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電子發燒友網>模擬技術>氮化硅陶瓷軸承——電驅時代軸承材料最優解

氮化硅陶瓷軸承——電驅時代軸承材料最優解

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由于建材、陶瓷和耐火材料工業的發展,隧道窯車使用量日益增多。作為窯車輪軸支承的軸承,其需求量日益增大。
2022-03-20 11:04:26609

一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

(c)將氮化硅暴露于蝕刻物質,以相對于襯底上的其他含硅材料選擇性地蝕刻氮化硅。硅源可以提供給襯底上游的等離子體。在一些實施例中,硅源被提供給遠程等離子體發生器中的等離子體。替代地或附加地,硅源可以被提供給襯底和容納襯底的腔室的前端之間的等離子體。硅源可以在容納襯底的室的噴頭處或附近提供給等離子體。
2022-04-24 14:58:51979

如何保持軸承的清潔?如何保持軸承的清潔有哪些

軸承的干凈度對于滾針軸承壽數的反應相等大,軸承曾為此停止了特地的實驗,后果是其差異達數倍甚至數十倍之上。軸承的干凈度越高,壽數越長等人的實驗標明:沒有同干凈度的光滑油對于球軸承壽數反應很大。磨損量較大時,是軸承、噪音、振動增大,升高軸承的運行精密度,因此間接反應到一些長機的精密度。
2022-07-03 09:33:03703

什么是軸承游隙?

游隙可調軸承是指可以移動軸承滾道的相對軸向位置來獲得所需要的游隙,屬于這類的有圓錐軸承和角接觸球軸承及一些止推軸承
2022-08-03 14:43:072567

液壓擋輪軸承室磨損修復用什么材料

液壓擋輪軸承室磨損修復用什么材料
2022-08-12 16:36:240

磷酸的腐蝕特性及緩蝕劑 氮化硅濕法蝕刻中熱磷酸的蝕刻率

在半導體濕法蝕刻中, 熱磷酸廣泛地用于對氮化硅的去除工藝, 實踐中發現溫下磷酸對氮化硅蝕刻率很難控制。 從熱磷酸在氮化硅濕法蝕刻中的蝕刻原理出發, 我們華林科納分析了影響蝕刻率的各個因素, 并通過
2022-08-30 16:41:592998

了解一下氮化硅陶瓷基板究竟有哪些特點?

。而氮化硅陶瓷板在各方面比較均衡,也是綜合性能最好的結構陶瓷材料。因此,Si3N4氮化硅在電力電子器件陶瓷基板制造領域具有很強的競爭力。 過去,電路基板是由分立元件或集成電路與分立元件組合而成的平面材料,以滿足整
2022-10-07 10:22:001544

氮化硅陶瓷基板有利于提高功率器件的可靠性及高導熱性

。但是,作為絕緣體安裝在陶瓷基板上的半導體元件是散熱還是冷卻,提高作為熱傳導介質的氮化硅陶瓷基板的熱傳導性是主要問題。
2022-10-13 16:29:58670

氮化硅陶瓷基板的5大應用你知道嗎?

如今高導熱氮化硅陶瓷基板因其優異的機械性能和高導熱性而成為下一代大功率電子器件不可缺少的元件,適用于復雜和極端環境中的應用。在這里,我們概述了制備高導熱氮化硅陶瓷的最新進展。
2022-11-10 10:01:332010

中國第3代半導體半導體理想封裝材料——高導熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題

2022年9月,威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模,高導熱氮化硅陶瓷基板各項理化指標到了國際上行業領軍的質量水平,突破了西方先進國家在高導熱氮化硅陶瓷基板的技術保護和應用產品對我國“卡脖子”難題。
2022-11-11 16:36:574150

高導熱率氮化硅散熱基板材料的研究進展

針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導率的因素、制備高熱導率氮化硅陶瓷的方法、燒結助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述
2022-12-06 09:42:40820

如何提高氮化硅的實際熱導率實現大規模生產的問題解決

綜合上述研究可發現,雖然燒結方式不一樣,但都可以制備出性能優異的氮化硅陶瓷。在實現氮化硅陶瓷大規模生產時,需要考慮成本、操作難易程度和生產周期等因素,因此找到一種快速、簡便、低成本的燒結工藝是關鍵。
2022-12-06 10:30:392408

氮化硅氮化陶瓷基板究竟有何區別?

等優點,廣泛應用于電子器件封裝。 由于具有優異的硬度、機械強度和散熱性,氮化硅陶瓷氮化陶瓷基板都可以制成用于電子封裝的陶瓷基板,同時它們也具有不同的性能和優勢。以下就是區別。 1、散熱差異 氮化硅陶瓷基板的導熱
2022-12-09 17:18:241219

國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車性能優勢

國產氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車加速度、續航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優勢
2023-03-15 17:22:551018

氮化硅陶瓷基板的市場優勢和未來前景

氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉換效率、高溫性能和高速度等特點。這使得氮化硅線路板有著廣泛的應用前景和市場需求,正因為如此斯利通現正全力研發氮化硅作為基材的線路板。
2023-04-11 12:02:401364

誰才是最有發展前途的封裝材料呢?

