（文章來源：21IC中國電子網）

隨著智能制造的發展，我們的生活正在改變，圖像識別、語音識別、人機大戰、智能機器人、深度學習、自動駕駛等應用層出不窮，數據作為這些技術的核心力量，也處于爆炸式增長的階段。

據統計，2018年，全球生產的全部閃存容量為0.25 ZettaBytes。而2019年全球預計數據總量40 ZettaBytes。據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量。如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場。

所有的現代計算機系統中都使用存儲器結構層次來使得軟件和硬件互相補充，一般而言，從高層往底層走，存儲設備變得更慢、更便宜和更大。截至2018年11月， NAND閃存六大制造商的市場份額為三星36％，東芝19％，西部數據（WD）15％，美光13％，SK海力士11％和英特爾6％。

如今，正處于1z-nm工藝時代，96層3D NAND，四級單元。根據預測，短短三年內將達到驚人的200多層。

過去幾年，從硅化物向鎢的轉變開始。隨著15/16nm部件的全面投產，推出了3D / V-NAND產品。那些使用兩種存儲技術，氮化硅電荷捕獲存儲技術（三星、東芝、WD、SK海力士）和浮動門存儲器（美光、英特爾）。美光、英特爾還采用了不同的布局理念，提供了更大的數據密度。

展望未來最多可達256層，“4DNAND”或將擁有SK海力士版本，Xtacking是YMTC在陣列上堆疊CMOS以節省面積的過程。現在已進入1x-nm世代，今年將推出17nm部件。依照現在的發展節奏，現在各制造商都已低于20nm，1年內將引入下次緊縮，各家差異將更小。

據2018年全球十大半導體公司排名顯示，全球前四大半導體公司均與存儲器有關，十大半導體公司中有五家與存儲器有關。

2016年中國集成電路進口額2271億美元，存儲器進口額681億美元，占比30%；2017年中國集成電路進口額2601億美元，存儲器進口額近800億美元，占比30.7%；2018年中國集成電路進口額3120億美元，存儲器進口額1092億美元，占比35%；2018年中國半導體市場需求額占全球市場4766億美元的大約65%。

2018年全球存儲器市場1653億美元，占全球市場4766億美元的約35%，較2017年1287億美元增長26%；2018年全球NAND Flash存儲器市場632億美元，較2017年570億美元增長11%；2018年全球DRAM存儲器市場996億美元，較2017年717億美元增長39%；DRAM和NAND占到存儲器市場整體的98%。

NAND Flash的市場非常“誘人”，市場巨大，目前被國際巨頭壟斷。全球前4大陣營（廠商）占NAND Flash市場份額99%，2018年全球NAND FLAHS月產150萬張晶圓。全球NAND bit需求今年基本保持40%左右的高速增長。另外，如今NAND產業鏈成熟，供應鏈通暢。NAND Flash主要產品由固態存儲（44%）、嵌入式存儲（43%）和存儲卡（12%）三大部分組成。

同樣DRAM市場依然存在非常大的市場，目前同樣被國際巨頭壟斷，全球前3大廠商占DRAM市場份額94%。2018年全球DRAM月產140萬張晶圓。通過2011年-2019年數據，如今移動端和嵌入式設備的飛速發展，DRAM在PC上的占比越來越低，DRAM產品逐漸向移動設備靠攏。

全球DRAM bit需求今年基本保持20%左右的高速增長。雖然存儲器每位的價格波動非常激烈，但隨著未來龐大的數據量需求，存儲器需求也隨之保持高速增長，如此龐大的市場，可謂是國產存儲器的一次“機遇”。