前工程——制作帶有電路的芯片

　　6.涂抹光刻膠

　　買(mǎi)回來(lái)的硅圓片經(jīng)過(guò)檢查無(wú)破損后即可投入生產(chǎn)線上，前期可能還有各種成膜工藝，然后就進(jìn)入到涂抹光刻膠環(huán)節(jié)。微影光刻工藝是一種圖形影印技術(shù)，也是集成電路制造工藝中一項(xiàng)關(guān)鍵工藝。首先將光刻膠（感光性樹(shù)脂）滴在硅晶圓片上，通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)均勻涂抹成光刻膠薄膜，并施加以適當(dāng)?shù)臏囟裙袒饪棠z薄膜。

　　光刻膠是一種對(duì)光線、溫度、濕度十分敏感的材料，可以在光照后發(fā)生化學(xué)性質(zhì)的改變，這是整個(gè)工藝的基礎(chǔ)。

　　7.紫外線曝光

　　就單項(xiàng)技術(shù)工藝來(lái)說(shuō)，光刻工藝環(huán)節(jié)是最為復(fù)雜的，成本最為高昂的。因?yàn)楣饪棠０濉⑼哥R、光源共同決定了“印”在光刻膠上晶體管的尺寸大小。

　　將涂好光刻膠的晶圓放入步進(jìn)重復(fù)曝光機(jī)的曝光裝置中進(jìn)行掩模圖形的“復(fù)制”。掩模中有預(yù)先設(shè)計(jì)好的電路圖案，紫外線透過(guò)掩模經(jīng)過(guò)特制透鏡折射后，在光刻膠層上形成掩模中的電路圖案。一般來(lái)說(shuō)在晶圓上得到的電路圖案是掩模上的圖案1/10、1/5、1/4，因此步進(jìn)重復(fù)曝光機(jī)也稱為“縮小投影曝光裝置”。

　　一般來(lái)說(shuō)，決定步進(jìn)重復(fù)曝光機(jī)性能有兩大要素：一個(gè)是光的波長(zhǎng)，另一個(gè)是透鏡的數(shù)值孔徑。如果想要縮小晶圓上的晶體管尺寸，就需要尋找能合理使用的波長(zhǎng)更短的光（EUV，極紫外線）和數(shù)值孔徑更大的透鏡（受透鏡材質(zhì)影響，有極限值）。

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