三星雖然距離臺積電還有距離，但是在芯片代工的技術(shù)上確也是猛追。2016年5月9日報道，依據(jù)2015年市場數(shù)據(jù)，IC Insights和高德納咨詢公司日前宣布三星已成為全球第四大芯片制造商。但是三星距離頭號芯片制造商***積體電路制造公司(TSMC)還是有很大距離。2015年，TSMC的銷售額將近200億美元(約合人民幣1303.31億元)，市場份額接近55%。而三星只有34億美元(約合人民幣221.56億元)的銷售額和5.3%的市場份額。

1月12日，臺積電對外公布財報，其2016年年營收創(chuàng)下歷史新高，達到299.57億美元。其中，先進工藝制程營收貢獻顯著。16/20納米制程去年第四季度出貨占比達到33%，28納米制程第四季度出貨占比達到24%。三星和英特爾都希望在7納米制程與臺積電爭奪市場，現(xiàn)在進展如何，請看下面是***technews最新報道。
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“7納米是很重要的節(jié)點，是生產(chǎn)工藝第一次轉(zhuǎn)向EUV的轉(zhuǎn)折點。三星和臺積電都宣布了將采用EUV(極紫外光微影)技術(shù)在7納米，而EUV是摩爾定律能夠進一步延續(xù)到5納米以下的關(guān)鍵。” Gartner(中國)研究總監(jiān)盛陵海表示。
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***經(jīng)濟日報的消息，環(huán)保署環(huán)評大會昨天通過攸關(guān)臺積5納米先進制程布局的南科環(huán)境境影響差異分析案。臺積電表示，此案通過讓臺積5納米制程基地有著落，最快將在今年動工，目標在2020年量產(chǎn)，迎戰(zhàn)強敵三星和英特爾。

三星、臺積電10 納米技術(shù)量產(chǎn)，7 納米制程戰(zhàn)火持續(xù)升高！而且隨著關(guān)鍵的微影技術(shù)來到瓶頸，7 納米制程技術(shù)也變成新一輪制程技術(shù)的關(guān)鍵之戰(zhàn)。

除了三星在去年年中傳出急購EUV 機臺，力拼2017 年底量產(chǎn)7 納米，臺積電在上周12 日法說會首度明確指出，在7 納米制程第二年，就會導入EUV 減少光罩層數(shù)，至5 納米制程全面采用EUV。臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音曾透露，10 納米與7 納米將有95% 設(shè)備是共用，也因此臺積電此前表明，至5 納米才會正式轉(zhuǎn)進EUV，現(xiàn)在三星、臺積電在7 納米將一前一后用上EUV，先進制程也正式宣告進入新一階段技術(shù)競賽。

隨著先進制程來到10 納米以下，制程微縮瓶頸一一浮現(xiàn)，尤其是制程中難度最高的微影技術(shù)，目前主流多采用193 納米浸潤式微影技術(shù)，但從65 納米制程到現(xiàn)在一路突破物理極限至目前10 納米，面臨的不只是物理上的瓶頸，愈來愈復雜的圖形造成曝光次數(shù)增加，光罩成本也跟著倍增。摩爾定律價格不變，積體電路上可容納的電晶體數(shù)量每隔18~24 個月會增加一倍的目標變得窒礙難行，極紫外光（EUV）微影就被視為摩爾定律能持續(xù)往下走的關(guān)鍵。

EUV先前因光源強度與生產(chǎn)量未達經(jīng)濟效益，遲遲未能量產(chǎn)。據(jù)目前EUV設(shè)備制造商艾司摩爾（ASML）在去年11月EUVL Workshops透露的進度，EUV光源強度已能達到125W，預計2018年能達到光源強度250W，可支持每小時生產(chǎn)125片晶圓的量產(chǎn)目標。屆時三星與臺積電正好走至7納米制程。距離臺積電2020年5納米量產(chǎn)，EUV或許更能接近浸潤式微影設(shè)備每小時能生產(chǎn)逾200片晶圓的生產(chǎn)效益。

晶圓制造商先前已陸續(xù)安裝EUV 進行試產(chǎn)，三星在2015 年7 月即攜IBM，利用EUV 打造7 納米芯片原型，2016 年中再有消息指出，三星砸重金采購新的NXE 3400 EUV 機臺，將于7 納米就導入EUV 技術(shù)以力抗臺積電等對手。而臺積電先前即擁有兩臺NXE 3300 EUV 設(shè)備，據(jù)悉在今年第一季又再引進了兩臺NXE 3400，另外，有消息指出，艾司摩爾大客戶在7 納米同樣有意導入EUV。從艾司摩爾18 日的最新數(shù)據(jù)，加上2016 年第四季再獲得的4 臺訂單，目前EUV 設(shè)備累積訂單數(shù)量已達18 臺。

然EUV 機臺并不便宜，一臺EUV 光刻機要價逾1 億美元，是其他微影技術(shù)設(shè)備金額的兩倍，這場制程競賽，比技術(shù)也比銀兩，競爭門檻跟著愈墊愈高。