占29.2%，美光占21.2%。中國是DRAM芯片的最大市場，但三星、SK海力士、美光卻占據(jù)主導地位，這也使得DRAM成為我國受外部制約最為嚴重的基礎產品之一，DRAM是我們急需突破的一個領域。

值得關注的是，2019年國內DRAM廠商長鑫存儲、兆易創(chuàng)新取得顯著進展，紫光集團也正式進軍DRAM領域。

長鑫存儲內存芯片自主制造項目2019年9月20日宣布投產，其與國際主流DRAM產品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相。長鑫存儲內存芯片自主制造項目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，一期設計產能每月12萬片晶圓。

目前，該項目已通過層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產的8Gb DDR4已經通過多個國內外大客戶的驗證，2019年底正式交付。

另外，兆易創(chuàng)新也于2019年12月27日透露，其首款DRAM芯片計劃于2020年展開流片試樣，并將于2021年進行封裝測試以及完成客戶驗證，測試成功后進行大批量產。除此之外，其多系列DRAM產品將在2025年之前陸續(xù)完成研發(fā)及量產。

兆易成長由16年 NOR 到 17 年 NAND 到近兩年切入 DRAM，目前在 DRAM 技術及研發(fā)方面，公司已組建由數(shù)十名資深工程師組成的核心研發(fā)團隊，涵蓋前端設計、后端產品測試與驗證，該團隊的核心技術帶頭人員從事 DRAM 芯片行業(yè)平均超過二十年，具備較強的技術及研發(fā)實力。

2019年9月30日，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預案，擬募集資金33.2億元用于DRAM芯片研發(fā)及產業(yè)化項目。據(jù)介紹，募投項目主要為消費型 DRAM 和移動型 DRAM，下游應用主要包括電視機頂盒、路由器、車載電子、工控、手機、平板電腦、游戲機以及可穿戴設備等。與標準型 DRAM 相比，利基型 DRAM 以客制化為主，小眾市場，采用相對成熟的制程，以 DDR3/LPDDR3 為主，主流制程以 40+ nm、20+ nm 為主。

國盛證券表示，兆易創(chuàng)新作為合肥長鑫 DRAM項目產業(yè)運營方，未來有望深化 fabless+foundry合作模式。 長鑫晶圓項目由合肥產投和兆易創(chuàng)新合作投資，長鑫存儲技術有限公司負責管理和運營，是中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產運營團隊的 DRAM 項目。

除了長鑫存儲和兆易創(chuàng)新，紫光集團于2019年6月30日正式宣布組建紫光集團事業(yè)群，為此紫光集團組建了DRAM事業(yè)群，由刁石京任事業(yè)群董事長，高啟全為事業(yè)群CEO。紫光集團此前一直以NAND Flash為存儲器重點發(fā)展方向，如今，DRAM事業(yè)群的組建意味著紫光集團正式進軍DRAM領域。

隨后，紫光迅速布局，并于8月27日與重慶市政府簽署了合作協(xié)議，將在重慶建設DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠等。其中紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠主要專注于12英寸DRAM存儲芯片的制造，該工廠計劃于2019年底開工建設，預計2021年建成投產。

整體來看，2020年在5G、物聯(lián)網、智能設備等新興市場的推動下，存儲芯片市場需求將迎來較大增長，NOR、NAND、DRAM也會面臨一定幅度的價格上調，與此同時，相比以往小規(guī)模產能、研發(fā)為主的存儲產業(yè)格局而言，2020年國產存儲芯片有望迎來真正的量產階段，可見，不管是從外部市場還是內部技術產能上，2020年都將是國產存儲芯片的新拐點。