FinFET稱為鰭式場效應晶體管（Fin Field-Effect Transistor），是由美籍華人科學家胡正明教授提出的，其中的Fin在構造上與魚鰭非常相似，所以稱為“鰭式”，而FET的全名是“場效電晶體” 。

　　FinFET是一種新的互補式金屬氧半導體（CMOS）晶體管，源自于傳統標準的晶體管—“場效晶體管”的一項創新設計。

　　中芯國際延攬前三星電子（Samsung Electronics）、臺積電技術高層梁孟松后，首次于線上法說會中現“聲”說法，他表示非常看好中芯在產業中的機會與位置，但也深具挑戰；針對外界最關心的高階制程進度，共同執行長趙海軍表示，先進制程14納米FinFET將于2019年量產，第二代28納米HKMG制程也會于2018年底問世，外界都睜大眼睛等著檢視成績單。

　　中芯國際15日的線上法說中，仍是由趙海軍主持會議，梁孟松僅簡短發言，代表加入新團隊后的首次現“聲”，也滿足外界的好奇心。同時，趙海軍也指出，梁孟松是以共同執行長的身分加入，因此不會只是負責技術而已，也會參與策略面。

　　中芯國際董事長周子學表示，作為中國最重要的半導體公司之一，一直在思考如何提升公司競爭力，這幾年來也持續聚焦、整合資源，更在今年10月建立了新的領導團隊，隨著梁孟松的加入，可加強中芯制定技術的能力，拉近與對手的技術差距，相信新團隊會帶領公司到新高度，梁孟松也可用過去成功、卓越的半導體經驗，讓中芯國際的未來更美好。

　　梁孟松則是表示，很榮幸接下此職務，中芯在半導體產業中具有很好的位置與機會，但也深具挑戰，很高興與趙海軍和團隊合作。

　　針對外界詢問梁孟松加入中芯國際的最大任務，眾所皆知是高階制程技術的進度。中芯表示，將在2019年量產14納米FinFET制程技術。意即，梁孟松要用兩年的時間，幫中芯國際把14納米FinFET制程世代追上來，業界認為，很挑戰，但不是不可能，因為已經準備很久了，很期待，也會持續關注。

　　在28納米制程上，中芯也提出三階段的規劃藍圖。趙海軍指出，第一階段的polySion制程已經量產，第二階段是第一代的HKMG制程（中芯稱為HKC制程）已經在今年第2季開始產出，目標是28納米突破10%營收，而第三階段是第二代的HKC制程，預計在2018年底量產。

　　除了先進制程的布局，隨著梁孟松的加入而大踩油門往前沖之外，中芯也表示，公司投入快閃存儲器NOR Flash、微控制器（MCU）、傳感器CMOS Sensor、高壓（HV）等制程技術平臺，這些都是用到既有成熟制程的fab filter產品，且95%的機臺是相容于邏輯制程，可以根據客戶對于需求來規劃，做產能調配。

　　展望未來，中芯國際表示，這兩年是進入了過渡期，為下一階段的成長把技術和產能備妥，而短期方面，看好的成長動力包括28納米制程、快閃存儲器、指紋辨識芯片、電源管理芯片等，會持續將資源聚焦在關鍵的技術平臺。

　　針對2017年第4季的營運展望，中芯國際指出，預計營收成長1~3%、毛利率18~20%。

　　在第3季財報上，營收為7.69億美元，較上季成長2.5%，毛利率為23%，上季25.8%和去年同期30%減少，每股凈利為0.01美元。在制程技術上，28納米制程營收成長38.9%，0.18微米制程成長33.8%。