隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識別、語音識別、人機(jī)大戰(zhàn)、智能機(jī)器人、深度學(xué)習(xí)、自動駕駛等應(yīng)用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術(shù)的核心力量，也處于爆炸式增長的階段。

據(jù)統(tǒng)計，2018年，全球生產(chǎn)的全部閃存容量為0.25 ZettaBytes。而2019年全球預(yù)計數(shù)據(jù)總量40 ZettaBytes。據(jù)IDC預(yù)測，2025年全球數(shù)據(jù)將有175 ZettaBytes的總量。如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲器將具有極大的市場。所有的現(xiàn)代計算機(jī)系統(tǒng)中都使用存儲器結(jié)構(gòu)層次來使得軟件和硬件互相補(bǔ)充，一般而言，從高層往底層走，存儲設(shè)備變得更慢、更便宜和更大。

截至2018年11月， NAND閃存六大制造商的市場份額為三星36％，東芝19％，西部數(shù)據(jù)（WD）15％，美光13％，SK海力士11％和英特爾6％。如今，正處于1z-nm工藝時代，96層3D NAND，四級單元。根據(jù)預(yù)測，短短三年內(nèi)將達(dá)到驚人的200多層。

過去幾年，從硅化物向鎢的轉(zhuǎn)變開始。隨著15/16nm部件的全面投產(chǎn)，推出了3D / V-NAND產(chǎn)品。那些使用兩種存儲技術(shù)，氮化硅電荷捕獲存儲技術(shù)（三星、東芝、WD、SK海力士）和浮動門存儲器（美光、英特爾）。美光、英特爾還采用了不同的布局理念，提供了更大的數(shù)據(jù)密度。

展望未來最多可達(dá)256層，“4DNAND”或?qū)碛蠸K海力士版本，Xtacking是YMTC在陣列上堆疊CMOS以節(jié)省面積的過程。DRAM技術(shù)，現(xiàn)在已進(jìn)入1x-nm世代，今年將推出17nm部件。依照現(xiàn)在的發(fā)展節(jié)奏，現(xiàn)在各制造商都已低于20nm，1年內(nèi)將引入下次緊縮，各家差異將更小。

新興內(nèi)存技術(shù)，稱之為“新興”是有爭議的，因為其實某些產(chǎn)品已存在一段時日了，但相對其他技術(shù)來說，稱為“新興”技術(shù)也未嘗不可。技術(shù)路線圖如下：存儲器市場前景巨大，據(jù)2018年全球十大半導(dǎo)體公司排名顯示，全球前四大半導(dǎo)體公司均與存儲器有關(guān)，十大半導(dǎo)體公司中有五家與存儲器有關(guān)。

2016年中國集成電路進(jìn)口額2271億美元，存儲器進(jìn)口額681億美元，占比30%；2017年中國集成電路進(jìn)口額2601億美元，存儲器進(jìn)口額近800億美元，占比30.7%；2018年中國集成電路進(jìn)口額3120億美元，存儲器進(jìn)口額1092億美元，占比35%；2018年中國半導(dǎo)體市場需求額占全球市場4766億美元的大約65%。

2018年全球存儲器市場1653億美元，占全球市場4766億美元的約35%，較2017年1287億美元增長26%；2018年全球NAND Flash存儲器市場632億美元，較2017年570億美元增長11%；2018年全球DRAM存儲器市場996億美元，較2017年717億美元增長39%；DRAM和NAND占到存儲器市場整體的98%。

NAND Flash的市場非常“誘人”，市場巨大，目前被國際巨頭壟斷。全球前4大陣營（廠商）占NAND Flash市場份額99%，2018年全球NAND FLAHS月產(chǎn)150萬張晶圓。全球NAND bit需求今年基本保持40%左右的高速增長。另外，如今NAND產(chǎn)業(yè)鏈成熟，供應(yīng)鏈通暢。NAND Flash主要產(chǎn)品由固態(tài)存儲（44%）、嵌入式存儲（43%）和存儲卡（12%）三大部分組成。

同樣DRAM市場依然存在非常大的市場，目前同樣被國際巨頭壟斷，全球前3大廠商占DRAM市場份額94%。2018年全球DRAM月產(chǎn)140萬張晶圓。通過2011年-2019年數(shù)據(jù)，如今移動端和嵌入式設(shè)備的飛速發(fā)展，DRAM在PC上的占比越來越低，DRAM產(chǎn)品逐漸向移動設(shè)備靠攏。全球DRAM bit需求今年基本保持20%左右的高速增長。

雖然存儲器每位的價格波動非常激烈，但隨著未來龐大的數(shù)據(jù)量需求，存儲器需求也隨之保持高速增長，如此龐大的市場，可謂是國產(chǎn)存儲器的一次“機(jī)遇”。