目前,常用電子封裝陶瓷基片材料包括氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化鈹(BeO)、碳化硅(SiC)等。那么,誰才是最有發展前途的封裝材料呢?
2023-04-13 10:44:04801

多孔氮化硅陶瓷天線罩材料制備及性能研究

近日,上海玻璃鋼研究院有限公司的高級工程師趙中堅沿著該思路,以純纖維狀α-Si3N4粉為主要原料,通過添加一定比例氧化物燒結助劑,經冷等靜壓成型和氣氛保護無壓燒結工藝燒結制備出了能充分滿足高性能導彈天線罩使用要求的多孔氮化硅陶瓷
2023-04-16 10:30:461279

國產氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊,國產新能源汽車開啟性能狂飆模式

新能源電動汽車爆發式增長的勢頭不可阻擋,氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,對提升新能源汽車加速度、續航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
2023-05-02 09:28:451170

國瓷材料:DPC陶瓷基板國產化突破

氮化鋁為大功率半導體優選基板材料。氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、 氮化鋁(AlN)和氮化硅(Si3N4)4 種材料是已經投入生產應用的主要陶瓷基板 材料,其中氧化鋁技術成熟度最高、綜合性能好、性價比高,是功率器件最為常用 的陶瓷基板,市占率達 80%以上。
2023-05-31 15:58:35879

高導熱氮化硅陶瓷基板研究現狀

的要求,傳統的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO等的缺點也日益突出,如較低的理論熱導率和較差的力學性能等,嚴重阻礙了其發展。相比于傳統陶瓷基板材料氮化硅陶瓷由于
2022-12-05 10:57:121390

滾動軸承,您了解多少?

軸承型號只用基本型號表示。基本型號一般包含三部分,類型代號,尺寸代號和內徑代號。后置代號是用字母和數字等表示軸承的結構、公差及材料的特殊要求等。前置代號用來表示軸
2023-03-16 09:54:18901

氮化硅陶瓷在四大領域的研究及應用進展

氮化硅陶瓷軸承球與鋼質球相比具有突出的優點:密度低、耐高溫、自潤滑、耐腐蝕。疲勞壽命破壞方式與鋼質球相同。陶瓷球作為高速旋轉體產生離心應力,氮化硅的低密度降低了高速旋轉體外圈上的離心應力。
2023-07-05 10:37:061561

氮化硅陶瓷基板生產工藝 氮化鋁和氮化硅的性能差異

氮化鋁具有較高的熱導性,比氮化硅高得多。這使得氮化鋁在高溫環境中可以更有效地傳導熱量。
2023-07-06 15:41:231061

氮化硅是半導體材料氮化硅的性能及用途

氮化硅是一種半導體材料氮化硅具有優異的熱穩定性、機械性能和化學穩定性,被廣泛應用于高溫、高功率和高頻率電子器件中。它具有較寬的能隙(大約3.2電子伏特),并可通過摻雜來調節其導電性能,因此被視為一種重要的半導體材料
2023-07-06 15:44:433823

陶瓷散熱基板投資圖譜

陶瓷散熱基板中的“陶瓷”,并非我們通常認知中的陶瓷,屬于電子陶瓷材料,主要用于陶瓷封裝殼體和陶瓷基板,主要成分包括氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化鈹(BeO)等。與傳統的陶瓷有個共性,主要化學成分都是硅、鋁、氧三種元素。
2023-08-23 15:07:30638

沉積氮化硅薄膜的重要制備工藝——PECVD鍍膜

PECVD作為太陽能電池生產中的一種工藝,對其性能的提升起著關鍵的作用。PECVD可以將氮化硅薄膜沉積在太陽能電池片的表面,從而有效提高太陽能電池的光電轉換率。但為了清晰客觀的檢測沉積后太陽能電池
2023-09-27 08:35:491776

國科光芯實現傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長)級別氮化硅硅光芯片的量產

)級別氮化硅硅光芯片的量產,工藝良率超95%。 ? 相對于傳統硅光技術,氮化硅材料具有損耗低、光譜范圍大、可承載光功率大等突出優點。此外,氮化硅硅光芯片也是優異的多材料異質異構平臺,可集成磷化銦(InP)、鈮酸鋰(LiNbO?)等材料,實現應用更
2023-11-17 09:04:54656

京瓷利用SN氮化硅材料研發高性能FTIR光源

京瓷株式會社(以下簡稱京瓷)成功研發用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride,以下簡稱SN)高性能光源。
2023-12-15 09:18:06234

氮化硅為什么能夠在芯片中扮演重要的地位?

在芯片制造中,有一種材料扮演著至關重要的角色,那就是氮化硅(SiNx)。
2023-12-20 18:16:09511

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